公开(公告)号：US08686473B1

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US12792529

申请日：2010-06-02

申请人： Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

发明人： Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L31/0256 ,  H01L29/66 ,  H01L31/102

CPC分类号： H01L29/66916 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： The interface resistance between the source/drain and gate of an HFET may be significantly reduced by engineering the bandgap of the 2DEG outside a gate region such that the charge density is substantially increased. The resistance may be further reduced by using an n+GaN Cap layer over the channel layer and barrier layer such that a horizontal surface of the barrier layer beyond the gate region is covered by the n+GaN Cap layer. This technique is applicable to depletion and enhancement mode HFETs.

摘要翻译： 通过在栅极区域之外设计2DEG的带隙，使得电荷密度显着增加，可以显着降低HFET的源极/漏极和栅极之间的界面电阻。 通过在沟道层和阻挡层上使用n + GaN帽层可以进一步降低电阻，使得超过栅极区域的势垒层的水平表面被n + GaN帽层覆盖。 该技术适用于耗尽和增强型HFET。

公开(公告)号：US08653559B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13171798

申请日：2011-06-29

申请人： Andrea Corrion ,  Karim S. Boutros ,  Mary Y. Chen ,  Samuel J. Kim ,  Rongming Chu ,  Shawn D. Burnham

发明人： Andrea Corrion ,  Karim S. Boutros ,  Mary Y. Chen ,  Samuel J. Kim ,  Rongming Chu ,  Shawn D. Burnham

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A field effect transistor (FET) includes source and drain electrodes, a channel layer, a barrier layer over the channel layer, a passivation layer covering the barrier layer for passivating the barrier layer, a gate electrode extending through the barrier layer and the passivation layer, and a gate dielectric surrounding a portion of the gate electrode that extends through the barrier layer and the passivation layer, wherein the passivation layer is a first material and the gate dielectric is a second material, and the first material is different than the second material.

摘要翻译： 场效应晶体管（FET）包括源极和漏极，沟道层，沟道层上的势垒层，覆盖阻挡层以钝化势垒层的钝化层，延伸穿过阻挡层的栅电极和钝化层 以及围绕所述栅电极的延伸穿过所述阻挡层和所述钝化层的部分的栅极电介质，其中所述钝化层是第一材料，并且所述栅极电介质是第二材料，并且所述第一材料不同于所述第二材料 。

公开(公告)号：US20130328061A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13604983

申请日：2012-09-06

申请人： Rongming Chu ,  Brian Hughes ,  Andrea Corrion ,  Shawn D. Burnham ,  Karim S. Boutros

发明人： Rongming Chu ,  Brian Hughes ,  Andrea Corrion ,  Shawn D. Burnham ,  Karim S. Boutros

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7787

摘要： A normally-off transistor includes a channel layer, an electron supply layer overlaying the channel layer, a source electrode and a drain electrode on the electron supply layer, an area in the electrode supply layer between the source electrode and the drain electrode treated with a fluoride based plasma followed by a chlorine based plasma treatment, a gate insulator overlaying the area, and a gate electrode overlaying the gate insulator.

摘要翻译： 常闭晶体管包括沟道层，覆盖沟道层的电子供应层，电子供应层上的源极和漏电极，源电极和漏电极之间的电极供应层中的区域 氟化物基等离子体，然后进行氯基等离子体处理，覆盖该区域的栅极绝缘体和覆盖栅极绝缘体的栅电极。

公开(公告)号：US09496197B1

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US14495755

申请日：2014-09-24

申请人： Miroslav Micovic ,  Alexandros D. Margomenos ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion

发明人： Miroslav Micovic ,  Alexandros D. Margomenos ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/34 ,  H01L21/306 ,  H01L23/00 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/30625 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/27 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66871 ,  H01L29/812 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/142

摘要： Apparatus and methods are provided for heat removal and spreading from a field effect transistor (FET) including a substrate, a first source, a first gate, and a drain on the substrate, and a poly-diamond dielectric thermally coupled to the first gate wherein the poly-diamond dielectric facilitates heat removal from a top of the FET.

摘要翻译： 提供了用于从包括衬底，第一源，第一栅极和漏极在衬底上的场效应晶体管（FET）散热和扩散的装置和方法，以及热耦合到第一栅极的多金刚石电介质，其中 该多晶金刚石介质有利于从顶部排出热量。

公开(公告)号：US08558281B1

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13310473

申请日：2011-12-02

申请人： Dean C. Regan ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion ,  Ivan Milosavljevic ,  Miroslav Micovic ,  Peter J. Willadsen ,  Colleen M. Butler ,  Hector L. Bracamontes ,  Bruce T. Holden ,  David T. Chang

发明人： Dean C. Regan ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion ,  Ivan Milosavljevic ,  Miroslav Micovic ,  Peter J. Willadsen ,  Colleen M. Butler ,  Hector L. Bracamontes ,  Bruce T. Holden ,  David T. Chang

IPC分类号： H01L29/205

CPC分类号： H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

摘要： A method for fabricating a gate structure for a field effect transistor having a buffer layer on a substrate, a channel layer and a barrier layer over the channel layer includes forming a gate including silicon, forming first sidewalls of a first material on either side and adjacent to the gate, selectively etching into the buffer layer to form a mesa for the field effect transistor, depositing a material layer over the mesa, planarizing the material layer over the mesa to form a planarized surface such that a top of the gate, tops of the first sidewalls, and a top of the material layer over the mesa are on the same planarized surface, depositing metal on the planzarized surface, annealing to form the gate into a metal silicided gate, and etching to remove excess non-silicided metal.

