公开(公告)号：US06087273A

公开(公告)日：2000-07-11

申请号：US236825

申请日：1999-01-25

申请人： Kevin J. Torek ,  Whonchee Lee

发明人： Kevin J. Torek ,  Whonchee Lee

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： An improved wet etchant process is provided which has greater selectivity than existing hot phosphoric acid etching processes and which maintains a high etch rate in use. The etchant composition includes a second acid having a boiling point higher than that of the phosphoric acid.

摘要翻译： 提供了一种改进的湿蚀刻工艺，其具有比现有的热磷酸蚀刻工艺更大的选择性，并且在使用中保持高的蚀刻速率。 蚀刻剂组合物包括沸点高于磷酸的第二种酸。

公开(公告)号：US5885903A

公开(公告)日：1999-03-23

申请号：US787205

申请日：1997-01-22

申请人： Kevin J. Torek ,  Whonchee Lee

发明人： Kevin J. Torek ,  Whonchee Lee

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： An improved wet etchant process is provided which has greater selectivity than existing hot phosphoric acid etching processes and which maintains a high etch rate in use. The etchant composition includes a second acid having a boiling point higher than that of the phosphoric acid.

公开(公告)号：US07977251B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12113825

申请日：2008-05-01

申请人： Whonchee Lee ,  Kevin J. Torek

发明人： Whonchee Lee ,  Kevin J. Torek

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C03C15/00 ,  H01L21/31111

摘要： Methods of selectively etching BPSG over TEOS are disclosed. In one embodiment, a TEOS layer may be used to prevent contamination of other components in a semiconductor device by the boron and phosphorous in a layer of BPSG deposited over the TEOS layer. An etchant of the present invention may be used to etch desired areas in the BPSG layer, wherein the high selectivity for BPSG to TEOS of etchant would result in the TEOS layer acting as an etch stop. A second etchant may be utilized to etch the TEOS layer. The second etchant may be less aggressive and, thus, not damage the components underlying the TEOS layer.

摘要翻译： 公开了通过TEOS选择性蚀刻BPSG的方法。 在一个实施例中，可以使用TEOS层来防止在沉积在TEOS层上的BPSG层中的硼和磷污染半导体器件中的其它部件。 本发明的蚀刻剂可以用于蚀刻BPSG层中的所需区域，其中对于蚀刻剂的BPSG至TEOS的高选择性将导致TEOS层用作蚀刻停止层。 可以使用第二蚀刻剂来蚀刻TEOS层。 第二种蚀刻剂可能较不具有侵蚀性，因此不会损害TEOS层下面的组分。

公开(公告)号：US20080233759A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US12113825

申请日：2008-05-01

申请人： Whonchee Lee ,  Kevin J. Torek

发明人： Whonchee Lee ,  Kevin J. Torek

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C03C15/00 ,  H01L21/31111

摘要： Methods of selectively etching BPSG over TEOS are disclosed. In one embodiment, a TEOS layer may be used to prevent contamination of other components in a semiconductor device by the boron and phosphorous in a layer of BPSG deposited over the TEOS layer. An etchant of the present invention may be used to etch desired areas in the BPSG layer, wherein the high selectivity for BPSG to TEOS of etchant would result in the TEOS layer acting as an etch stop. A second etchant may be utilized to etch the TEOS layer. The second etchant may be less aggressive and, thus, not damage the components underlying the TEOS layer.

摘要翻译： 公开了通过TEOS选择性蚀刻BPSG的方法。 在一个实施例中，可以使用TEOS层来防止在沉积在TEOS层上的BPSG层中的硼和磷污染半导体器件中的其它部件。 本发明的蚀刻剂可以用于蚀刻BPSG层中的所需区域，其中对于蚀刻剂的BPSG至TEOS的高选择性将导致TEOS层用作蚀刻停止层。 可以使用第二蚀刻剂来蚀刻TEOS层。 第二种蚀刻剂可能较不具有侵蚀性，因此不会损害TEOS层下面的组分。

公开(公告)号：US07378353B2

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：US11321111

申请日：2005-12-29

申请人： Whonchee Lee ,  Kevin J. Torek

发明人： Whonchee Lee ,  Kevin J. Torek

IPC分类号： H01I21/302

CPC分类号： C03C15/00 ,  H01L21/31111

摘要： An organic acid/fluoride-containing solution etchant having high selectivity for BPSG to TEOS. In an exemplary situation, a TEOS layer may be used to prevent contamination of other components in a semiconductor device by the boron and phosphorous in a layer of BPSG deposited over the TEOS layer. The etchant of the present invention may be used to etch desired areas in the BPSG layer, wherein the high selectivity for BPSG to TEOS of etchant would result in the TEOS layer acting as an etch stop. A second etch with a known etchant may be utilized to etch the TEOS layer. The known etchant for the second etch can be less aggressive and, thus, not damage the components underlying the TEOS layer.

