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    Electronic device
    1.
    发明申请
    Electronic device 有权
    电子设备

    公开(公告)号：US20070108875A1

    公开(公告)日：2007-05-17

    申请号：US10584042

    申请日：2004-12-20

    申请人： Mareike Klee ,  Theodoor Gertrudis Silvester Rijks ,  Pieter Lok ,  Ruediger Mauczok

    发明人： Mareike Klee ,  Theodoor Gertrudis Silvester Rijks ,  Pieter Lok ,  Ruediger Mauczok

    IPC分类号： H01L41/00

    CPC分类号： H01G5/18 ,  H01G5/40 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/094

    摘要： The microelectromechanical system (MEMS) element (101) comprises a first electrode (310 that is present on a surface of sustate(30) an a movable element (40). This overlies at least partially the first electrode (31) and comprises a piezo-electric actuator, which movable element (40) is movable towards and from the substrate (30) by application of an actuation voltage between a first and a second position, in which first position it is separated from the substrate (30) by a gap. Herein the piezoelectric actuator comprises a piezoelectric layer (25) that is on opposite surfaces provided with a second and a third electrode (21,22) respectively, said second electrode (21) facing the substrate (30) and said third electrode (22) forming an input electrode of the MEMS element (101), so that a current path between through the MEMS element (101) comprises the piezoelectric layer (25) and the tunable gap.

    摘要翻译： 微机电系统（MEMS）元件（101）包括第一电极（310，其位于支撑件的表面上，具有可移动元件），其至少部分地覆盖第一电极（31），并且包括压电 电动致动器，其中所述可移动元件（40）可以通过施加第一和第二位置之间的致动电压而朝向和离开所述基板（30）移动，其中第一位置与所述基板（30）分隔开间隙 这里，压电致动器包括分别在设置有第二和第三电极（21,22）的相对表面上的压电层（25），所述第二电极（21）面向衬底（30）和所述第三电极（22） ）形成MEMS元件（101）的输入电极，使得穿过MEMS元件（101）之间的电流路径包括压电层（25）和可调节间隙。

    TRANSDUCER ARRANGEMENT AND METHOD FOR ACQUIRING SONO-ELASTOGRAPHICAL DATA AND ULTRASONIC DATA OF A MATERIAL
    2.
    发明申请
    TRANSDUCER ARRANGEMENT AND METHOD FOR ACQUIRING SONO-ELASTOGRAPHICAL DATA AND ULTRASONIC DATA OF A MATERIAL 审中-公开
    用于获取SONO-ELASTOGRAPHICAL数据和材料的超声波数据的传感器布置和方法

    公开(公告)号：US20110137166A1

    公开(公告)日：2011-06-09

    申请号：US13058370

    申请日：2009-08-10

    申请人： Mareike Klee ,  Michael Harald Kuhn ,  Karen Irene Trovato ,  Christianus Martinus Van Heesch ,  Ruediger Mauczok ,  Marco De Wild ,  Biju Kumar Sreedharan Nair ,  Klaus Reimann

    发明人： Mareike Klee ,  Michael Harald Kuhn ,  Karen Irene Trovato ,  Christianus Martinus Van Heesch ,  Ruediger Mauczok ,  Marco De Wild ,  Biju Kumar Sreedharan Nair ,  Klaus Reimann

    IPC分类号： A61B8/00

    CPC分类号： A61B8/485 ,  A61B8/4281 ,  A61B8/4416 ,  A61B8/4472 ,  A61B8/4483 ,  A61B8/4494 ,  A61B2562/0204 ,  A61B2562/164 ,  B06B1/0292 ,  G01H11/06 ,  G10K9/125

    摘要： The present invention relates to a transducer arrangement, particularly a transducer arrangement for acquiring tissue information, a method for using a transducer arrangement for acquiring tissue information and a glove which comprises a transducer arrangement. The transducer arrangement 21 for analysing material 40 comprises: a first transducer element 51 for inducing and receiving mechanical displacements in the material to be analysed 40; and an analysing unit 30. The transducer arrangement is arranged such as to be flexible in order to conform with a curved surface of the material to be analysed 40; and the transducer arrangement 21 is adapted to derive a first signal from a low frequency spectrum of mechanical displacements which first signal correlates to sono-elastographical properties of a material to be analysed 40; and the transducer arrangement 21 is adapted to derive a second signal from a high frequency spectrum of mechanical displacements received by the first transducer element 51 which second signal correlates to ultrasonic properties of a material to be analysed 40. With a transducer arrangement according to the invention it may be possible to generate information about the topographical anatomy and information about elastical properties of the material to be analyzed in parallel, whereby the transducer arrangement may be adapted to the unevenness of the material's surface optimally due to its flexibility which may allow the examiner or user of the transducer arrangement to analyze regions which normally may have an uneven surface profile, which may only be reached with difficulty or whose examination may cause inconvenience to the examiner as well as to the person that is being examined.