摘要翻译： 一种制造用于场效应晶体管的栅极结构的方法，该场效应晶体管在衬底上具有缓冲层，沟道层上的沟道层和势垒层包括形成包含硅的栅极，在任一侧和相邻的第一侧上形成第一材料的第一侧壁 到栅极，选择性地蚀刻到缓冲层中以形成用于场效应晶体管的台面，在所述台面上沉积材料层，在所述台面上平坦化所述材料层以形成平坦化表面，使得所述栅极的顶部， 第一侧壁和台面上的材料层的顶部在相同的平坦化表面上，在平面化表面上沉积金属，退火以将栅极形成金属硅化栅极，并蚀刻以除去多余的非硅化金属。

公开(公告)号：US08383471B1

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US13083916

申请日：2011-04-11

申请人： Keisuke Shinihara ,  Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Paul B. Hashimoto ,  Shawn D. Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Peter J. Willadsen ,  Dean C. Regan

发明人： Keisuke Shinihara ,  Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Paul B. Hashimoto ,  Shawn D. Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Peter J. Willadsen ,  Dean C. Regan

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： A method of fabricating a GaN HEMT includes growing a first epitaxial layer on a substrate, growing a second epitaxial layer on the first epitaxial layer, growing a third epitaxial layer on the second epitaxial layer, depositing a first dielectric film on the third epitaxial layer, using dielectric films to form a first sidewall dielectric spacer, forming a sidewall gate adjacent the first sidewall dielectric spacer. The sidewall gate may be made to be less than 50 nm in length.

摘要翻译： 制造GaN HEMT的方法包括在衬底上生长第一外延层，在第一外延层上生长第二外延层，在第二外延层上生长第三外延层，在第三外延层上沉积第一电介质膜， 使用介电膜形成第一侧壁电介质间隔件，形成邻近所述第一侧壁电介质间隔物的侧壁门。 侧壁浇口的长度可以小于50nm。

公开(公告)号：US08748244B1

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13456421

申请日：2012-04-26

申请人： Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

发明人： Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： The present invention relates to fabrication of enhancement mode and depletion mode High Electron Mobility Field Effect Transistors on the same die separated by as little as 10 nm. The fabrication method uses selective decomposition and selective regrowth of the Barrier layer and the Cap layer to engineer the bandgap of a region on a die to form an enhancement mode region. In these regions zero or more devices may be fabricated.

摘要翻译： 本发明涉及在相同裸片上分离10nm的增强模式和耗尽型高电位迁移率场效应晶体管的制造。 制造方法使用阻挡层和盖层的选择性分解和选择性再生长来设计管芯上的区域的带隙以形成增强模式区域。 在这些区域中，可以制造零个或多个器件。

公开(公告)号：US08470652B1

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13105706

申请日：2011-05-11

申请人： David F. Brown ,  Keisuke Shinohara ,  Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion

发明人： David F. Brown ,  Keisuke Shinohara ,  Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H03F3/211 ,  H03F2200/372

摘要： A monolithically integrated device includes a substrate, a first set of Group III nitride epitaxial layers grown for a first HFET on a first region of the substrate, and a second set of Group III nitride epitaxial layers for a second HFET grown on a second region of the substrate.

摘要翻译： 单片集成器件包括衬底，为衬底的第一区域上的第一HFET生长的第一组III族氮化物外延层和用于在第二区域上生长的第二HFET的第二组III族氮化物外延层 底物。

公开(公告)号：US20130001646A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13171798

申请日：2011-06-29

申请人： Andrea Corrion ,  Karim S. Boutros ,  Mary Y. Chen ,  Samuel J. Kim ,  Rongming Chu ,  Shawn D. Burnham

发明人： Andrea Corrion ,  Karim S. Boutros ,  Mary Y. Chen ,  Samuel J. Kim ,  Rongming Chu ,  Shawn D. Burnham

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A field effect transistor (FET) includes source and drain electrodes, a channel layer, a barrier layer over the channel layer, a passivation layer covering the barrier layer for passivating the barrier layer, a gate electrode extending through the barrier layer and the passivation layer, and a gate dielectric surrounding a portion of the gate electrode that extends through the barrier layer and the passivation layer, wherein the passivation layer is a first material and the gate dielectric is a second material, and the first material is different than the second material.

摘要翻译： 场效应晶体管（FET）包括源极和漏极，沟道层，沟道层上的势垒层，覆盖阻挡层以钝化势垒层的钝化层，延伸穿过阻挡层的栅电极和钝化层 以及围绕所述栅电极的延伸穿过所述阻挡层和所述钝化层的部分的栅极电介质，其中所述钝化层是第一材料，并且所述栅极电介质是第二材料，并且所述第一材料不同于所述第二材料 。