摘要翻译： 具有对BOSG对TEOS具有高选择性的有机含酸/氟化物溶液蚀刻剂。 在示例性情况下，可以使用TEOS层来防止在沉积在TEOS层上的BPSG层中的硼和磷对半导体器件中的其它部件的污染。 本发明的蚀刻剂可用于蚀刻BPSG层中的所需区域，其中对于蚀刻剂的BPSG至TEOS的高选择性将导致TEOS层用作蚀刻停止层。 可以使用具有已知蚀刻剂的第二蚀刻来蚀刻TEOS层。 用于第二蚀刻的已知蚀刻剂可以较不具有侵蚀性，因此不会损坏TEOS层下面的部件。

公开(公告)号：US06232232B1

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：US09056323

申请日：1998-04-07

申请人： Whonchee Lee ,  Kevin J. Torek

发明人： Whonchee Lee ,  Kevin J. Torek

IPC分类号： H01L21465

CPC分类号： C03C15/00 ,  H01L21/31111

摘要： An organic acid/fluoride-containing solution etchant having high selectivity for BPSG to TEOS. In an exemplary situation, a TEOS layer may be used to prevent contamination of other components in a semiconductor device by the boron and phosphorous in a layer of BPSG deposited over the TEOS layer. The etchant of the present invention may be used to etch desired areas in the BPSG layer, wherein the high selectivity for BPSG to TEOS of etchant would result in the TEOS layer acting as an etch stop. A second etch with a known etchant may be utilized to etch the TEOS layer. The known etchant for the second etch can be less aggressive and, thus, not damage the components underlying the TEOS layer.

摘要翻译： 具有对BOSG对TEOS具有高选择性的有机含酸/氟化物溶液蚀刻剂。 在示例性情况下，可以使用TEOS层来防止在沉积在TEOS层上的BPSG层中的硼和磷对半导体器件中的其它部件的污染。 本发明的蚀刻剂可用于蚀刻BPSG层中的所需区域，其中对于蚀刻剂的BPSG至TEOS的高选择性将导致TEOS层用作蚀刻停止层。 可以使用具有已知蚀刻剂的第二蚀刻来蚀刻TEOS层。 用于第二蚀刻的已知蚀刻剂可以较不具有侵蚀性，因此不会损坏TEOS层下面的部件。

公开(公告)号：US08974655B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US12054077

申请日：2008-03-24

申请人： Wayne Huang ,  Whonchee Lee

发明人： Wayne Huang ,  Whonchee Lee

IPC分类号： C25F3/16 ,  B23H5/08 ,  H01L21/321

CPC分类号： C25F3/16 ,  B23H5/08 ,  H01L21/32125

摘要： A method of removing a material from a surface includes providing a substrate comprising a material having a surface, contacting the surface with a polishing medium, applying a voltage to the substrate to remove material from the surface, and changing the voltage during the removing material from the surface. An electro-chemical mechanical polishing method includes providing a substrate having a surface, applying a platen to the surface, applying a first voltage to the substrate, rotating the platen and surface relative to each other at a first rotational speed, increasing to a second voltage, and decreasing to a second rotational speed.

摘要翻译： 从表面去除材料的方法包括提供包括具有表面的材料的基板，使表面与抛光介质接触，向基板施加电压以从表面去除材料，以及将去除材料期间的电压从 表面。 一种电化学机械抛光方法，包括提供具有表面的基板，向表面施加压板，向基板施加第一电压，以第一转速相对于彼此旋转压板和表面，增加到第二电压 ，并减小到第二转速。

公开(公告)号：US08450214B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13599791

申请日：2012-08-30

申请人： Whonchee Lee ,  Janos Fucsko ,  David H. Wells

发明人： Whonchee Lee ,  Janos Fucsko ,  David H. Wells

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/30608 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00626 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10

摘要： A single crystal silicon etching method includes providing a single crystal silicon substrate having at least one trench therein. The substrate is exposed to a buffered fluoride etch solution which undercuts the silicon to provide lateral shelves when patterned in the direction. The resulting structure includes an undercut feature when patterned in the direction.

