公开(公告)号：US07846824B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US12050419

申请日：2008-03-18

申请人： Keyvan Kashefizadeh ,  Zhigang Xie ,  Ashish S. Bodke ,  Mei Chang

发明人： Keyvan Kashefizadeh ,  Zhigang Xie ,  Ashish S. Bodke ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/22

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/351 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/7685

摘要： Methods for forming titanium nitride layers are provided herein. In some embodiments, a method of forming a titanium nitride layer on a substrate may include providing a substrate into a processing chamber having a target comprising titanium disposed therein; supplying a nitrogen-containing gas into the processing chamber; sputtering a titanium source material from the target in the presence of a plasma formed from the nitrogen-containing gas to deposit a titanium nitride layer on the substrate; and upon depositing the titanium nitride layer to a desired thickness, forming a magnetic field that biases ions in the processing chamber away from the substrate.

摘要翻译： 本文提供了形成氮化钛层的方法。 在一些实施例中，在衬底上形成氮化钛层的方法可以包括将衬底提供到具有设置在其中的钛的靶的处理室中; 向处理室供应含氮气体; 在由含氮气体形成的等离子体存在下溅射钛源材料，以在衬底上沉积氮化钛层; 并且在将氮化钛层沉积到所需厚度之后，形成使处理室中的离子偏离衬底的磁场。

公开(公告)号：US20100006425A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12562607

申请日：2009-09-18

申请人： Xinyu Fu ,  Keyvan Kashefizadeh ,  Ashish Subhash Bodke ,  Winsor Lam ,  Yiochiro Tanaka ,  Wonwoo Kim

发明人： Xinyu Fu ,  Keyvan Kashefizadeh ,  Ashish Subhash Bodke ,  Winsor Lam ,  Yiochiro Tanaka ,  Wonwoo Kim

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76856

摘要： Methods of forming a barrier layer are provided. In one embodiment, the method includes providing a substrate into a physical vapor deposition (PVD) chamber, supplying at least two reactive gases and an inert gas into the PVD chamber, sputtering a source material from a target disposed in the processing chamber in the presence of a plasma formed from the gas mixture, and forming a metal containing dielectric layer on the substrate from the source material. In another embodiment, the method includes providing a substrate into a PVD chamber, supplying a reactive gas the PVD chamber, sputtering a source material from a target disposed in the PVD chamber in the presence of a plasma formed from the reactive gas, forming a metal containing dielectric layer on the substrate from the source material, and post treating the metal containing layer in presence of species generated from a remote plasma chamber.

摘要翻译： 提供形成阻挡层的方法。 在一个实施例中，该方法包括将衬底提供到物理气相沉积（PVD）室中，将至少两种反应性气体和惰性气体供应到PVD室中，在存在的情况下从设置在处理室中的靶溅射源材料 的由所述气体混合物形成的等离子体，并且从所述源材料在所述衬底上形成含金属的电介质层。 在另一个实施例中，该方法包括将衬底提供到PVD腔室中，在反应气体形成的等离子体存在下，将反应气体提供给PVD腔室，从设置在PVD腔室中的靶材溅射源材料，形成金属 在来自源材料的基板上含有介电层，并且在从远程等离子体室产生的物质存在下对金属含有层进行后处理。

公开(公告)号：US07618893B2

公开(公告)日：2009-11-17

申请号：US12041804

申请日：2008-03-04

申请人： Xinyu Fu ,  Keyvan Kashefizadeh ,  Ashish Subhash Bodke ,  Winsor Lam ,  Yiochiro Tanaka ,  Wonwoo Kim

发明人： Xinyu Fu ,  Keyvan Kashefizadeh ,  Ashish Subhash Bodke ,  Winsor Lam ,  Yiochiro Tanaka ,  Wonwoo Kim

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76856

摘要： Methods of forming a barrier layer are provided. In one embodiment, the method includes providing a substrate into a physical valor deposition (PVD) chamber, supplying at least two reactive gases and an inert gas into the PVD chamber, sputtering a source material from a target disposed in the processing chamber in the presence of a plasma formed from the gas mixture, and forming a metal containing dielectric layer on the substrate from the source material. In another embodiment, the method includes providing a substrate into a PVD chamber, supplying a reactive gas the PVD chamber, sputtering a source material from a target disposed in the PVD chamber in the presence of a plasma formed from the reactive gas, forming a metal containing dielectric layer on the substrate from the source material, and post treating the metal containing layer in presence of species generated from a remote plasma chamber.

