公开(公告)号：US20070041609A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11421019

申请日：2006-05-30

申请人： Ki-Suk CHUNG ,  Chung-Sam JUN ,  Yu-Sin YANG ,  Byung-Sug LEE ,  Ji-Young SHIN ,  Tae-Sung KIM

发明人： Ki-Suk CHUNG ,  Chung-Sam JUN ,  Yu-Sin YANG ,  Byung-Sug LEE ,  Ji-Young SHIN ,  Tae-Sung KIM

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T7/0004

摘要： A method of classifying defects of an object includes irradiating multi-wavelength light onto the object, splitting light reflected from the object into light beams, each of the light beams having different wavelengths, obtaining image information of the object based on each of the light beams, forming a characteristic matrix that represent the wavelengths and the image information, and analyzing the characteristic matrix to determine types of the defects on the object. Thus, the defects may be accurately classified using a difference between reactivity of each of the defects in accordance with variations of the wavelengths and inspection conditions.

摘要翻译： 对物体的缺陷进行分类的方法包括将多波长光照射到物体上，将从物体反射的光分成光束，每个光束具有不同的波长，基于每个光束获得物体的图像信息 ，形成表示波长和图像信息的特征矩阵，并且分析特征矩阵以确定对象上的缺陷的类型。 因此，可以使用根据波长的变化和检查条件的每个缺陷的反应性之间的差异来精确地分类缺陷。

公开(公告)号：US20070023834A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11461312

申请日：2006-07-31

申请人： Mi-Sung LEE ,  Yu-Sin YANG ,  Chung-Sam JUN ,  Byung-Sug LEE

发明人： Mi-Sung LEE ,  Yu-Sin YANG ,  Chung-Sam JUN ,  Byung-Sug LEE

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： G01R31/2648 ,  G01R29/12 ,  G01R31/2656

摘要： In a method of measuring a surface voltage of an insulating layer, the number of times that surface voltages are measured in a depletion region increases so that precise data about the depletion region may be obtained. The number of times that the surface voltages are measured in an accumulation region and an inversion region decreases so that the data about the depletion region may be rapidly obtained.

摘要翻译： 在测量绝缘层的表面电压的方法中，在耗尽区中测量表面电压的次数增加，从而可以获得关于耗尽区的精确数据。 在积累区域和反转区域中测量表面电压的次数减少，从而可以快速获得关于耗尽区域的数据。

公开(公告)号：US20160025654A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：US14795396

申请日：2015-07-09

申请人： Joon-Seo SONG ,  Woo-seok KO ,  Ji-Young SHIN ,  Seong-Jin YUN ,  Yu-Sin YANG ,  Sang-Kil LEE ,  Chung-Sam JUN

发明人： Joon-Seo SONG ,  Woo-seok KO ,  Ji-Young SHIN ,  Seong-Jin YUN ,  Yu-Sin YANG ,  Sang-Kil LEE ,  Chung-Sam JUN

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/88

CPC分类号： G01N21/9505 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/95692 ,  G01N2201/061

摘要： Example embodiments relate to an apparatus and method for inspecting a substrate defect. The substrate defect inspecting apparatus includes a substrate, a light source emitting an infrared beam to the substrate, a detector detecting the infrared beam reflected from the substrate, and a defect analyzer receiving first information and second information from the detector and analyzing defects existing in the substrate. According to at least one example embodiment, the second information is acquired during a later process than the first information.

摘要翻译： 示例性实施例涉及用于检查衬底缺陷的装置和方法。 基板缺陷检查装置包括基板，向基板发射红外光束的光源，检测从基板反射的红外光束的检测器和从检测器接收第一信息和第二信息的缺陷分析器，并分析存在于 基质。 根据至少一个示例性实施例，在稍后的处理中获取第二信息而不是第一信息。

公开(公告)号：US20070190438A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11675016

申请日：2007-02-14

申请人： Kye-Weon KIM ,  Yu-Sin YANG ,  Chung-Sam JUN ,  Yong-Wan KIM

发明人： Kye-Weon KIM ,  Yu-Sin YANG ,  Chung-Sam JUN ,  Yong-Wan KIM

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03C5/00 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70191 ,  G03B27/72 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625

摘要： In an embodiment, a method of controlling a light intensity includes measuring a critical dimension distribution of a pattern on a substrate. The critical dimension distribution is formed using a first illumination having a first intensity distribution, which is irradiated onto the substrate through a photo mask. A second intensity distribution of the first illumination by regions of the photo mask, which is used for forming a pattern having uniform dimensions on the substrate, is then obtained based on a relation between the first intensity distribution and the critical dimension distribution. The first illumination having the first intensity distribution is converted into a second illumination having the second intensity distribution as by interposing an array of light controlling elements (e.g., LCD pixels, or motorized polarizing elements) within the light path.

