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    Apparatus and methods for detecting evaporation conditions
    2.
    发明授权
    Apparatus and methods for detecting evaporation conditions 有权
    用于检测蒸发条件的装置和方法

    公开(公告)号：US08030725B1

    公开(公告)日：2011-10-04

    申请号：US12898616

    申请日：2010-10-05

    申请人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

    发明人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L21/68764 ,  C23C14/044 ,  C23C14/24 ,  C23C14/546 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68771

    摘要： Apparatus and methods for detecting evaporation conditions in an evaporator for evaporating metal onto semiconductor wafers, such as GaAs wafers, are disclosed. One such apparatus can include a crystal monitor sensor configured to detect metal vapor associated with a metal source prior to metal deposition onto a semiconductor wafer. This apparatus can also include a shutter configured to remain in a closed position when the crystal monitor sensor detects an undesired condition, so as to prevent metal deposition onto the semiconductor wafer. In some implementations, the undesired condition can be indicative of a composition of a metal source, a deposition rate of a metal source, impurities of a metal source, position of a metal source, position of an electron beam, and/or intensity of an electron beam.

    摘要翻译： 公开了一种用于检测用于将金属蒸发到诸如GaAs晶片的半导体晶片上的蒸发器中的蒸发条件的装置和方法。 一种这样的设备可以包括晶体监视器传感器，其被配置为在金属沉积到半导体晶片之前检测与金属源相关联的金属蒸气。 该装置还可以包括配置为当晶体监视器传感器检测到不期望的状况时保持在关闭位置的快门，以防止金属沉积到半导体晶片上。 在一些实施方案中，不期望的条件可以指示金属源的组成，金属源的沉积速率，金属源的杂质，金属源的位置，电子束的位置和/或 电子束。

    Apparatus and methods for evaporation including test wafer holder
    3.
    发明授权
    Apparatus and methods for evaporation including test wafer holder 有权
    用于蒸发的装置和方法包括测试晶片保持器

    公开(公告)号：US08022448B1

    公开(公告)日：2011-09-20

    申请号：US12898632

    申请日：2010-10-05

    申请人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

    发明人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/505 ,  C23C14/546 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

    摘要： Apparatus and methods for evaporating metal onto semiconductor wafers are disclosed. One such apparatus can include an evaporation chamber that includes a wafer holder, such as a dome, and a test wafer holder that is separate and spaced apart from the wafer holder. In certain implementations, the test wafer can be coupled to a cross beam supporting at least one shaper. A metal can be evaporated onto production wafers positioned in the wafer holder while metal is evaporated on a test wafer positioned in a test wafer holder. In some instances, the production wafers can be GaAs wafers. The test wafer can be used to make a quality assessment about the production wafers.

    摘要翻译： 公开了将金属蒸发到半导体晶片上的装置和方法。 一种这样的设备可以包括蒸发室，其包括晶片保持器，例如圆顶，以及与晶片保持器分离并间隔开的测试晶片保持器。 在某些实施方案中，测试晶片可以耦合到支撑至少一个整形器的横梁。 金属可以被蒸发到位于晶片保持器中的生产晶片上，同时金属在位于测试晶片保持器中的测试晶片上蒸发。 在某些情况下，生产晶片可以是GaAs晶片。 测试晶片可用于对生产晶圆进行质量评估。

    METHODS OF EVAPORATING METAL ONTO A SEMICONDUCTOR WAFER IN A TEST WAFER HOLDER
    4.
    发明申请
    METHODS OF EVAPORATING METAL ONTO A SEMICONDUCTOR WAFER IN A TEST WAFER HOLDER 有权
    将金属蒸发到测试保持架中的半导体波形的方法

    公开(公告)号：US20120083118A1

    公开(公告)日：2012-04-05

    申请号：US13179382

    申请日：2011-07-08

    申请人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

    发明人： Lam T. Luu ,  Shiban K. Tiku ,  Richard S. Bingle ,  Jens A. Riege ,  Heather L. Knoedler ,  Daniel C. Weaver

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/505 ,  C23C14/546 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

    摘要： Apparatus and methods for evaporating metal onto semiconductor wafers are disclosed. One such apparatus can include an evaporation chamber that includes a wafer holder, such as a dome, and a test wafer holder that is separate and spaced apart from the wafer holder. In certain implementations, the test wafer can be coupled to a cross beam supporting at least one shaper. A metal can be evaporated onto production wafers positioned in the wafer holder while metal is evaporated on a test wafer positioned in a test wafer holder. In some instances, the production wafers can be GaAs wafers. The test wafer can be used to make a quality assessment about the production wafers.

