公开(公告)号：US20090206369A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12432113

申请日：2009-04-29

申请人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Xiaobing Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Michael Barsky ,  Richard Lai

发明人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Xiaobing Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Michael Barsky ,  Richard Lai

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/42316

摘要： In a method of forming a semiconductor device on a semiconductor substrate (100), a photoresist layer (102) is deposited on the semiconductor substrate; a window (106) is formed in the photoresist layer (102) by electron beam lithography; a conformal layer (108) is deposited on the photoresist layer (102) and in the window (106); and substantially all of the conformal layer (108) is selectively removed from the photoresist layer (102) and a bottom portion of the window to form dielectric sidewalls (110) in the window (106).

摘要翻译： 在半导体衬底（100）上形成半导体器件的方法中，在半导体衬底上沉积光致抗蚀剂层（102） 通过电子束光刻在光致抗蚀剂层（102）中形成窗口（106） 在光致抗蚀剂层（102）和窗口（106）中沉积共形层（108）; 并且基本上所有的保形层（108）从光致抗蚀剂层（102）和窗口的底部部分选择性地移除，以在窗口（106）中形成电介质侧壁（110）。

公开(公告)号：US07709860B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US12432113

申请日：2009-04-29

申请人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Xiaobing Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Michael Barsky ,  Richard Lai

发明人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Xiaobing Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Michael Barsky ,  Richard Lai

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/42316

摘要： In a method of forming a semiconductor device on a semiconductor substrate (100), a photoresist layer (102) is deposited on the semiconductor substrate; a window (106) is formed in the photoresist layer (102) by electron beam lithography; a conformal layer (108) is deposited on the photoresist layer (102) and in the window (106); and substantially all of the conformal layer (108) is selectively removed from the photoresist layer (102) and a bottom portion of the window to form dielectric sidewalls (110) in the window (106).

摘要翻译： 在半导体衬底（100）上形成半导体器件的方法中，在半导体衬底上沉积光致抗蚀剂层（102） 通过电子束光刻在光致抗蚀剂层（102）中形成窗口（106） 在光致抗蚀剂层（102）和窗口（106）中沉积共形层（108）; 并且基本上所有的保形层（108）从光致抗蚀剂层（102）和窗口的底部部分选择性地移除，以在窗口（106）中形成电介质侧壁（110）。

公开(公告)号：US20080111157A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11598817

申请日：2006-11-14

申请人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Xiaobing Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Michael Barsky ,  Richard Lai

发明人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Xiaobing Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Michael Barsky ,  Richard Lai

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/42316

摘要： In a method of forming a semiconductor device on a semiconductor substrate (100), a photoresist layer (102) is deposited on the semiconductor substrate; a window (106) is formed in the photoresist layer (102) by electron beam lithography; a conformal layer (108) is deposited on the photoresist layer (102) and in the window (106); and substantially all of the conformal layer (108) is selectively removed from the photoresist layer (102) and a bottom portion of the window to form dielectric sidewalls (110) in the window (106).

摘要翻译： 在半导体衬底（100）上形成半导体器件的方法中，在半导体衬底上沉积光致抗蚀剂层（102） 通过电子束光刻在光致抗蚀剂层（102）中形成窗口（106） 在光致抗蚀剂层（102）和窗口（106）中沉积共形层（108）; 并且基本上所有的保形层（108）从光致抗蚀剂层（102）和窗口的底部部分选择性地移除，以在窗口（106）中形成电介质侧壁（110）。

公开(公告)号：US07582518B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11598817

申请日：2006-11-14

申请人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Gerry Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Mike Barsky ,  Rich Lai

发明人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Gerry Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Mike Barsky ,  Rich Lai

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/42316

摘要： In a method of forming a semiconductor device on a semiconductor substrate (100), a photoresist layer (102) is deposited on the semiconductor substrate; a window (106) is formed in the photoresist layer (102) by electron beam lithography; a conformal layer (108) is deposited on the photoresist layer (102) and in the window (106); and substantially all of the conformal layer (108) is selectively removed from the photoresist layer (102) and a bottom portion of the window to form dielectric sidewalls (110) in the window (106).

