公开(公告)号：US20120145990A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13279786

申请日：2011-10-24

申请人： Lars SAMUELSON ,  Jonas Ohlsson ,  Thomas Mårtensson ,  Patrik Svensson

发明人： Lars SAMUELSON ,  Jonas Ohlsson ,  Thomas Mårtensson ,  Patrik Svensson

IPC分类号： H01L33/18 ,  H01L29/267 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B81C1/00111 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/946 ,  Y10S438/974 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/949

摘要： The present invention relates to growth of III-V semiconductor nanowires (2) on a Si substrate (3). Controlled vertical nanowire growth is achieved by a step, to be taken prior to the growing of the nanowire, of providing group III or group V atoms to a (111) surface of the Si substrate to provide a group III or group V 5 surface termination (4). A nanostructured device comprising a plurality of aligned III-V semiconductor nanowires (2) grown on, and protruding from, a (111) surface of a Si substrate (3) in an ordered pattern in compliance with a predetermined device layout is also presented.

摘要翻译： 本发明涉及在Si衬底（3）上III-V族半导体纳米线（2）的生长。 控制的垂直纳米线生长通过在纳米线生长之前采取的步骤来实现，其将III族或V族原子提供给Si衬底的（111）表面以提供III族或V 5族表面终止 （4）。 还提出了纳米结构的器件，其包括以符合预定的器件布局的有序图案生长在Si衬底（3）的（111）表面上并从其突出的多个对准的III-V半导体纳米线（2）。