公开(公告)号：US20080079166A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11540200

申请日：2006-09-29

申请人： Kevin J. Lee ,  Subhash Joshi ,  Angelo Kandas ,  Everett Branderhorst ,  Rohit Grover ,  Tzuen-Luh Huang

发明人： Kevin J. Lee ,  Subhash Joshi ,  Angelo Kandas ,  Everett Branderhorst ,  Rohit Grover ,  Tzuen-Luh Huang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： Embodiments of semiconductor devices and methods of making such devices are presented herein.

摘要翻译： 半导体器件的实施例和制造这种器件的方法在本文中给出。

公开(公告)号：US06649515B2

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US09164508

申请日：1998-09-30

申请人： Peter K. Moon ,  Makarem A. Hussein ,  Alan Myers ,  Charles Recchia ,  Sam Sivakumar ,  Angelo Kandas

发明人： Peter K. Moon ,  Makarem A. Hussein ,  Alan Myers ,  Charles Recchia ,  Sam Sivakumar ,  Angelo Kandas

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76834

摘要： A method of forming an interconnection including the steps of depositing a first masking material over a first conductive region of an integrated circuit substrate and depositing a dielectric material over the first masking material. The method also includes forming a via through the dielectric material to expose the first masking material and a second masking material is deposited in a portion of the via. A trench is formed in the dielectric material over a portion of the via and the second masking material is removed from the via. The via is then extended through the first masking material and a conductive material is deposited in the via.

摘要翻译： 一种形成互连的方法，包括以下步骤：在集成电路基板的第一导电区域上沉积第一掩模材料，并在第一掩模材料上沉积电介质材料。 该方法还包括通过介电材料形成通孔以暴露第一掩模材料，并且第二掩蔽材料沉积在通孔的一部分中。 在通孔的一部分上的电介质材料中形成沟槽，并且从通孔去除第二掩模材料。 然后将通孔延伸穿过第一掩模材料，并且导电材料沉积在通孔中。