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公开(公告)号：US20110140086A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：US13003046
申请日：2009-07-02
IPC分类号： H01L29/775 , B82Y99/00
CPC分类号： H01L29/7881 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/803 , Y10S977/938
摘要： The present invention provides a nanostructured memory device comprising at least one semiconductor nanowire (3) forming a current transport channel, one or more shell layers (4) arranged around at least a portion of the nanowire (3), and nano-sized charge trapping centres (10) embedded in said one or more shell layers (4), and one or more gate electrodes (14) arranged around at least a respective portion of said one or more shell layers (4). Preferably said one or more shell layers (4) are made of a wide band gap material or an insulator. The charge trapping centres (10) may be charged/written by using said one or more gate electrodes (14) and a change in an amount of charge stored in one or more of the charge trapping centres (10) alters the conductivity of the nanowire (3).
摘要翻译： 本发明提供一种纳米结构存储器件，其包括形成电流传输沟道的至少一个半导体纳米线（3），围绕至少一部分纳米线（3）布置的一个或多个壳层（4）和纳米尺寸的电荷俘获 嵌入在所述一个或多个壳层（4）中的中心（10）以及围绕至少所述一个或多个壳层（4）的相应部分布置的一个或多个栅电极（14）。 优选地，所述一个或多个壳层（4）由宽带隙材料或绝缘体制成。 可以通过使用所述一个或多个栅电极（14）对电荷捕获中心（10）进行充电/写入，并且存储在一个或多个电荷捕获中心（10）中的电荷量的变化改变了纳米线的导电性 （3）。
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公开(公告)号：US08212237B2
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：US13003046
申请日：2009-07-02
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L29/7881 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/803 , Y10S977/938
摘要： The present invention provides a nanostructured memory device comprising at least one semiconductor nanowire (3) forming a current transport channel, one or more shell layers (4) arranged around at least a portion of the nanowire (3), and nano-sized charge trapping centers (10) embedded in said one or more shell layers (4), and one or more gate electrodes (14) arranged around at least a respective portion of said one or more shell layers (4). Preferably said one or more shell layers (4) are made of a wide band gap material or an insulator. The charge trapping centers (10) may be charged/written by using said one or more gate electrodes (14) and a change in an amount of charge stored in one or more of the charge trapping centers (10) alters the conductivity of the nanowire (3).
摘要翻译： 本发明提供一种纳米结构存储器件，其包括形成电流传输沟道的至少一个半导体纳米线（3），围绕至少一部分纳米线（3）布置的一个或多个壳层（4）和纳米尺寸的电荷俘获 嵌入在所述一个或多个壳层（4）中的中心（10）以及围绕至少所述一个或多个壳层（4）的相应部分布置的一个或多个栅电极（14）。 优选地，所述一个或多个壳层（4）由宽带隙材料或绝缘体制成。 可以通过使用所述一个或多个栅电极（14）对电荷捕获中心（10）进行充电/写入，并且存储在一个或多个电荷捕获中心（10）中的电荷量的变化改变了纳米线的导电性 （3）。
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3.发明申请公开(公告)号：US20090301389A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：US12224822
申请日：2007-03-07
IPC分类号： C30B23/00
CPC分类号： C30B25/04 , B01J21/08 , B82Y30/00 , C30B29/62 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/201
摘要： The present invention relates to epitaxial growth of nanowires on a substrate. In particular the invention relates to growth of nanowires on an Si-substrate without using Au as a catalyst. In the method according to the invention an oxide template is provided on a passivated surface of the substrate. The oxide template defines a plurality of nucleation onset positions for subsequent nanowire growth. According to one embodiment a thin organic film is used to form the oxide template.
摘要翻译： 本发明涉及纳米线在衬底上的外延生长。 特别地，本发明涉及在不使用Au作为催化剂的情况下在Si衬底上生长纳米线。 在根据本发明的方法中，在衬底的钝化表面上提供氧化物模板。 氧化物模板定义了随后的纳米线生长的多个成核起始位置。 根据一个实施方案，使用薄的有机膜来形成氧化物模板。
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4.发明授权公开(公告)号：US08691011B2
公开(公告)日：2014-04-08
申请号：US12224822
申请日：2007-03-07
IPC分类号： C30B23/00
CPC分类号： C30B25/04 , B01J21/08 , B82Y30/00 , C30B29/62 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/201
摘要： The present invention relates to epitaxial growth of nanowires on a substrate. In particular the invention relates to growth of nanowires on an Si-substrate without using Au as a catalyst. In the method according to the invention an oxide template is provided on a passivated surface of the substrate. The oxide template defines a plurality of nucleation onset positions for subsequent nanowire growth. According to one embodiment a thin organic film is used to form the oxide template.
摘要翻译： 本发明涉及纳米线在衬底上的外延生长。 特别地，本发明涉及不使用Au作为催化剂的Si衬底上的纳米线的生长。 在根据本发明的方法中，在衬底的钝化表面上提供氧化物模板。 氧化物模板定义了随后的纳米线生长的多个成核起始位置。 根据一个实施方案，使用薄的有机膜来形成氧化物模板。
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