公开(公告)号：US20100059869A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12206914

申请日：2008-09-09

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/50 ,  H02H9/04 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/60 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection device is fabricated in a vertical space between active layers of stacked semiconductor dies thereby utilizing space that would otherwise be used only for communication purposes. The vertical surface area of the through silicon vias (TSVs) is used for absorbing large voltages resulting from ESD events. In one embodiment, an ESD diode is created in a vertical TSV between active layers of the semiconductor dies of a stacked device. This ESD diode can be shared by circuitry on both semiconductor dies of the stack thereby saving space and reducing die area required by ESD protection circuitry.

摘要翻译： 在堆叠的半导体管芯的有源层之间的垂直空间中制造静电放电（ESD）保护装置，从而利用否则将仅用于通信目的的空间。 通过硅通孔（TSV）的垂直表面积用于吸收由ESD事件引起的大电压。 在一个实施例中，在层叠器件的半导体管芯的有源层之间的垂直TSV中产生ESD二极管。 该ESD二极管可以由堆叠的两个半导体管芯上的电路共享，从而节省了ESD保护电路所需的空间和减小管芯面积。

公开(公告)号：US08847360B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13298884

申请日：2011-11-17

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/60 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/60 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection device is fabricated in a vertical space between active layers of stacked semiconductor dies thereby utilizing space that would otherwise be used only for communication purposes. The vertical surface area of the through silicon vias (TSVs) is used for absorbing large voltages resulting from ESD events. In one embodiment, an ESD diode is created in a vertical TSV between active layers of the semiconductor dies of a stacked device. This ESD diode can be shared by circuitry on both semiconductor dies of the stack thereby saving space and reducing die area required by ESD protection circuitry.

摘要翻译： 在堆叠的半导体管芯的有源层之间的垂直空间中制造静电放电（ESD）保护装置，从而利用否则将仅用于通信目的的空间。 通过硅通孔（TSV）的垂直表面积用于吸收由ESD事件引起的大电压。 在一个实施例中，在层叠器件的半导体管芯的有源层之间的垂直TSV中产生ESD二极管。 该ESD二极管可以由堆叠的两个半导体管芯上的电路共享，从而节省了ESD保护电路所需的空间和减小管芯面积。

公开(公告)号：US20090273068A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12115076

申请日：2008-05-05

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/58 ,  H01L21/70 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019

摘要： By filling an air gap between tiers of a stacked IC device with a thermally conductive material, heat generated at one or more locations within one of the tiers can be laterally displaced. The lateral displacement of the heat can be along the full length of the tier and the thermal material can be electrically insulating. Through silicon-vias (TSVs) can be constructed at certain locations to assist in heat dissipation away from thermally troubled locations.

摘要翻译： 通过在层叠的IC器件的层之间填充导热材料，在一个层内的一个或多个位置处产生的热可以横向移位。 热的横向位移可以沿着层的整个长度，并且热材料可以是电绝缘的。 通过硅通孔（TSV）可以在某些位置构建，以帮助散热的位置。

公开(公告)号：US08502373B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12115076

申请日：2008-05-05

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019

摘要： By filling an air gap between tiers of a stacked IC device with a thermally conductive material, heat generated at one or more locations within one of the tiers can be laterally displaced. The lateral displacement of the heat can be along the full length of the tier and the thermal material can be electrically insulating. Through silicon-vias (TSVs) can be constructed at certain locations to assist in heat dissipation away from thermally troubled locations.

摘要翻译： 通过在层叠的IC器件的层之间填充导热材料，在一个层内的一个或多个位置处产生的热可以横向移位。 热的横向位移可以沿着层的整个长度，并且热材料可以是电绝缘的。 通过硅通孔（TSV）可以在某些位置构建，以帮助散热的位置。

公开(公告)号：US20120061804A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13298884

申请日：2011-11-17

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/60 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection device is fabricated in a vertical space between active layers of stacked semiconductor dies thereby utilizing space that would otherwise be used only for communication purposes. The vertical surface area of the through silicon vias (TSVs) is used for absorbing large voltages resulting from ESD events. In one embodiment, an ESD diode is created in a vertical TSV between active layers of the semiconductor dies of a stacked device. This ESD diode can be shared by circuitry on both semiconductor dies of the stack thereby saving space and reducing die area required by ESD protection circuitry.

摘要翻译： 在堆叠的半导体管芯的有源层之间的垂直空间中制造静电放电（ESD）保护装置，从而利用否则将仅用于通信目的的空间。 通过硅通孔（TSV）的垂直表面积用于吸收由ESD事件引起的大电压。 在一个实施例中，在层叠器件的半导体管芯的有源层之间的垂直TSV中产生ESD二极管。 该ESD二极管可以由堆叠的两个半导体管芯上的电路共享，从而节省了ESD保护电路所需的空间和减小管芯面积。

公开(公告)号：US08080862B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US12206914

申请日：2008-09-09

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Matthew Nowak

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/60 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection device is fabricated in a vertical space between active layers of stacked semiconductor dies thereby utilizing space that would otherwise be used only for communication purposes. The vertical surface area of the through silicon vias (TSVs) is used for absorbing large voltages resulting from ESD events. In one embodiment, an ESD diode is created in a vertical TSV between active layers of the semiconductor dies of a stacked device. This ESD diode can be shared by circuitry on both semiconductor dies of the stack thereby saving space and reducing die area required by ESD protection circuitry.

