公开(公告)号：US06924219B1

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10849920

申请日：2004-05-21

申请人： Kuo-Tung Chu ,  Li-Wei Cheng

发明人： Kuo-Tung Chu ,  Li-Wei Cheng

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/2807 ,  H01L21/32055

摘要： A method for forming a polysilicon germanium layer on a gate oxide layer without forming a polysilicon seed layer previously is disclosed. The method uses a chemical vapor deposition process at a temperature range between about 500° C. to about 600° C. by using a Si2H6 (disilane) gas and a germanium-containing gas as precursors to form a polysilicon germanium layer on a gate dielectric layer as a gate electrode layer. The polysilicon germanium layer directly formed on the gate dielectric layer has a smooth surface.

摘要翻译： 公开了一种在不形成多晶硅种子层的情况下在栅极氧化物层上形成多晶硅锗层的方法。 该方法在约500℃至约600℃的温度范围内使用化学气相沉积工艺，使用Si 2 H 6 H 6（乙硅烷）气体和 作为前驱体的含锗气体作为栅极电极层在栅极电介质层上形成多晶硅锗层。 直接形成在栅介质层上的多晶硅锗层具有光滑的表面。

公开(公告)号：US20150042519A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：US14454723

申请日：2014-08-08

申请人： Li-Wei Cheng ,  Hung-Sung Pan

发明人： Li-Wei Cheng ,  Hung-Sung Pan

IPC分类号： H01Q1/24

CPC分类号： H01Q1/243 ,  H04B1/3838 ,  H04M1/0202 ,  H04M2250/12

摘要： A handheld electronic device includes a main body, an antenna, a gravity sensor and a control circuit. The main body has an operation surface. The operation surface has a first side and a second side opposite to each other. The antenna is disposed in the main body and located near the first side. The gravity sensor is disposed in the main body and capable of sensing a tilted state of the main body relative to a gravity direction. The control circuit is electrically connected to the antenna and the gravity sensor. When a position of the first side is higher than a position of the second side and an included angle between the operation surface and the gravity direction is between 0 degree and a predetermined value, the control circuit increases power of the antenna.

摘要翻译： 手持电子设备包括主体，天线，重力传感器和控制电路。 主体有操作面。 操作面具有彼此相对的第一侧和第二侧。 天线设置在主体中并位于第一侧附近。 重力传感器设置在主体中并且能够感测主体相对于重力方向的倾斜状态。 控制电路电连接到天线和重力传感器。 当第一侧的位置高于第二侧的位置，并且操作表面和重力方向之间的夹角在0度和预定值之间时，控制电路增加天线的功率。

公开(公告)号：US20110012205A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12889410

申请日：2010-09-24

申请人： Chien-Ting Lin ,  Che-Hua Hsu ,  Li-Wei Cheng

发明人： Chien-Ting Lin ,  Che-Hua Hsu ,  Li-Wei Cheng

IPC分类号： H01L29/49

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A metal gate structure is disclosed. The metal gate structure includes: a semiconductor substrate having an active region and an isolation region; an isolation structure disposed in the isolation region; a first gate structure disposed on the active region; and a second gate structure disposed on the isolation structure, wherein the height of the second gate structure is different from the height of the first gate structure.

摘要翻译： 公开了一种金属栅极结构。 金属栅极结构包括：具有有源区和隔离区的半导体衬底; 设置在所述隔离区域中的隔离结构; 设置在所述有源区上的第一栅极结构; 以及设置在所述隔离结构上的第二栅极结构，其中所述第二栅极结构的高度不同于所述第一栅极结构的高度。

公开(公告)号：US20100317182A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12862799

申请日：2010-08-25

申请人： Tian-Fu Chiang ,  Li-Wei Cheng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Hao Yu ,  Cheng-Hsien Chou ,  Chien-Ming Lai ,  Yi-Wen Chen ,  Chien-Ting Lin ,  Guang-Hwa Ma

发明人： Tian-Fu Chiang ,  Li-Wei Cheng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Hao Yu ,  Cheng-Hsien Chou ,  Chien-Ming Lai ,  Yi-Wen Chen ,  Chien-Ting Lin ,  Guang-Hwa Ma

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： A method for forming a semiconductor element structure is provided. First, a substrate including a first MOS and a second MOS is provided. The gate electrode of the first MOS is connected to the gate electrode of the second MOS, wherein the first MOS includes a first high-K material and a first metal for use in a first gate, and a second MOS includes a second high-K material and a second metal for use in a second gate. Then the first gate and the second gate are partially removed to form a connecting recess. Afterwards, the connecting recess is filled with a conductive material to form a bridge channel for electrically connecting the first metal and the second metal.

