公开(公告)号：US07528065B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US11333068

申请日：2006-01-17

申请人： Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis C. Hsu ,  Carl Radens ,  Kwong-Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

发明人： Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis C. Hsu ,  Carl Radens ,  Kwong-Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/84 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A transistor device and method of forming the same comprises a substrate; a first gate electrode over the substrate; a second gate electrode over the substrate; and a landing pad comprising a pair of flanged ends overlapping the second gate electrode, wherein the structure of the second gate electrode is discontinuous with the structure of the landing pad.

摘要翻译： 晶体管器件及其形成方法包括：衬底; 衬底上的第一栅电极; 在所述衬底上方的第二栅电极; 以及着陆垫，其包括与所述第二栅电极重叠的一对凸缘端，其中所述第二栅极的结构与所述着陆焊盘的结构不连续。

公开(公告)号：US08304912B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12054644

申请日：2008-03-25

申请人： Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis C. Hsu ,  Carl Radens ,  Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

发明人： Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis C. Hsu ,  Carl Radens ,  Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/84 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A transistor device and method of forming the same comprises a substrate; a first gate electrode over the substrate; a second gate electrode over the substrate; and a landing pad comprising a pair of flanged ends overlapping the second gate electrode, wherein the structure of the second gate electrode is discontinuous with the structure of the landing pad.

摘要翻译： 晶体管器件及其形成方法包括：衬底; 衬底上的第一栅电极; 在所述衬底上方的第二栅电极; 以及着陆垫，其包括与所述第二栅电极重叠的一对凸缘端，其中所述第二栅极的结构与所述着陆焊盘的结构不连续。

公开(公告)号：US20080164525A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US12054644

申请日：2008-03-25

申请人： Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis C. Hsu ,  Carl Radens ,  Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

发明人： Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis C. Hsu ,  Carl Radens ,  Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/84 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A transistor device and method of forming the same comprises a substrate; a first gate electrode over the substrate; a second gate electrode over the substrate; and a landing pad comprising a pair of flanged ends overlapping the second gate electrode, wherein the structure of the second gate electrode is discontinuous with the structure of the landing pad.

摘要翻译： 晶体管器件及其形成方法包括：衬底; 衬底上的第一栅电极; 在所述衬底上方的第二栅电极; 以及着陆垫，其包括与所述第二栅电极重叠的一对凸缘端，其中所述第二栅极的结构与所述着陆焊盘的结构不连续。

公开(公告)号：US07902061B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US12199407

申请日：2008-08-27

申请人： Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis C. Hsu ,  Carl Radens ,  Theodorus E. Standaert ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

发明人： Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis C. Hsu ,  Carl Radens ,  Theodorus E. Standaert ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76852 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making an interconnect structure: which includes providing an interconnect structure in a dielectric material, recessing the dielectric material such that a portion of the interconnect structure extends above an upper surface of the dielectric material; and depositing an encasing cap over the extended portion of the interconnect structure.

摘要翻译： 一种制造互连结构的方法，其包括在介电材料中提供互连结构，使介电材料凹陷，使得互连结构的一部分在电介质材料的上表面上方延伸; 以及在所述互连结构的延伸部分上沉积封装盖。

公开(公告)号：US20080318415A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12199407

申请日：2008-08-27

申请人： Kwong Hon Wong ,  Louis C. Hsu ,  Timothy J. Dalton ,  Carl Radens ,  Chih-Chao Yang ,  Lawrence A. Clevenger ,  Theodorus E. Standaert

发明人： Kwong Hon Wong ,  Louis C. Hsu ,  Timothy J. Dalton ,  Carl Radens ,  Chih-Chao Yang ,  Lawrence A. Clevenger ,  Theodorus E. Standaert

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76852 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making an interconnect comprising: providing an interconnect structure in a dielectric material, recessing the dielectric material such that a portion of the interconnect structure extends above an upper surface of the dielectric; and depositing an encasing cap over the extended portion of the interconnect structure.

摘要翻译： 一种制造互连的方法，包括：在介电材料中提供互连结构，使所述电介质材料凹陷，使得所述互连结构的一部分在所述电介质的上表面上方延伸; 以及在所述互连结构的延伸部分上沉积封装盖。

公开(公告)号：US20080308801A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12193288

申请日：2008-08-18

申请人： Lawrence A. Clevenger ,  Matthew E. Colburn ,  Timothy J. Dalton ,  Michael C. Gaidis ,  Louis L. C. Hsu ,  Carl Radens ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

发明人： Lawrence A. Clevenger ,  Matthew E. Colburn ,  Timothy J. Dalton ,  Michael C. Gaidis ,  Louis L. C. Hsu ,  Carl Radens ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/576 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/544 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a stochastically based integrated circuit encryption structure includes forming a lower conductive layer over a substrate, forming a short prevention layer over the lower conductive layer, forming an intermediate layer over the short prevention layer, wherein the intermediate layer is characterized by randomly structured nanopore features. An upper conductive layer is formed over the random nanopore structured intermediate layer. The upper conductive layer is patterned into an array of individual cells, wherein a measurable electrical parameter of the individual cells has a random distribution from cell to cell with respect to a reference value of the electrical parameter.