    摘要翻译： 本发明涉及一种换能器装置，特别是一种用于获取组织信息的换能器装置，一种使用换能器装置来获取组织信息的方法和一种包括换能器装置的手套。 用于分析材料40的换能器装置21包括：用于诱导和接收待分析材料40中的机械位移的第一换能器元件51; 和分析单元30.换能器装置布置成柔性以便与要分析的材料40的曲面一致; 并且换能器装置21适于从低频谱的机械位移导出第一信号，第一信号与要分析的材料40的声弹性特性相关; 并且换能器装置21适于从由第一换能器元件51接收的机械位移的高频谱导出第二信号，第二信号与待分析的材料的超声波属性相关。使用根据本发明的换能器装置 有可能产生关于地形解剖学的信息和关于要分析的材料的弹性特性的信息并行地进行，由此，换能器装置可以由于其灵活性而适应于材料表面的不均匀性，其灵活性可允许检查者或 换能器装置的使用者分析通常可能具有不平坦表面轮廓的区域，其可能只能难以达到或者检查可能对检查者以及被检查者造成不便。

    Electronic Device and Use Thereof
    3.
    发明申请
    Electronic Device and Use Thereof 失效
    电子设备及其用途

    公开(公告)号：US20080258257A1

    公开(公告)日：2008-10-23

    申请号：US11817706

    申请日：2006-02-27

    申请人： Mareike Klee ,  Rainer Kiewitt ,  Ulrich Schiebel ,  Hans-Wolfgang Brand ,  Ruediger Mauczok

    发明人： Mareike Klee ,  Rainer Kiewitt ,  Ulrich Schiebel ,  Hans-Wolfgang Brand ,  Ruediger Mauczok

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The integrated capacitor structure comprises a first branch with a first capacitor (60) and a second branch with a second capacitor (70). The second capacitor (70) has a higher capacitance density and a lower breakdown voltage than the first capacitor (60). The first branch has a shorter RC time constant than the second branch, such that a voltage peak will substantially follow the first branch. This first capacitor (60) has a sufficient capacity to store the charge of the voltage peak. In one embodiment, the second capacitor (70) is a stacked capacitor. The structure is suitable for ESD-protection and may, to this end, additionally comprise diodes (21) and resistors (22).

    摘要翻译： 集成电容器结构包括具有第一电容器（60）的第一分支和具有第二电容器（70）的第二分支。 第二电容器（70）具有比第一电容器（60）更高的电容密度和更低的击穿电压。 第一分支具有比第二分支更短的RC时间常数，使得电压峰值将基本上跟随第一分支。 该第一电容器（60）具有足够的容量来存储电压峰值的电荷。 在一个实施例中，第二电容器（70）是层叠电容器。 该结构适用于ESD保护，并且为此，还可以包括二极管（21）和电阻器（22）。

    ESD protected integrated capacitor with large capacity
    4.
    发明授权
    ESD protected integrated capacitor with large capacity 失效
    ESD保护集成电容器，容量大

    公开(公告)号：US07838965B2

    公开(公告)日：2010-11-23

    申请号：US11817706

    申请日：2006-02-27

    申请人： Mareike Klee ,  Rainer Kiewitt ,  Ulrich Schiebel ,  Hans-Wolfgang Brand ,  Ruediger Mauczok

    发明人： Mareike Klee ,  Rainer Kiewitt ,  Ulrich Schiebel ,  Hans-Wolfgang Brand ,  Ruediger Mauczok

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The integrated capacitor structure comprises a first branch with a first capacitor (60) and a second branch with a second capacitor (70). The second capacitor (70) has a higher capacitance density and a lower breakdown voltage than the first capacitor (60). The first branch has a shorter RC time constant than the second branch, such that a voltage peak will substantially follow the first branch. This first capacitor (60) has a sufficient capacity to store the charge of the voltage peak. In one embodiment, the second capacitor (70) is a stacked capacitor. The structure is suitable for ESD-protection and may, to this end, additionally comprise diodes (21) and resistors (22).

    摘要翻译： 集成电容器结构包括具有第一电容器（60）的第一分支和具有第二电容器（70）的第二分支。 第二电容器（70）具有比第一电容器（60）更高的电容密度和更低的击穿电压。 第一分支具有比第二分支更短的RC时间常数，使得电压峰值将基本上跟随第一分支。 该第一电容器（60）具有足够的容量来存储电压峰值的电荷。 在一个实施例中，第二电容器（70）是层叠电容器。 该结构适用于ESD保护，并且为此，还可以包括二极管（21）和电阻器（22）。

    Thin film ultrasound transducer
    5.
    发明授权
    Thin film ultrasound transducer 有权
    薄膜超声波换能器

    公开(公告)号：US09440258B2

    公开(公告)日：2016-09-13

    申请号：US13812640

    申请日：2011-07-12

    申请人： Mareike Klee ,  Ruediger Mauczok ,  Henri Marie Joseph Boots ,  Nico Maris Adriaan De Wild ,  Biju Kumar Sreedharan Nair ,  Olaf Wunnicke ,  Willem Franke Pasveer ,  Dirk Van De Lagemaat ,  Peter Dirksen

    发明人： Mareike Klee ,  Ruediger Mauczok ,  Henri Marie Joseph Boots ,  Nico Maris Adriaan De Wild ,  Biju Kumar Sreedharan Nair ,  Olaf Wunnicke ,  Willem Franke Pasveer ,  Dirk Van De Lagemaat ,  Peter Dirksen