摘要翻译： 单晶硅蚀刻方法包括提供其中具有至少一个沟槽的单晶硅衬底。 将衬底暴露于缓冲的氟化物蚀刻溶液，其在<100>方向图案化时，其将硅切割以提供横向搁板。 当沿<100>方向图案化时，所得结构包括底切特征。

公开(公告)号：US08048756B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12731049

申请日：2010-03-24

申请人： Whonchee Lee ,  Scott G. Meikle ,  Guy T. Blalock

发明人： Whonchee Lee ,  Scott G. Meikle ,  Guy T. Blalock

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L28/65 ,  H01L28/91

摘要： A microelectronic substrate and method for removing adjacent conductive and nonconductive materials from a microelectronic substrate. In one embodiment, the microelectronic substrate includes a substrate material (such as borophosphosilicate glass) having an aperture with a conductive material (such as platinum) disposed in the aperture and a fill material (such as phosphosilicate glass) in the aperture adjacent to the conductive material. The fill material can have a hardness of about 0.04 GPa or higher, and a microelectronics structure, such as an electrode, can be disposed in the aperture, for example, after removing the fill material from the aperture. Portions of the conductive and fill material external to the aperture can be removed by chemically-mechanically polishing the fill material, recessing the fill material inwardly from the conductive material, and electrochemically-mechanically polishing the conductive material. The hard fill material can resist penetration by conductive particles, and recessing the fill material can provide for more complete removal of the conductive material external to the aperture.

摘要翻译： 一种用于从微电子衬底去除相邻的导电和非导电材料的微电子衬底和方法。 在一个实施例中，微电子衬底包括具有设置在孔中的导电材料（例如铂）的孔的衬底材料（例如硼磷硅酸盐玻璃）和邻近导电的孔中的填充材料（例如磷硅玻璃） 材料。 填充材料可以具有约0.04GPa或更高的硬度，并且例如在从孔中去除填充材料之后，诸如电极的微电子结构可以设置在孔中。 孔的外部的导电和填充材料的部分可以通过化学机械抛光填充材料，将填充材料从导电材料向内凹陷，以及电化学机械抛光导电材料来去除。 硬填充材料可以抵抗导电颗粒的渗透，并且凹陷填充材料可以提供更全面地去除孔的外部的导电材料。

公开(公告)号：US07972485B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12561824

申请日：2009-09-17

申请人： Whonchee Lee ,  Scott E. Moore ,  Scott G. Meikle

发明人： Whonchee Lee ,  Scott E. Moore ,  Scott G. Meikle

IPC分类号： C25F7/00

CPC分类号： B23H5/08 ,  B24B37/042 ,  C25F3/02 ,  C25F7/00

摘要： Methods and apparatuses for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate. An apparatus in accordance with one embodiment includes a support member configured to releasably carry a microelectronic substrate and first and second electrodes spaced apart from each other and from the microelectronic substrate. A polishing medium is positioned between the electrodes and the support member and has a polishing surface positioned to contact the microelectronic substrate. At least a portion of the first and second electrodes can be recessed from the polishing surface. A liquid, such as an electrolytic liquid, can be provided in the recess, for example, through flow passages in the electrodes and/or the polishing medium. A variable electrical signal is passed from at least one of the electrodes, through the electrolyte and to the microelectronic substrate to remove material from the substrate.

摘要翻译： 从微电子衬底机电和/或电化学机械去除导电材料的方法和装置。 根据一个实施例的装置包括被配置为可释放地携带微电子衬底和彼此间隔开的微电子衬底的第一和第二电极的支撑构件。 抛光介质位于电极和支撑构件之间，并且具有定位成接触微电子衬底的抛光表面。 第一和第二电极的至少一部分可以从抛光表面凹陷。 诸如电解液体的液体可以例如通过电极和/或抛光介质中的流动通道设置在凹部中。 可变电信号从至少一个电极通过电解质并传递到微电子衬底以从衬底去除材料。