公开(公告)号：US20150179567A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14137497

申请日：2013-12-20

申请人： Sridhar Govindaraju ,  Anindya Dasgupta ,  Rohit Grover

发明人： Sridhar Govindaraju ,  Anindya Dasgupta ,  Rohit Grover

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An embodiment includes a metal interconnect structure, comprising: a dielectric layer on a substrate; an opening in the dielectric layer, wherein the opening has opening sidewalls and exposes a conductive region of at least one of the substrate and an additional interconnect structure; a first atomic layer deposition (ALD) layer on the conductive region and the opening sidewalls; a second ALD layer on a portion of the first ALD layer, and a third ALD layer within the opening and on the first ALD layer. Other embodiments are described herein.

摘要翻译： 实施例包括金属互连结构，包括：基底上的电介质层; 在所述介​​电层中的开口，其中所述开口具有开口侧壁并且暴露所述衬底和附加互连结构中的至少一个的导电区域; 在导电区域和开口侧壁上的第一原子层沉积（ALD）层; 在第一ALD层的一部分上的第二ALD层和在开口内和第一ALD层上的第三ALD层。 本文描述了其它实施例。

公开(公告)号：US20150179469A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14137512

申请日：2013-12-20

申请人： Sridhar Govindaraju ,  Matthew J. Prince ,  Rohit Grover

发明人： Sridhar Govindaraju ,  Matthew J. Prince ,  Rohit Grover

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/7684

摘要： An embodiment includes forming a first film over first and second portions of a SOC, the first portion including a first density of structures and the second portion including a second density of structures with the first density being denser than the second density; forming a second film over the first film; polishing the second film to remove some of the second film and form (a) a first section of the second film between sections of the first film located over the first portion, and (b) a second section of the second film between sections of the second film located over the second portion; etching the first film over the first and second portions and etching the first and second sections of the second film; and polishing the first film to expose top surfaces of the structures of the first and second portions. Other embodiments are described herein.

摘要翻译： 一个实施例包括在SOC的第一和第二部分上形成第一膜，第一部分包括第一密度结构，第二部分包括具有第一密度比第二密度致密的第二密度的结构; 在第一膜上形成第二膜; 抛光所述第二膜以去除所述第二膜中的一些，并且形成（a）所述第二膜的位于所述第一部分之上的所述第一膜的部分之间的第一部分，以及（b）所述第二膜的第二部分 第二膜位于第二部分之上; 在第一和第二部分上蚀刻第一膜并蚀刻第二膜的第一和第二部分; 并抛光第一膜以暴露第一和第二部分的结构的顶表面。 本文描述了其它实施例。

公开(公告)号：US20080079166A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11540200

申请日：2006-09-29

申请人： Kevin J. Lee ,  Subhash Joshi ,  Angelo Kandas ,  Everett Branderhorst ,  Rohit Grover ,  Tzuen-Luh Huang

发明人： Kevin J. Lee ,  Subhash Joshi ,  Angelo Kandas ,  Everett Branderhorst ,  Rohit Grover ,  Tzuen-Luh Huang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： Embodiments of semiconductor devices and methods of making such devices are presented herein.

摘要翻译： 半导体器件的实施例和制造这种器件的方法在本文中给出。

公开(公告)号：US20150179510A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14140085

申请日：2013-12-24

申请人： ERICA J. THOMPSON ,  NABIL G. MISTKAWI ,  ROHIT GROVER

发明人： ERICA J. THOMPSON ,  NABIL G. MISTKAWI ,  ROHIT GROVER

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76865

摘要： Methods for selectively etching titanium and titanium nitride are disclosed. In some embodiments the method involve exposing a workpiece to a first solution to remove titanium nitride, exposing the workpiece to a second solution to remove titanium, and exposing the workpiece to a third solution to remove residual titanium nitride, if any. The solutions are formulated such that they may selectively remove titanium and/or titanium nitride, while not etching or not substantially etching certain other materials such as dielectric materials, oxides, and metals other than titanium.

摘要翻译： 公开了选择性蚀刻钛和氮化钛的方法。 在一些实施方案中，该方法包括将工件暴露于第一溶液以除去氮化钛，将工件暴露于第二溶液以除去钛，并将工件暴露于第三溶液以除去残留的氮化钛（如果有的话）。 这些溶液被配制成使得它们可以选择性地除去钛和/或氮化钛，同时不蚀刻或基本不蚀刻某些其他材料，例如电介质材料，氧化物和钛以外的金属。