摘要翻译： 提供一种形成半导体元件结构的方法。 首先，提供包括第一MOS和第二MOS的基板。 第一MOS的栅电极连接到第二MOS的栅电极，其中第一MOS包括第一高K材料和用于第一栅极的第一金属，第二MOS包括第二高K 材料和用于第二栅极的第二金属。 然后，第一栅极和第二栅极被部分地去除以形成连接凹部。 之后，用导电材料填充连接凹部，以形成用于电连接第一金属和第二金属的桥接通道。

公开(公告)号：US07745889B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12395715

申请日：2009-03-02

申请人： Chin-Hsiang Lin ,  Chia-Jung Hsu ,  Li-Wei Cheng

发明人： Chin-Hsiang Lin ,  Chia-Jung Hsu ,  Li-Wei Cheng

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/7833

摘要： A metal oxide semiconductor (MOS) transistor with a Y structure metal gate is provided. The MOS transistor includes a substrate, a Y structure metal gate positioned on the substrate, two doping regions disposed in the substrate on two sides of the Y structure metal structure, a spacer, an insulating layer positioned outside the spacer, a dielectric layer positioned outside the insulating layer and a bevel edge covering the spacer. The spacer has a vertical sidewall, and the vertical sidewall surrounds a recess. A part of the Y structure metal gate is disposed in the recess, and a part of the Y structure metal gate is positioned on the bevel edge.

摘要翻译： 提供具有Y结构金属栅极的金属氧化物半导体（MOS）晶体管。 MOS晶体管包括衬底，位于衬底上的Y结构金属栅极，在Y结构金属结构的两侧设置在衬底中的两个掺杂区域，间隔物，位于间隔物外部的绝缘层，位于外部的电介质层 绝缘层和覆盖间隔件的斜边缘。 间隔件具有垂直侧壁，并且垂直侧壁围绕凹部。 Y结构金属栅极的一部分设置在凹部中，并且Y结构金属栅极的一部分位于斜面边缘上。

公开(公告)号：US07335607B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US11307043

申请日：2006-01-20

申请人： Po-Lun Cheng ,  Li-Wei Cheng

发明人： Po-Lun Cheng ,  Li-Wei Cheng

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/518 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513

摘要： A method of forming a gate dielectric is described. A plasma treatment process is performed to form a dielectric structure on a substrate, wherein the dielectric structure having a graded dielectric constant value that decreases gradually in a direction toward the substrate.

摘要翻译： 描述形成栅极电介质的方法。 执行等离子体处理工艺以在衬底上形成电介质结构，其中介电结构具有在朝向衬底的方向上逐渐降低的渐变介电常数值。

公开(公告)号：US20120064679A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13304409

申请日：2011-11-25

申请人： Chih-Hao Yu ,  Li-Wei Cheng ,  Che-Hua Hsu ,  Cheng-Hsien Chou ,  Tian-Fu Chiang ,  Chien-Ming Lai ,  Yi-Wen Chen ,  Jung-Tsung Tseng ,  Chien-Ting Lin ,  Guang-Hwa Ma

发明人： Chih-Hao Yu ,  Li-Wei Cheng ,  Che-Hua Hsu ,  Cheng-Hsien Chou ,  Tian-Fu Chiang ,  Chien-Ming Lai ,  Yi-Wen Chen ,  Jung-Tsung Tseng ,  Chien-Ting Lin ,  Guang-Hwa Ma

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method for fabricating metal gate transistor is disclosed. First, a substrate having a first transistor region and a second transistor region is provided. Next, a stacked film is formed on the substrate, in which the stacked film includes at least one high-k dielectric layer and a first metal layer. The stacked film is patterned to form a plurality of gates in the first transistor region and the second transistor region, a dielectric layer is formed on the gates, and a portion of the dielectric layer is planarized until reaching the top of each gates. The first metal layer is removed from the gate of the second transistor region, and a second metal layer is formed over the surface of the dielectric layer and each gate for forming a plurality of metal gates in the first transistor region and the second transistor region.

