公开(公告)号：US20120083118A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13179382

申请日：2011-07-08

申请人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

发明人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/505 ,  C23C14/546 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

摘要： Apparatus and methods for evaporating metal onto semiconductor wafers are disclosed. One such apparatus can include an evaporation chamber that includes a wafer holder, such as a dome, and a test wafer holder that is separate and spaced apart from the wafer holder. In certain implementations, the test wafer can be coupled to a cross beam supporting at least one shaper. A metal can be evaporated onto production wafers positioned in the wafer holder while metal is evaporated on a test wafer positioned in a test wafer holder. In some instances, the production wafers can be GaAs wafers. The test wafer can be used to make a quality assessment about the production wafers.

摘要翻译： 公开了将金属蒸发到半导体晶片上的装置和方法。 一种这样的设备可以包括蒸发室，其包括晶片保持器，例如圆顶，以及与晶片保持器分离并间隔开的测试晶片保持器。 在某些实施方案中，测试晶片可以耦合到支撑至少一个整形器的横梁。 金属可以被蒸发到位于晶片保持器中的生产晶片上，同时金属在位于测试晶片保持器中的测试晶片上蒸发。 在某些情况下，生产晶片可以是GaAs晶片。 测试晶片可用于对生产晶圆进行质量评估。

公开(公告)号：US08022448B1

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12898632

申请日：2010-10-05

申请人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

发明人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/505 ,  C23C14/546 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

摘要： Apparatus and methods for evaporating metal onto semiconductor wafers are disclosed. One such apparatus can include an evaporation chamber that includes a wafer holder, such as a dome, and a test wafer holder that is separate and spaced apart from the wafer holder. In certain implementations, the test wafer can be coupled to a cross beam supporting at least one shaper. A metal can be evaporated onto production wafers positioned in the wafer holder while metal is evaporated on a test wafer positioned in a test wafer holder. In some instances, the production wafers can be GaAs wafers. The test wafer can be used to make a quality assessment about the production wafers.

摘要翻译： 公开了将金属蒸发到半导体晶片上的装置和方法。 一种这样的设备可以包括蒸发室，其包括晶片保持器，例如圆顶，以及与晶片保持器分离并间隔开的测试晶片保持器。 在某些实施方案中，测试晶片可以耦合到支撑至少一个整形器的横梁。 金属可以被蒸发到位于晶片保持器中的生产晶片上，同时金属在位于测试晶片保持器中的测试晶片上蒸发。 在某些情况下，生产晶片可以是GaAs晶片。 测试晶片可用于对生产晶圆进行质量评估。

公开(公告)号：US08481344B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13179382

申请日：2011-07-08

申请人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

发明人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

IPC分类号： H01L21/687 ,  C23C14/54

CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/505 ,  C23C14/546 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

摘要： Apparatus and methods for evaporating metal onto semiconductor wafers are disclosed. One such apparatus can include an evaporation chamber that includes a wafer holder, such as a dome, and a test wafer holder that is separate and spaced apart from the wafer holder. In certain implementations, the test wafer can be coupled to a cross beam supporting at least one shaper. A metal can be evaporated onto production wafers positioned in the wafer holder while metal is evaporated on a test wafer positioned in a test wafer holder. In some instances, the production wafers can be GaAs wafers. The test wafer can be used to make a quality assessment about the production wafers.

摘要翻译： 公开了将金属蒸发到半导体晶片上的装置和方法。 一种这样的设备可以包括蒸发室，其包括晶片保持器，例如圆顶，以及与晶片保持器分离并间隔开的测试晶片保持器。 在某些实施方案中，测试晶片可以耦合到支撑至少一个整形器的横梁。 金属可以被蒸发到位于晶片保持器中的生产晶片上，同时金属在位于测试晶片保持器中的测试晶片上蒸发。 在某些情况下，生产晶片可以是GaAs晶片。 测试晶片可用于对生产晶圆进行质量评估。

公开(公告)号：US20120083050A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13186356

申请日：2011-07-19

申请人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

发明人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/68764 ,  C23C14/044 ,  C23C14/24 ,  C23C14/546 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68771

摘要： Apparatus and methods for detecting evaporation conditions in an evaporator for evaporating metal onto semiconductor wafers, such as GaAs wafers, are disclosed. One such apparatus can include a crystal monitor sensor configured to detect metal vapor associated with a metal source prior to metal deposition onto a semiconductor wafer. This apparatus can also include a shutter configured to remain in a closed position when the crystal monitor sensor detects an undesired condition, so as to prevent metal deposition onto the semiconductor wafer. In some implementations, the undesired condition can be indicative of a composition of a metal source, a deposition rate of a metal source, impurities of a metal source, position of a metal source, position of an electron beam, and/or intensity of an electron beam.