摘要翻译： 在一个实施例中，控制光强度的方法包括测量衬底上图案的临界尺寸分布。 临界尺寸分布使用具有第一强度分布的第一照明形成，其通过光掩模照射到基底上。 基于第一强度分布和临界尺寸分布之间的关系，获得第一照明的第二强度分布，该区域用于形成具有均匀尺寸的图案的光掩模的区域。 具有第一强度分布的第一照明通过在光路内插入光控制元件（例如，LCD像素或电动偏振元件）的阵列而被转换成具有第二强度分布的第二照明。

公开(公告)号：US20160097513A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14872228

申请日：2015-10-01

申请人： Sung-Yoon RYU ,  Woo-Seok KO ,  Yu-Sin YANG ,  Sang-Kil LEE ,  Chung-Sam JUN ,  Seong-Jin YUN

发明人： Sung-Yoon RYU ,  Woo-Seok KO ,  Yu-Sin YANG ,  Sang-Kil LEE ,  Chung-Sam JUN ,  Seong-Jin YUN

IPC分类号： F21V7/04 ,  H01S3/00 ,  F21V7/08

CPC分类号： H01S3/0071 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/956

摘要： A broadband light source includes a first electrodeless lamp to generate first broadband light from plasma, a first elliptical reflector having first and second focuses, the first elliptical reflector enclosing a rear portion of the first electrodeless lamp positioned at the first focus of the first elliptical reflector such that the first broadband light is reflected from the first elliptical reflector toward a light collector as a collective light, a symmetrically curved reflector having a third focus, the symmetrically curved reflector positioned such that the third focus is coincident with one of the first and second focuses, and a laser irradiator to provide a laser beam to the first electrodeless lamp.

摘要翻译： 宽带光源包括第一无电极灯以产生来自等离子体的第一宽带光，具有第一和第二焦点的第一椭圆形反射器，第一椭圆形反射器包围位于第一椭圆形反射器的第一焦点处的第一无电极灯的后部 使得第一宽带光从第一椭圆形反射器朝向聚光器反射，作为集体光，具有第三焦点的对称弯曲反射器，对称弯曲的反射器被定位成使得第三焦点与第一和第二光焦度中的一个重合 焦点和激光照射器，以向第一无电极灯提供激光束。

公开(公告)号：US20160013109A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：US14796478

申请日：2015-07-10

申请人： Seong-Jin YUN ,  Woo-Seok KO ,  Yu-Sin YANG ,  Sang-Kil LEE ,  Chung-Sam JUN

发明人： Seong-Jin YUN ,  Woo-Seok KO ,  Yu-Sin YANG ,  Sang-Kil LEE ,  Chung-Sam JUN

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01J37/26

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01J37/222 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/2617 ,  H01J2237/2817

摘要： An overlay measuring method includes irradiating an electron beam onto a sample, including a multi-layered structure of overlapped upper and lower patterns formed thereon, to obtain an actual image of the upper and lower patterns. A first image representing the upper pattern and a second image representing the lower pattern are obtained from the actual image. A reference position for the upper and lower patterns is determined from a design image of the upper and lower patterns. A position deviation of the upper pattern with respect to the reference position in the first image and a position deviation of the lower pattern with respect to the reference position in the second image are calculated to determine an overlay between the upper pattern and the lower pattern.

摘要翻译： 覆盖测量方法包括将电子束照射到样品上，包括形成在其上的重叠的上下图案的多层结构，以获得上下图案的实际图像。 从实际图像中获得代表上部图案的第一图像和表示较低图案的第二图像。 根据上下图案的设计图像确定上下图案的参考位置。 计算上部图形相对于第一图像中的基准位置的位置偏差和下部图形相对于第二图像中的基准位置的位置偏差，以确定上部图案和下部图案之间的叠加。

公开(公告)号：US20070030478A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11461726

申请日：2006-08-01

申请人： Moon-Kyung KIM ,  Chung-Sam JUN ,  Yu-Sin YANG

发明人： Moon-Kyung KIM ,  Chung-Sam JUN ,  Yu-Sin YANG

IPC分类号： G01N21/88

CPC分类号： G01N21/9501

摘要： A defect inspecting apparatus includes a first support unit supporting a standard sample having standard defects, a second support unit supporting a wafer having target defects, a light source irradiating an incident light to the standard sample or the wafer, a light receiving part collecting reflection light reflected from the standard sample and the wafer, a detection part detecting the standard defects and the target defects by using the reflection light, a comparing part comparing information obtained using the reflection light reflected from the standard sample with a predetermined standard information of the standard defects to confirm a reliability of a step for detecting the target defects and a determination portion determining whether the step is allowed to be performed or not.