摘要翻译： 在半导体衬底（100）上形成半导体器件的方法中，在半导体衬底上沉积光致抗蚀剂层（102） 通过电子束光刻在光致抗蚀剂层（102）中形成窗口（106） 在光致抗蚀剂层（102）和窗口（106）中沉积共形层（108）; 并且基本上所有的保形层（108）从光致抗蚀剂层（102）和窗口的底部部分选择性地移除，以在窗口（106）中形成电介质侧壁（110）。

公开(公告)号：US07411226B2

公开(公告)日：2008-08-12

申请号：US11115938

申请日：2005-04-27

申请人： Yeong-Chang Choug ,  Ronald Grundbacher ,  Po-Hsin Liu ,  Denise L. Leung ,  Richard Lai

发明人： Yeong-Chang Choug ,  Ronald Grundbacher ,  Po-Hsin Liu ,  Denise L. Leung ,  Richard Lai

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L29/80 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475

摘要： An InP high electron mobility transistor (HEMT) structure in which a gate metal stack includes an additional thin layer of a refractory metal, such as molybdenum (Mo) or platinum (Pt) at a junction between the gate metal stack and a Schottky barrier layer in the HEMT structure. The refractory metal layer reduces or eliminates long-term degradation of the Schottky junction between the gate metal and the barrier layer, thereby dramatically improving long-term reliability of InP HEMTs, but without sacrifice in HEMT performance, whether used as a discrete device or in an integrated circuit.

摘要翻译： InP高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，其中栅极金属堆叠在栅极金属堆叠和肖特基势垒层之间的结处包括诸如钼（Mo）或铂（Pt）的难熔金属的附加薄层 在HEMT结构中。 难熔金属层减少或消除了栅极金属和阻挡层之间的肖特基结的长期降解，从而显着提高了InP HEMT的长期可靠性，但不牺牲HEMT性能，无论是用作分立器件还是在 集成电路。

公开(公告)号：US20060244009A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11115938

申请日：2005-04-27

申请人： Yeong-Chang Choug ,  Ronald Grundbacher ,  Po-Hsin Liu ,  Denise Leung ,  Richard Lai

发明人： Yeong-Chang Choug ,  Ronald Grundbacher ,  Po-Hsin Liu ,  Denise Leung ,  Richard Lai

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475

摘要： An InP high electron mobility transistor (HEMT) structure in which a gate metal stack includes an additional thin layer of a refractory metal, such as molybdenum (Mo) or platinum (Pt) at a junction between the gate metal stack and a Schottky barrier layer in the HEMT structure. The refractory metal layer reduces or eliminates long-term degradation of the Schottky junction between the gate metal and the barrier layer, thereby dramatically improving long-term reliability of InP HEMTs, but without sacrifice in HEMT performance, whether used as a discrete device or in an integrated circuit.

摘要翻译： InP高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，其中栅极金属堆叠在栅极金属堆叠和肖特基势垒层之间的结处包括诸如钼（Mo）或铂（Pt）的难熔金属的附加薄层 在HEMT结构中。 难熔金属层减少或消除了栅极金属和阻挡层之间的肖特基结的长期降解，从而显着提高了InP HEMT的长期可靠性，但不牺牲HEMT性能，无论是用作分立器件还是在 集成电路。

公开(公告)号：US20100184262A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12659910

申请日：2010-03-25

申请人： Ioulia Smorchkova ,  Robert Coffie ,  Ben Heying ,  Carol Namba ,  Po-Hsin Liu ,  Boris Hikin

发明人： Ioulia Smorchkova ,  Robert Coffie ,  Ben Heying ,  Carol Namba ,  Po-Hsin Liu ,  Boris Hikin

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor device is fabricated to include source and drain contacts including an ohmic metal sunken into the barrier layer and a portion of the channel layer; a protective dielectric layer disposed between the source and drain contacts on the barrier layer; a metallization layer disposed in drain and source ohmic vias between the source contact and the protective dielectric layer and between the protective dielectric layer and the drain contact; and a metal T-gate disposed above the barrier layer including a field mitigating plate disposed on a side portion of a stem of the metal T-gate.

摘要翻译： 半导体器件被制造为包括源极和漏极触点，其包括凹陷在阻挡层中的欧姆金属和沟道层的一部分; 保护介电层，设置在阻挡层上的源极和漏极接触之间; 设置在源极和保护电介质层之间以及保护电介质层和漏极接触之间的漏极和源极欧姆通孔中的金属化层; 以及设置在所述阻挡层上方的金属T型栅极，包括设置在所述金属T型栅极的杆的侧部上的场缓和板。

公开(公告)号：US09048184B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13837856

申请日：2013-03-15

申请人： Carol O. Namba ,  Po-Hsin Liu ,  Sumiko Poust ,  Ioulia Smorchkova ,  Michael Wojtowicz ,  Ronald Grundbacher