摘要翻译： 公开了一种用于检测用于将金属蒸发到诸如GaAs晶片的半导体晶片上的蒸发器中的蒸发条件的装置和方法。 一种这样的设备可以包括晶体监视器传感器，其被配置为在金属沉积到半导体晶片之前检测与金属源相关联的金属蒸气。 该装置还可以包括配置为当晶体监视器传感器检测到不期望的状况时保持在关闭位置的快门，以防止金属沉积到半导体晶片上。 在一些实施方案中，不期望的条件可以指示金属源的组成，金属源的沉积速率，金属源的杂质，金属源的位置，电子束的位置和/或 电子束。

公开(公告)号：US08030725B1

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12898616

申请日：2010-10-05

申请人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

发明人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L21/68764 ,  C23C14/044 ,  C23C14/24 ,  C23C14/546 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68771

摘要： Apparatus and methods for detecting evaporation conditions in an evaporator for evaporating metal onto semiconductor wafers, such as GaAs wafers, are disclosed. One such apparatus can include a crystal monitor sensor configured to detect metal vapor associated with a metal source prior to metal deposition onto a semiconductor wafer. This apparatus can also include a shutter configured to remain in a closed position when the crystal monitor sensor detects an undesired condition, so as to prevent metal deposition onto the semiconductor wafer. In some implementations, the undesired condition can be indicative of a composition of a metal source, a deposition rate of a metal source, impurities of a metal source, position of a metal source, position of an electron beam, and/or intensity of an electron beam.

摘要翻译： 公开了一种用于检测用于将金属蒸发到诸如GaAs晶片的半导体晶片上的蒸发器中的蒸发条件的装置和方法。 一种这样的设备可以包括晶体监视器传感器，其被配置为在金属沉积到半导体晶片之前检测与金属源相关联的金属蒸气。 该装置还可以包括配置为当晶体监视器传感器检测到不期望的状况时保持在关闭位置的快门，以防止金属沉积到半导体晶片上。 在一些实施方案中，不期望的条件可以指示金属源的组成，金属源的沉积速率，金属源的杂质，金属源的位置，电子束的位置和/或 电子束。

公开(公告)号：US08546205B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13186356

申请日：2011-07-19

申请人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

发明人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C8/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/68764 ,  C23C14/044 ,  C23C14/24 ,  C23C14/546 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68771

摘要： Apparatus and methods for detecting evaporation conditions in an evaporator for evaporating metal onto semiconductor wafers, such as GaAs wafers, are disclosed. One such apparatus can include a crystal monitor sensor configured to detect metal vapor associated with a metal source prior to metal deposition onto a semiconductor wafer. This apparatus can also include a shutter configured to remain in a closed position when the crystal monitor sensor detects an undesired condition, so as to prevent metal deposition onto the semiconductor wafer. In some implementations, the undesired condition can be indicative of a composition of a metal source, a deposition rate of a metal source, impurities of a metal source, position of a metal source, position of an electron beam, and/or intensity of an electron beam.

摘要翻译： 公开了一种用于检测用于将金属蒸发到诸如GaAs晶片的半导体晶片上的蒸发器中的蒸发条件的装置和方法。 一种这样的设备可以包括晶体监视器传感器，其被配置为在金属沉积到半导体晶片之前检测与金属源相关联的金属蒸气。 该装置还可以包括配置为当晶体监视器传感器检测到不期望的状况时保持在关闭位置的快门，以防止金属沉积到半导体晶片上。 在一些实施方案中，不期望的条件可以指示金属源的组成，金属源的沉积速率，金属源的杂质，金属源的位置，电子束的位置和/或 电子束。