公开(公告)号：US08514621B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13089639

申请日：2011-04-19

申请人： Ki Hwan Choi ,  Sung Soo Lee ,  Jae-Woo Park ,  Sang-Hyun Joo

发明人： Ki Hwan Choi ,  Sung Soo Lee ,  Jae-Woo Park ,  Sang-Hyun Joo

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3436

摘要： A programming method for a nonvolatile memory device includes performing a LSB programming operation programming all LSB logical pages, and thereafter performing a MSB programming operation programming all MSB logical pages, wherein during the LSB programming operation a selected MLC is programmed to a negative intermediate program state. A program sequence for the LSB and MSB programming operations may be sequential or non-sequential in relation to an order arranged of word lines.

摘要翻译： 用于非易失性存储器件的编程方法包括执行编程所有LSB逻辑页的LSB编程操作，并且此后执行MSB编程操作编程所有MSB逻辑页，其中在LSB编程操作期间，所选择的MLC被编程为负的中间程序状态 。 用于LSB和MSB编程操作的程序序列可以是与字线布置的顺序相关或非顺序的。

公开(公告)号：US20120307561A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13327415

申请日：2011-12-15

申请人： Sang-Hyun Joo ,  Ki Hwan Choi ,  Moo Sung Kim

发明人： Sang-Hyun Joo ,  Ki Hwan Choi ,  Moo Sung Kim

IPC分类号： G11C16/10 ,  G06F12/16 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459

摘要： A non-volatile memory device includes access circuitry that selects a word line during an operation, applies a selected word line voltage to the selected word line, applies a non-selected word line voltage to non-selected word lines among the word lines, and applies a dummy word line voltage to the dummy word line. The dummy word line voltage is a first dummy word line voltage when the selected word line is not adjacent to the dummy word line and a second dummy word line voltage different from the first dummy word line voltage when the selected word line is adjacent to the dummy word line.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括在操作期间选择字线的存取电路，将所选择的字线电压施加到所选择的字线，将未被选择的字线电压施加到字线中的未被选择的字线;以及 对虚拟字线应用虚拟字线电压。 当所选字线与虚拟字线不相邻时，虚拟字线电压是第一虚拟字线电压，当所选字线与虚拟字线相邻时，虚拟字线电压与第一虚拟字线电压不同的第二虚拟字线电压 字线。

公开(公告)号：US07554386B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11962436

申请日：2007-12-21

申请人： Oh Suk Kwon ,  Ki Hwan Choi

发明人： Oh Suk Kwon ,  Ki Hwan Choi

IPC分类号： G05F1/10 ,  G05F3/02

CPC分类号： G11C5/145 ,  G11C16/30

摘要： A high voltage generation circuit for use with a semiconductor memory device includes a plurality of high voltage generation units and a control circuit. The high voltage generation units generate high voltages having different voltage levels in response to corresponding clock signals. The control circuit generates clock signals, which do not toggle simultaneously, based on the voltage levels of the high voltages.

摘要翻译： 与半导体存储器件一起使用的高电压产生电路包括多个高压发生单元和控制电路。 高电压发生单元响应于对应的时钟信号产生具有不同电压电平的高电压。 控制电路基于高电压的电压电平产生不同时触发的时钟信号。

公开(公告)号：US20100090079A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12519613

申请日：2007-12-27

申请人： Ki Hwan Choi

发明人： Ki Hwan Choi

IPC分类号： B60N3/10

CPC分类号： B60N3/106

摘要： The present invention relates to a cupholder for an automobile, in which a beverage container may be inserted regardless of the size or shape thereof by a pair of springs (140) and a supporting element rotating (130) upward or downward, and from which such a received beverage container may be smoothly separated without any interference or holding.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于汽车的杯架，其中饮料容器可以通过一对弹簧（140）和向上或向下旋转（130）的支撑元件而被插入而不管其尺寸或形状如何 接收到的饮料容器可以平滑地分离而没有任何干扰或保持。

公开(公告)号：US08811094B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13528886

申请日：2012-06-21

申请人： Ji-Sang Lee ,  Ki Hwan Choi

发明人： Ji-Sang Lee ,  Ki Hwan Choi

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/10 ,  G11C11/56 ,  G11C16/34 ,  G11C16/14

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3418

摘要： A non-volatile memory device, a data read method thereof and a recording medium are provided. The method includes receiving a data read command for a first word line in a memory cell array, reading data from a second word line adjacent to the first word line, and reading data from the first word line using a different voltage according to a state of the data read from the second word line. The number of read voltages used to distinguish an erased state and a first programmed state is greater than the number of read voltages used to distinguish a second programmed state and a third programmed state.

摘要翻译： 提供非易失性存储器件，其数据读取方法和记录介质。 该方法包括接收存储单元阵列中的第一字线的数据读取命令，从与第一字线相邻的第二字线读取数据，以及根据第一字线的状态从第一字线读取数据，使用不同的电压 从第二个字线读取数据。 用于区分擦除状态和第一编程状态的读取电压的数量大于用于区分第二编程状态和第三编程状态的读取电压的数量。

公开(公告)号：US20080191786A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11962479

申请日：2007-12-21

申请人： Oh Suk Kwon ,  Ki Hwan Choi

发明人： Oh Suk Kwon ,  Ki Hwan Choi

IPC分类号： G05F3/02

CPC分类号： H02M3/073 ,  H02M2003/077

摘要： A high voltage generation circuit includes a delay circuit configured to generate multiple delay clock signals based on a clock signal. The delay clock signals include corresponding different predetermined delay times. The high voltage generation circuit further includes multiple pumps corresponding to the delay clock signals. The pumps are configured to perform a charge pumping operation in response to the corresponding delay clock signals to generate a high voltage.

摘要翻译： 高电压产生电路包括：延迟电路，被配置为基于时钟信号产生多个延迟时钟信号。 延迟时钟信号包括相应的不同的预定延迟时间。 高电压发生电路还包括对应于延迟时钟信号的多个泵。 泵被配置为响应于相应的延迟时钟信号执行电荷泵送操作以产生高电压。