    摘要翻译： 公开了将金属蒸发到半导体晶片上的装置和方法。 一种这样的设备可以包括蒸发室，其包括晶片保持器，例如圆顶，以及与晶片保持器分离并间隔开的测试晶片保持器。 在某些实施方案中，测试晶片可以耦合到支撑至少一个整形器的横梁。 金属可以被蒸发到位于晶片保持器中的生产晶片上，同时金属在位于测试晶片保持器中的测试晶片上蒸发。 在某些情况下，生产晶片可以是GaAs晶片。 测试晶片可用于对生产晶圆进行质量评估。

    Method for metallization of a semiconductor substrate and related structure
    5.
    发明授权
    Method for metallization of a semiconductor substrate and related structure 有权
    半导体衬底的金属化方法和相关结构

    公开(公告)号：US06614117B1

    公开(公告)日：2003-09-02

    申请号：US10163662

    申请日：2002-06-04

    申请人： Shiban K. Tiku ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Burton

    发明人： Shiban K. Tiku ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Burton

    IPC分类号： H01L2348

    CPC分类号： H01L21/28575 ,  C23C14/185

    摘要： According to one embodiment, an NiV adhesion layer is deposited over the backside surface of a semiconductor substrate. The semiconductor substrate might comprise a group III-V compound semiconductor. The NiV adhesion layer can be deposited over the backside surface of the semiconductor substrate in, for example, a magnetron deposition system. In certain embodiments, the backside surface of the semiconductor surface may be cleaned to remove oxides from the surface prior to deposition of the NiV adhesion layer. After the NiV adhesion layer has been deposited, a gold seed layer is deposited over the NiV adhesion layer. Following deposition of the gold seed layer, a second gold layer is electroplated, or otherwise deposited, over the gold seed layer. In one embodiment, the invention is a structure fabricated according to the process steps described above.

    摘要翻译： 根据一个实施例，NiV粘附层沉积在半导体衬底的背面上。 半导体衬底可以包括III-V族化合物半导体。 NiV粘附层可以沉积在例如磁控管沉积系统中的半导体衬底的背面上。 在某些实施例中，可以清洁半导体表面的背面以在沉积NiV粘附层之前从表面去除氧化物。 在NiV粘附层沉积之后，在NiV粘合层上沉积金籽层。 在金籽层沉积之后，将第二金层电镀或以其它方式沉积在金籽晶层上。 在一个实施例中，本发明是根据上述工艺步骤制造的结构。

    Detecting a deposition condition
    6.
    发明授权
    Detecting a deposition condition 有权
    检测沉积条件

    公开(公告)号：US08546205B2

    公开(公告)日：2013-10-01

    申请号：US13186356

    申请日：2011-07-19

    申请人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

    发明人： Lam T. Luu ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Bingle ,  Daniel C. Weaver

    IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C8/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8249

    CPC分类号： H01L21/68764 ,  C23C14/044 ,  C23C14/24 ,  C23C14/546 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68771

    摘要： Apparatus and methods for detecting evaporation conditions in an evaporator for evaporating metal onto semiconductor wafers, such as GaAs wafers, are disclosed. One such apparatus can include a crystal monitor sensor configured to detect metal vapor associated with a metal source prior to metal deposition onto a semiconductor wafer. This apparatus can also include a shutter configured to remain in a closed position when the crystal monitor sensor detects an undesired condition, so as to prevent metal deposition onto the semiconductor wafer. In some implementations, the undesired condition can be indicative of a composition of a metal source, a deposition rate of a metal source, impurities of a metal source, position of a metal source, position of an electron beam, and/or intensity of an electron beam.

    摘要翻译： 公开了一种用于检测用于将金属蒸发到诸如GaAs晶片的半导体晶片上的蒸发器中的蒸发条件的装置和方法。 一种这样的设备可以包括晶体监视器传感器，其被配置为在金属沉积到半导体晶片之前检测与金属源相关联的金属蒸气。 该装置还可以包括配置为当晶体监视器传感器检测到不期望的状况时保持在关闭位置的快门，以防止金属沉积到半导体晶片上。 在一些实施方案中，不期望的条件可以指示金属源的组成，金属源的沉积速率，金属源的杂质，金属源的位置，电子束的位置和/或 电子束。

    Method for metallization of a semiconductor substrate
    8.
    发明授权
    Method for metallization of a semiconductor substrate 有权
    半导体衬底的金属化方法

    公开(公告)号：US06596635B1

    公开(公告)日：2003-07-22

    申请号：US10269729

    申请日：2002-10-11

    申请人： Shiban K. Tiku ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Burton

    发明人： Shiban K. Tiku ,  Heather L. Knoedler ,  Richard S. Burton

    IPC分类号： H01L2144

    CPC分类号： H01L21/28575 ,  C23C14/185

    摘要： According to one embodiment, an NiV adhesion layer is deposited over the backside surface of a semiconductor substrate. The semiconductor substrate might comprise a group III-V compound semiconductor. The NiV adhesion layer can be deposited over the backside surface of the semiconductor substrate in, for example, a magnetron deposition system. In certain embodiments, the backside surface of the semiconductor surface may be cleaned to remove oxides from the surface prior to deposition of the NiV adhesion layer. After the NiV adhesion layer has been deposited, a gold seed layer is deposited over the NiV adhesion layer. Following deposition of the gold seed layer, a second gold layer is electroplated, or otherwise deposited, over the gold seed layer. In one embodiment, the invention is a structure fabricated according to the process steps described above.

    摘要翻译： 根据一个实施例，NiV粘附层沉积在半导体衬底的背面上。 半导体衬底可以包括III-V族化合物半导体。 NiV粘附层可以沉积在例如磁控管沉积系统中的半导体衬底的背面上。 在某些实施例中，在沉积NiV粘合层之前，可以清洁半导体表面的背面以从表面去除氧化物。 在NiV粘附层沉积之后，在NiV粘合层上沉积金籽层。 在金籽层沉积之后，将第二金层电镀或以其它方式沉积在金籽晶层上。 在一个实施例中，本发明是根据上述工艺步骤制造的结构。