发明人： Carol O. Namba ,  Po-Hsin Liu ,  Sumiko Poust ,  Ioulia Smorchkova ,  Michael Wojtowicz ,  Ronald Grundbacher

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L21/285 ,  H01L21/027 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

摘要： A method is provided for forming a gate contact for a compound semiconductor device. The gate contact is formed from a gate contact portion and a top or wing contact portion. The method allows for the tunablity of the size of the wing contact portion, while retaining the size of the gate contact portion based on a desired operational frequency. This is accomplished by providing for one or more additional conductive material processes on the wing contact portion to increase the cross-sectional area of the wing contact portion reducing the gate resistance, while maintaing the length of the gate contact portion to maintain the operating frequency of the device.

摘要翻译： 提供了一种用于形成化合物半导体器件的栅极接触的方法。 栅极接触由栅极接触部分和顶部或翼部接触部分形成。 该方法允许机翼接触部分的尺寸的可操作性，同时基于期望的操作频率保持门接触部分的尺寸。 这是通过在翼接触部分上提供一个或多个额外的导电材料工艺来实现的，以增加翼接触部分的横截面面积来减小栅极电阻，同时保持栅极接触部分的长度以维持栅极接触部分的工作频率 装置。

公开(公告)号：US20090267115A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12150417

申请日：2008-04-28

申请人： Carol Osaka Namba ,  Po-Hsin Liu ,  Ioulia Smorchkova ,  Michael Wojtowicz ,  Robert Coffie ,  Yaochung Chen

发明人： Carol Osaka Namba ,  Po-Hsin Liu ,  Ioulia Smorchkova ,  Michael Wojtowicz ,  Robert Coffie ,  Yaochung Chen

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/42316 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0277 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A method of fabricating a T-gate HEMT with a club extension comprising the steps of: providing a substrate; providing a bi-layer resist on the substrate; exposing an area of the bi-layer resist to electron beam lithography where the area corresponds to a T-gate opening; exposing an area of the bi-layer resist to electron beam lithography where the area corresponds to the shape of the club extension wherein the area corresponding to the club extension is approximately 1 micron to an ohmic source side of a T-gate and approximately 0.5 microns forward from a front of the T-gate; developing out the bi-layer resist in the exposed area that corresponds to the T-gate opening; developing out the bi-layer resist in the exposed area that corresponds to the club extension; and forming the T-gate and club extension through a metallization process.

摘要翻译： 一种制造具有球杆延伸部的T形门HEMT的方法，包括以下步骤：提供衬底; 在基板上提供双层抗蚀剂; 将双层抗蚀剂的区域暴露于电子束光刻，其中该区域对应于T形栅极开口; 将双层抗蚀剂的区域暴露于电子束光刻，其中该区域对应于球杆延伸部的形状，其中对应于球杆延伸部分的区域对于T形闸门的欧姆源侧为约1微米，大约为0.5微米 从T型门前方前进; 在对应于T型门开口的暴露区域中形成双层抗蚀剂; 在对应于俱乐部延伸的暴露区域中开发双层抗蚀剂; 以及通过金属化工艺形成T形门和球杆延伸。

公开(公告)号：US07897446B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12659910

申请日：2010-03-25

申请人： Ioulia Smorchkova ,  Robert Coffie ,  Ben Heying ,  Carol Namba ,  Po-Hsin Liu ,  Boris Hikin

发明人： Ioulia Smorchkova ,  Robert Coffie ,  Ben Heying ,  Carol Namba ,  Po-Hsin Liu ,  Boris Hikin

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor device is fabricated to include source and drain contacts including an ohmic metal sunken into the barrier layer and a portion of the channel layer; a protective dielectric layer disposed between the source and drain contacts on the barrier layer; a metallization layer disposed in drain and source ohmic vias between the source contact and the protective dielectric layer and between the protective dielectric layer and the drain contact; and a metal T-gate disposed above the barrier layer including a field mitigating plate disposed on a side portion of a stem of the metal T-gate.

摘要翻译： 半导体器件被制造为包括源极和漏极触点，其包括凹陷在阻挡层中的欧姆金属和沟道层的一部分; 保护介电层，设置在阻挡层上的源极和漏极接触之间; 设置在源极和保护电介质层之间以及保护电介质层和漏极接触之间的漏极和源极欧姆通孔中的金属化层; 以及设置在所述阻挡层上方的金属T型栅极，包括设置在所述金属T型栅极的杆的侧部上的场缓和板。