摘要翻译： 提供形成阻挡层的方法。 在一个实施例中，该方法包括将衬底提供到物理气相沉积（PVD）室中，将至少两种反应性气体和惰性气体供应到PVD室中，在存在的情况下从设置在处理室中的靶溅射源材料 的由所述气体混合物形成的等离子体，并且从所述源材料在所述衬底上形成含金属的电介质层。 在另一个实施例中，该方法包括将衬底提供到PVD腔室中，在反应气体形成的等离子体存在下，将反应气体提供给PVD腔室，从设置在PVD腔室中的靶材溅射源材料，形成金属 在来自源材料的基板上含有介电层，并且在从远程等离子体室产生的物质存在下对金属含有层进行后处理。

公开(公告)号：US08168543B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12562607

申请日：2009-09-18

申请人： Xinyu Fu ,  Keyvan Kashefizadeh ,  Ashish Subhash Bodke ,  Winsor Lam ,  Yiochiro Tanaka ,  Wonwoo Kim

发明人： Xinyu Fu ,  Keyvan Kashefizadeh ,  Ashish Subhash Bodke ,  Winsor Lam ,  Yiochiro Tanaka ,  Wonwoo Kim

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76856

摘要： Methods of forming a barrier layer are provided. In one embodiment, the method includes providing a substrate into a physical vapor deposition (PVD) chamber, supplying at least two reactive gases and an inert gas into the PVD chamber, sputtering a source material from a target disposed in the processing chamber in the presence of a plasma formed from the gas mixture, and forming a metal containing dielectric layer on the substrate from the source material. In another embodiment, the method includes providing a substrate into a PVD chamber, supplying a reactive gas the PVD chamber, sputtering a source material from a target disposed in the PVD chamber in the presence of a plasma formed from the reactive gas, forming a metal containing dielectric layer on the substrate from the source material, and post treating the metal containing layer in presence of species generated from a remote plasma chamber.

摘要翻译： 提供形成阻挡层的方法。 在一个实施例中，该方法包括将衬底提供到物理气相沉积（PVD）室中，将至少两种反应性气体和惰性气体供应到PVD室中，在存在的情况下从设置在处理室中的靶溅射源材料 的由所述气体混合物形成的等离子体，并且从所述源材料在所述衬底上形成含金属的电介质层。 在另一个实施例中，该方法包括将衬底提供到PVD腔室中，在反应气体形成的等离子体存在下，将反应气体提供给PVD腔室，从设置在PVD腔室中的靶材溅射源材料，形成金属 在来自源材料的基板上含有介电层，并且在从远程等离子体室产生的物质存在下对金属含有层进行后处理。

公开(公告)号：US20090227105A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12041804

申请日：2008-03-04

申请人： Xinyu Fu ,  Keyvan Kashefizadeh ,  Ashish Subhash Bodke ,  Winsor Lam ,  Yiochiro Tanaka ,  Wonwoo Kim

发明人： Xinyu Fu ,  Keyvan Kashefizadeh ,  Ashish Subhash Bodke ,  Winsor Lam ,  Yiochiro Tanaka ,  Wonwoo Kim

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76856

摘要： Methods of forming a barrier layer are provided. In one embodiment, the method includes providing a substrate into a physical vapor deposition (PVD) chamber, supplying at least two reactive gases and an inert gas into the PVD processing chamber, sputtering a source material from a target disposed in the processing chamber in the presence of a plasma formed from the gas mixture, and forming a metal containing dielectric layer on the substrate from the source material. In another embodiment, the method includes providing a substrate into a PVD chamber, supplying a reactive gas the PVD chamber, sputtering a source material from a target disposed in the PVD chamber in the presence of a plasma formed from the reactive gas, forming a metal containing dielectric layer on the substrate from the source material, and post treating the metal containing layer in presence of species generated from a remote plasma chamber.

摘要翻译： 提供形成阻挡层的方法。 在一个实施例中，该方法包括将衬底提供到物理气相沉积（PVD）腔室中，将至少两种反应性气体和惰性气体供应到PVD处理腔室中，将来自设置在处理室中的靶的源材料溅射在 存在由气体混合物形成的等离子体，并且从源材料在衬底上形成含金属的电介质层。 在另一个实施例中，该方法包括将衬底提供到PVD腔室中，在反应气体形成的等离子体存在下，将反应气体提供给PVD腔室，从设置在PVD腔室中的靶材溅射源材料，形成金属 在来自源材料的基板上含有介电层，并且在从远程等离子体室产生的物质存在下对金属含有层进行后处理。