摘要翻译： 缺陷检查装置包括支撑具有标准缺陷的标准样品的第一支撑单元，支撑具有目标缺陷的晶片的第二支撑单元，向标准样品或晶片照射入射光的光源，收集反射光的光接收部 从标准样品和晶片反射的检测部分，通过使用反射光检测标准缺陷和目标缺陷的检测部分，将使用从标准样品反射的反射光获得的信息与标准缺陷的预定标准信息进行比较的比较部分 以确认用于检测目标缺陷的步骤的可靠性，并且确定部分确定是否允许执行该步骤。

公开(公告)号：US20070120054A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11564726

申请日：2006-11-29

申请人： Young-Jee YOON ,  Jung-Taek LIM ,  Tae-Sung KIM ,  Chung-Sam JUN ,  Sung-Hong PARK

发明人： Young-Jee YOON ,  Jung-Taek LIM ,  Tae-Sung KIM ,  Chung-Sam JUN ,  Sung-Hong PARK

IPC分类号： G01N23/00

CPC分类号： G01N23/203

摘要： In an embodiment, a method of scanning a substrate, and a method and an apparatus for analyzing crystal characteristics are disclosed. A sequential scan on the scan areas using a first electron beam and a second electron beam are repeatedly performed. The electrons accumulated in the scan areas by the first electron beam are removed from the scan areas by the second electron beam. When a size of the scan area is substantially the same as a spot size of the first electron beam, adjacent scan areas partially overlap each other. When each of the scan areas is larger than a spot size of the first electron beam, the adjacent scan areas do not overlap each other. Images of the scan areas are generated using back-scattered electrons emitted from each of the scan areas by irradiating the first electron beam to analyze crystal characteristics of circuit patterns on the substrate.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了一种扫描衬底的方法，以及用于分析晶体特性的方法和装置。 使用第一电子束和第二电子束对扫描区域进行顺序扫描。 通过第二电子束从扫描区域去除由第一电子束累积在扫描区域中的电子。 当扫描区域的尺寸与第一电子束的光斑尺寸基本相同时，相邻的扫描区域彼此部分重叠。 当每个扫描区域大于第一电子束的光斑尺寸时，相邻的扫描区域彼此不重叠。 通过照射第一电子束来分析从每个扫描区域发射的背散射电子来分析扫描区域的图像，以分析衬底上的电路图案的晶体特性。

公开(公告)号：US20070022815A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11428804

申请日：2006-07-05

申请人： Kwang-Soo KIM ,  Chung-Sam JUN

发明人： Kwang-Soo KIM ,  Chung-Sam JUN

IPC分类号： G01N29/04

CPC分类号： G01N29/48 ,  G01N29/043 ,  G01N29/223 ,  G01N2291/0421 ,  G01N2291/0422 ,  G01N2291/044 ,  G01N2291/056 ,  G01N2291/101

摘要： A method of inspecting a substrate is provided comprising applying ultrasonic waves to a substrate, receiving echo pulse signals transmitted through the substrate, and analyzing received echo pulse signals to detect defects in the substrate. Thus, defects in the substrate may be detected.

摘要翻译： 提供一种检查基板的方法，包括向基板施加超声波，接收通过基板传输的回波脉冲信号，以及分析接收到的回波脉冲信号以检测基板中的缺陷。 因此，可以检测衬底中的缺陷。

公开(公告)号：US20070184565A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11566637

申请日：2006-12-04

申请人： Hwan-Shik PARK ,  Sung-Gon KIM ,  Chung-Sam JUN ,  Kye-Weon KIM ,  Jang-Ik PARK ,  Won-Kwan SONG

发明人： Hwan-Shik PARK ,  Sung-Gon KIM ,  Chung-Sam JUN ,  Kye-Weon KIM ,  Jang-Ik PARK ,  Won-Kwan SONG

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12

摘要： Embodiments of a test pattern and a method for measuring silicon etching depth are provided. After a contact-hole forming process, an optical critical dimension (OCD) is measured with respect to a test pattern formed on a semiconductor chip, so that the silicon etching depth may be analyzed in real time. Critical dimensions of contact holes in the actual working cells of the semiconductor circuit would then coincide with the OCD measurement of the contact holes of the test pattern. Consequently, etching conditions for forming a contact hole may be controlled in real time, and thus a yield of a semiconductor can be effectively improved.

摘要翻译： 提供测试图案的实施例和测量硅蚀刻深度的方法。 在接触孔形成处理之后，相对于形成在半导体芯片上的测试图案测量光临界尺寸（OCD），使得可以实时分析硅蚀刻深度。 半导体电路的实际工作单元中的接触孔的临界尺寸将与测试图案的接触孔的OCD测量重合。 因此，可以实时地控制用于形成接触孔的蚀刻条件，从而可以有效地提高半导体的产量。