摘要翻译： 在堆叠的半导体管芯的有源层之间的垂直空间中制造静电放电（ESD）保护装置，从而利用否则将仅用于通信目的的空间。 通过硅通孔（TSV）的垂直表面积用于吸收由ESD事件引起的大电压。 在一个实施例中，在层叠器件的半导体管芯的有源层之间的垂直TSV中产生ESD二极管。 该ESD二极管可以由堆叠的两个半导体管芯上的电路共享，从而节省了ESD保护电路所需的空间和减小管芯面积。

公开(公告)号：US20100261310A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12822000

申请日：2010-06-23

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Bart Swinnen

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Bart Swinnen

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-tiered IC device contains a first die including a substrate with a first and second set of vias. The first set of vias extends from one side of the substrate, and the second set of vias extend from an opposite side of the substrate. Both sets of vias are coupled together. The first set of vias are physically smaller than the second set of vias. The first set of vias are produced prior to circuitry on the die, and the second set of vias are produced after circuitry on the die. A second die having a set of interconnects is stacked relative to the first die in which the interconnects couple to the first set of vias.

摘要翻译： 多层IC器件包含第一裸片，其包括具有第一组和第二组通孔的衬底。 第一组通孔从衬底的一侧延伸，并且第二组通孔从衬底的相对侧延伸。 两组通孔耦合在一起。 第一组通孔在物理上小于第二组通孔。 第一组通孔在芯片上的电路之前产生，并且第二组通孔在芯片上的电路之后产生。 具有一组互连件的第二管芯相对于第一管芯堆叠，其中互连件耦合到第一组通孔。

公开(公告)号：US20100127937A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12277447

申请日：2008-11-25

申请人： Arvind Chandrasekaran ,  Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu

发明人： Arvind Chandrasekaran ,  Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu

IPC分类号： H01Q1/36 ,  H01Q23/00 ,  H01P11/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01Q1/2283 ,  G06K19/07775 ,  G06K19/07779 ,  H01L23/481 ,  H01L23/585 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0657 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19015 ,  H01Q7/00 ,  Y10T29/49016 ,  H01L2924/00

摘要： An antenna structure is integrated in a semiconductor chip. The antenna structure is formed by at least one of: a) one or more through-silicon vias (TSVs), and b) one or more crack stop structures. In certain embodiments, the antenna structure includes an antenna element formed by the TSVs. The antenna structure may further include a directional element formed by the crack stop structure. In certain other embodiments, the antenna structure includes an antenna element formed by the crack stop structure, and the antenna structure may further include a directional element formed by the TSVs.

摘要翻译： 天线结构集成在半导体芯片中。 天线结构由以下至少一种形成：a）一个或多个穿硅通孔（TSV），以及b）一个或多个裂纹停止结构。 在某些实施例中，天线结构包括由TSV形成的天线元件。 天线结构还可以包括由裂纹停止结构形成的方向元件。 在某些其他实施例中，天线结构包括由裂缝停止结构形成的天线元件，并且天线结构还可以包括由TSV形成的定向元件。

公开(公告)号：US20110042829A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12938396

申请日：2010-11-03

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Bart Swinnen

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Bart Swinnen

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-tiered IC device contains a first die including a substrate with a first and second set of vias. The first set of vias extends from one side of the substrate, and the second set of vias extend from an opposite side of the substrate. Both sets of vias are coupled together. The first set of vias are physically smaller than the second set of vias. A second die having a set of interconnects is stacked relative to the first die in which the interconnects couple to the first set of vias.

摘要翻译： 多层IC器件包含第一裸片，其包括具有第一组和第二组通孔的衬底。 第一组通孔从衬底的一侧延伸，并且第二组通孔从衬底的相对侧延伸。 两组通孔耦合在一起。 第一组通孔在物理上小于第二组通孔。 具有一组互连件的第二管芯相对于第一管芯堆叠，其中互连件耦合到第一组通孔。

公开(公告)号：US08076768B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12938396

申请日：2010-11-03

申请人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Bart Swinnen

发明人： Kenneth Kaskoun ,  Shiqun Gu ,  Bart Swinnen

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-tiered IC device contains a first die including a substrate with a first and second set of vias. The first set of vias extends from one side of the substrate, and the second set of vias extend from an opposite side of the substrate. Both sets of vias are coupled together. The first set of vias are physically smaller than the second set of vias. A second die having a set of interconnects is stacked relative to the first die in which the interconnects couple to the first set of vias.

摘要翻译： 多层IC器件包含第一裸片，其包括具有第一组和第二组通孔的衬底。 第一组通孔从衬底的一侧延伸，并且第二组通孔从衬底的相对侧延伸。 两组通孔耦合在一起。 第一组通孔在物理上小于第二组通孔。 具有一组互连件的第二管芯相对于第一管芯堆叠，其中互连件耦合到第一组通孔。