摘要翻译： 公开了一种用于制造金属栅极晶体管的方法。 首先，提供具有第一晶体管区域和第二晶体管区域的衬底。 接下来，在基板上形成层叠膜，其中层叠膜包括至少一个高k电介质层和第一金属层。 图案化层叠的膜以在第一晶体管区域和第二晶体管区域中形成多个栅极，在栅极上形成电介质层，并且介电层的一部分被平坦化，直到到达每个栅极的顶部。 第一金属层从第二晶体管区域的栅极去除，并且第二金属层形成在电介质层的表面上，每个栅极用于在第一晶体管区域和第二晶体管区域中形成多个金属栅极。

公开(公告)号：US07932146B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US12052728

申请日：2008-03-20

申请人： Yi-Wen Chen ,  Li-Wei Cheng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Hao Yu ,  Cheng-Hsien Chou ,  Chien-Ming Lai ,  Tian-Fu Chiang ,  Chien-Ting Lin ,  Guang-Hwa Ma

发明人： Yi-Wen Chen ,  Li-Wei Cheng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Hao Yu ,  Cheng-Hsien Chou ,  Chien-Ming Lai ,  Tian-Fu Chiang ,  Chien-Ting Lin ,  Guang-Hwa Ma

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating metal gate transistors and a polysilicon resistor is disclosed. First, a substrate having a transistor region and a resistor region is provided. A polysilicon layer is then formed on the substrate to cover the transistor region and the resistor region of the substrate. Next, a portion of the polysilicon layer disposed in the resistor is removed, and the remaining polysilicon layer is patterned to create a step height between the surface of the polysilicon layer disposed in the transistor region and the surface of the polysilicon layer disposed in the resistor region.

摘要翻译： 公开了一种用于制造金属栅极晶体管和多晶硅电阻器的方法。 首先，提供具有晶体管区域和电阻器区域的基板。 然后在衬底上形成多晶硅层以覆盖衬底的晶体管区域和电阻器区域。 接下来，去除设置在电阻器中的多晶硅层的一部分，并且对剩余的多晶硅层进行图案化以在布置在晶体管区域中的多晶硅层的表面和设置在电阻器中的多晶硅层的表面之间产生台阶高度 地区。

公开(公告)号：US07920386B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12436856

申请日：2009-05-07

申请人： Lu-Lung Tsao ,  Cheng-Yuan Yang ,  Li-Wei Cheng

发明人： Lu-Lung Tsao ,  Cheng-Yuan Yang ,  Li-Wei Cheng

IPC分类号： H05K5/00

CPC分类号： H05K5/0278

摘要： An electronic device is provided. The electronic device includes a housing, a rotating mechanism and a first rotating member. The rotating mechanism, rotatably disposed in the housing, rotatable along a first direction and a second direction different from the first direction. The first rotating member, disposed on the housing, rotatable between a first position and a second position. When the first rotating member is in the first position, the first rotating member engages with the rotating mechanism. When the rotating mechanism rotates along the first direction, the rotating mechanism is separated from the first rotating member, whereinafter, the first rotating member is able to rotate from the first position to the second position.

摘要翻译： 提供电子设备。 电子设备包括壳体，旋转机构和第一旋转构件。 可旋转地设置在壳体中的旋转机构可沿第一方向和与第一方向不同的第二方向旋转。 设置在壳体上的第一旋转构件可在第一位置和第二位置之间旋转。 当第一旋转构件处于第一位置时，第一旋转构件与旋转机构接合。 当旋转机构沿着第一方向旋转时，旋转机构与第一旋转构件分离，其后，第一旋转构件能够从第一位置旋转到第二位置。

公开(公告)号：US20110018072A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12894130

申请日：2010-09-29

申请人： Chien-Ting Lin ,  Li-Wei Cheng ,  Jung-Tsung Tseng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Hao Yu ,  Tian-Fu Chiang ,  Yi-Wen Chen ,  Chien-Ming Lai ,  Cheng-Hsien Chou

发明人： Chien-Ting Lin ,  Li-Wei Cheng ,  Jung-Tsung Tseng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Hao Yu ,  Tian-Fu Chiang ,  Yi-Wen Chen ,  Chien-Ming Lai ,  Cheng-Hsien Chou

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/926

摘要： A metal gate transistor is disclosed. The metal gate transistor preferably includes: a substrate, a metal gate disposed on the substrate, and a source/drain region disposed in the substrate with respect to two sides of the metal gate. The metal gate includes a U-shaped high-k dielectric layer, a U-shaped cap layer disposed over the surface of the U-shaped high-k dielectric layer, and a U-shaped metal layer disposed over the U-shaped cap layer.

摘要翻译： 公开了一种金属栅极晶体管。 金属栅极晶体管优选地包括：衬底，设置在衬底上的金属栅极和相对于金属栅极的两侧设置在衬底中的源极/漏极区域。 金属栅极包括U形高k电介质层，设置在U形高k电介质层表面上的U形盖层和设置在U形盖层上的U形金属层 。