    IPC分类号： B06B1/06

    CPC分类号： H03H3/02 ,  B06B1/06 ,  B06B1/0622 ,  B06B1/0688 ,  H03H9/172

    摘要： The present invention relates to a transducer (11) comprising—a membrane (31) configured to change shape in response to a force, the membrane (31) having a first major surface (16) and a second major surface (17), —a piezoelectric layer (18) formed over the first major surface (16) of the membrane (31), the piezoelectric layer (18) having an active portion, —first and second electrodes (19) in contact with the piezoelectric layer (18), wherein an electric field between the first and second electrodes (19) determines the mechanical movement of the piezoelectric layer (18), —support structures (40) at the second major surface (17) of the membrane (15) on adjacent sides of the active portion of the piezoelectric layer (18), at least part of the support structures (40) forming walls perpendicular, or at least not parallel, to the second major surface (17) of the membrane (31), so as to form a trench (41) of any shape underlying the active portion, so that an ultrasound transducer is obtained with a high output pressure at the support side than at the opposite side. The invention also relates to a method of forming such a transducer, and an array comprising at least one transducer of the like.

    摘要翻译： 本发明涉及一种换能器（11），其包括 - 被配置为响应于力而改变形状的膜（31），所述膜（31）具有第一主表面（16）和第二主表面（17）， - 形成在膜（31）的第一主表面（16）上方的压电层（18），压电层（18）具有有源部分，与压电层（18）接触的第一和第二电极（19） ，其中所述第一和第二电极（19）之间的电场确定所述压电层（18）的机械运动， - 在所述膜（15）的相邻侧上的所述膜（15）的第二主表面（17）处支撑结构（40） 压电层（18）的有效部分，至少部分支撑结构（40）形成与膜（31）的第二主表面（17）垂直或至少不平行的壁，以便形成 在活动部分下方的任何形状的沟槽（41），使得超声波换能器 s在支撑侧的高输出压力获得，而不是在相对侧。 本发明还涉及一种形成这种换能器的方法，以及包括至少一个这样的换能器的阵列。

    THIN FILM ULTRASOUND TRANSDUCER
    6.
    发明申请
    THIN FILM ULTRASOUND TRANSDUCER 有权
    薄膜超声波传感器

    公开(公告)号：US20130208572A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：US13812640

    申请日：2011-07-12

    申请人： Mareike Klee ,  Ruediger Mauczok ,  Henri Marie Joseph Boots ,  Nico Maris Adriaan De Wild ,  Biju Kumar Sreedharan Nair ,  Olaf Wunnicke ,  Willem Franke Pasveer ,  Dirk Van De Lagemaat ,  Peter Dirksen

    发明人： Mareike Klee ,  Ruediger Mauczok ,  Henri Marie Joseph Boots ,  Nico Maris Adriaan De Wild ,  Biju Kumar Sreedharan Nair ,  Olaf Wunnicke ,  Willem Franke Pasveer ,  Dirk Van De Lagemaat ,  Peter Dirksen

    IPC分类号： B06B1/06

    CPC分类号： H03H3/02 ,  B06B1/06 ,  B06B1/0622 ,  B06B1/0688 ,  H03H9/172

    摘要： The present invention relates to a transducer (11) comprising—a membrane (31) configured to change shape in response to a force, the membrane (31) having a first major surface (16) and a second major surface (17),—a piezoelectric layer (18) formed over the first major surface (16) of the membrane (31), the piezoelectric layer (18) having an active portion,—first and second electrodes (19) in contact with the piezoelectric layer (18), wherein an electric field between the first and second electrodes (19) determines the mechanical movement of the piezoelectric layer (18),—support structures (40) at the second major surface (17) of the membrane (15) on adjacent sides of the active portion of the piezoelectric layer (18), at least part of the support structures (40) forming walls perpendicular, or at least not parallel, to the second major surface (17) of the membrane (31), so as to form a trench (41) of any shape underlying the active portion, so that an ultrasound transducer is obtained with a high output pressure at the support side than at the opposite side. The invention also relates to a method of forming such a transducer, and an array comprising at least one transducer of the like.

    摘要翻译： 本发明涉及一种换能器（11），其包括 - 被配置为响应于力而改变形状的膜（31），所述膜（31）具有第一主表面（16）和第二主表面（17）， - 形成在膜（31）的第一主表面（16）上方的压电层（18），压电层（18）具有有源部分，与压电层（18）接触的第一和第二电极（19） ，其中所述第一和第二电极（19）之间的电场确定所述压电层（18）的机械运动， - 在膜（15）的相邻侧上的第二主表面（17）处的支撑结构（40） 压电层（18）的有效部分，至少部分支撑结构（40）形成与膜（31）的第二主表面（17）垂直或至少不平行的壁，以便形成 在活动部分下方具有任何形状的沟槽（41），从而获得超声换能器 在支撑侧具有高于相对侧的高输出压力。 本发明还涉及一种形成这种换能器的方法，以及包括至少一个这样的换能器的阵列。