摘要翻译： 一种形成随机的集成电路加密结构的方法包括在衬底上形成下导电层，在下导电层上形成防短层，在短路防护层上形成中间层，其中中间层的特征是随机 结构纳米孔特征。 在无规纳米孔结构化中间层上形成上导电层。 上导电层被图案化成单个单元的阵列，其中各个单元的可测量电参数相对于电参数的参考值具有从单元到单元的随机分布。

公开(公告)号：US20080243972A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11694183

申请日：2007-03-30

申请人： Michael C. Gaidis ,  Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  John K. DeBrosse ,  Louis L.C. Hsu ,  Carl Radens ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

发明人： Michael C. Gaidis ,  Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  John K. DeBrosse ,  Louis L.C. Hsu ,  Carl Radens ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： G06F15/02

CPC分类号： G11C19/0841 ,  B82Y10/00 ,  G11C5/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  Y10T29/53165

摘要： A magnetic domain wall memory apparatus with write/read capability includes a plurality of coplanar shift register structures each comprising an elongated track formed from a ferromagnetic material having a plurality of magnetic domains therein, the shift register structures further having a plurality of discontinuities therein to facilitate domain wall location; a magnetic read element associated with each of the shift register structures; and a magnetic write element associated with each of the shift register structures, the magnetic write element further comprising a single write wire having a longitudinal axis substantially orthogonal to a longitudinal axis of each of the coplanar shift register structures.

摘要翻译： 具有写入/读取功能的磁畴壁存储装置包括多个共面移位寄存器结构，每个包括由其中具有多个磁畴的铁磁材料形成的细长轨道，移位寄存器结构还具有多个不连续性，以便于 域墙位置; 与每个移位寄存器结构相关联的磁读取元件; 以及与所述移位寄存器结构中的每一个相关联的磁写元件，所述磁写入元件还包括单个写入线，所述单个写入线的纵轴基本上与所述共面移位寄存器结构中的每一个的纵向轴线正交。

公开(公告)号：US07105445B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US11034890

申请日：2005-01-14

申请人： Kwong-Hon Wong ,  Louis C. Hsu ,  Timothy J. Dalton ,  Carl J. Radens ,  Chih-Chao Yang ,  Lawrence A. Clevenger ,  Theodorus E. Standaert

发明人： Kwong-Hon Wong ,  Louis C. Hsu ,  Timothy J. Dalton ,  Carl J. Radens ,  Chih-Chao Yang ,  Lawrence A. Clevenger ,  Theodorus E. Standaert

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76852 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making an interconnect which includes providing an interconnect structure in a dielectric material, recessing the dielectric material such that a portion of the interconnect structure extends above an upper surface of the dielectric and depositing an encasing cap over the extended portion of the interconnect structure.

摘要翻译： 一种制造互连的方法，其包括在介电材料中提供互连结构，使所述电介质材料凹陷，使得所述互连结构的一部分在所述电介质的上表面上方延伸，并且在所述互连结构的所述延伸部分上沉积包封盖 。

公开(公告)号：US07514271B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11694183

申请日：2007-03-30

申请人： Michael C. Gaidis ,  Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  John K. DeBrosse ,  Louis L. C. Hsu ,  Carl Radens ,  Keith Kwong-Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

发明人： Michael C. Gaidis ,  Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  John K. DeBrosse ,  Louis L. C. Hsu ,  Carl Radens ,  Keith Kwong-Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/00 ,  G11C5/12 ,  G11C11/14

CPC分类号： G11C19/0841 ,  B82Y10/00 ,  G11C5/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  Y10T29/53165

摘要： A method of forming a magnetic domain wall memory apparatus with write/read capability includes forming a plurality of coplanar shift register structures each comprising an elongated track formed from a ferromagnetic material having a plurality of magnetic domains therein, the shift register structures further having a plurality of discontinuities therein to facilitate domain wall location: forming a magnetic read element associated with each of the shift register structures: and forming a magnetic write element associated with each of the shift register structures, the magnetic write element further comprising a write wire having a constriction therein, the constriction located at a point corresponding to the location of one of the plurality of discontinuities in the associated shift register structure.

摘要翻译： 形成具有写入/读取能力的磁畴壁存储装置的方法包括形成多个共面移位寄存器结构，每个包括由其中具有多个磁畴的铁磁材料形成的细长轨道，移位寄存器结构还具有多个 其中的不连续性以便于域壁位置：形成与每个移位寄存器结构相关联的磁读取元件;以及形成与每个移位寄存器结构相关联的磁写元件，所述磁写入元件还包括具有收缩的写入线 其中，所述收缩部位于与相关联的移位寄存器结构中的所述多个不连续之一的位置相对应的点处。

公开(公告)号：US07825420B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12539942

申请日：2009-08-12

申请人： Michael C. Gaidis ,  Carl Radens ,  Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis L. C. Hsu ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

发明人： Michael C. Gaidis ,  Carl Radens ,  Lawrence A. Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis L. C. Hsu ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic random access memory (MRAM) device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) stack formed over a lower wiring level, a hardmask formed on the MTJ stack, and an upper wiring level formed over the hardmask. The upper wiring level includes a slot via bitline formed therein, the slot via bitline in contact with the hardmask and in contact with an etch stop layer partially surrounding sidewalls of the hardmask.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器（MRAM）器件包括形成在下布线层上的磁隧道结（MTJ）堆叠，形成在MTJ堆叠上的硬掩模和形成在硬掩模上的上布线层。 上布线层包括经由位于其中的位线的槽，槽经由与硬掩模接触的位线并与部分地围绕硬掩模的侧壁的蚀刻停止层接触。