公开(公告)号：US07005708B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10435817

申请日：2003-05-12

申请人： Markus Paul Josef Mergens ,  Koen Gerard Maria Verhaege ,  Cornelius Christian Russ ,  John Armer ,  Phillip Czeslaw Jozwiak ,  Bart Keppens

发明人： Markus Paul Josef Mergens ,  Koen Gerard Maria Verhaege ,  Cornelius Christian Russ ,  John Armer ,  Phillip Czeslaw Jozwiak ,  Bart Keppens

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0277 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： An electrostatic discharge (ESD) MOS transistor including a plurality of interleaved fingers, where the MOS transistor is formed in an I/O periphery of and integrated circuit (IC) for providing ESD protection for the IC. The MOS transistor includes a P-substrate and a Pwell disposed over the P-substrate. The plurality of interleaved fingers each include an N+ source region, an N+ drain region, and a gate region formed over a channel region disposed between the source and drain regions. Each source and drain includes a row of contacts that is shared by an adjacent finger, wherein each contact hole in each contact row has a distance to the gate region defined under minimum design rules for core functional elements of the IC. The Pwell forms a common parasitic bipolar junction transistor base for contemporaneously triggering each finger of the MOS transistor during an ESD event.

摘要翻译： 一种包括多个交错指状物的静电放电（ESD）MOS晶体管，其中MOS晶体管形成在用于IC的ESD保护的I / O外围和集成电路（IC）中。 MOS晶体管包括设置在P基板上的P基板和Pwell。 多个交错指状物各自包括N +源极区域，N +漏极区域和形成在设置在源极和漏极区域之间的沟道区域上的栅极区域。 每个源极和漏极包括由相邻手指共享的一排触点，其中每个触点行中的每个接触孔具有与IC的核心功能元件的最小设计规则下限定的栅极区域的距离。 Pwell形成一个公共寄生双极结晶体管基极，用于在ESD事件期间同时触发MOS晶体管的每个指状。

公开(公告)号：US07233467B2

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：US11087384

申请日：2005-03-23

申请人： Markus Paul Josef Mergens ,  Frederic Marie Dominique De Ranter ,  Benjamin Van Camp ,  Koen Gerard Maria Verhaege ,  Phillip Czeslaw Jozwiak ,  John Armer ,  Bart Keppens

发明人： Markus Paul Josef Mergens ,  Frederic Marie Dominique De Ranter ,  Benjamin Van Camp ,  Koen Gerard Maria Verhaege ,  Phillip Czeslaw Jozwiak ,  John Armer ,  Bart Keppens

IPC分类号： H02H9/00 ,  H02H3/22 ,  H02H1/00 ,  H02H1/04 ,  H02H9/06 ,  H01C7/12

CPC分类号： H01L27/0251 ,  H03K17/08122

摘要： A method and apparatus for providing ESD event protection for a circuit using a source or bulk pump to increase the bulk and/or source potential level during an ESD event. The apparatus comprises a protection circuit that, in response to an ESD event, limits the voltage formed between two terminals of a transistor by adjusting a potential level on the second terminal.

摘要翻译： 一种用于使用源或体积泵为电路提供ESD事件保护以在ESD事件期间增加体积和/或源极电位电平的方法和装置。 该装置包括保护电路，其响应于ESD事件，通过调节第二端子上的电位电平来限制在晶体管的两个端子之间形成的电压。

公开(公告)号：US07763940B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US11303054

申请日：2005-12-15

申请人： Markus Paul Josef Mergens ,  Bart Keppens ,  Koen Verhaege ,  John Armer ,  Cong Son Trinh

发明人： Markus Paul Josef Mergens ,  Bart Keppens ,  Koen Verhaege ,  John Armer ,  Cong Son Trinh

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/027

摘要： An electronic device having an LV-well element trigger structure that reduces the effective snapback trigger voltage in MOS drivers or ESD protection devices. A reduced triggering voltage facilitates multi-finger turn-on and thus uniform current flow and/or helps to avoid competitive triggering issues.

摘要翻译： 具有LV-阱元件触发结构的电子器件，其减少MOS驱动器或ESD保护器件中的有效快速恢复触发电压。 降低的触发电压有助于多手指开启，从而均匀的电流流动和/或有助于避免竞争性触发问题。

公开(公告)号：US20060170054A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11303054

申请日：2005-12-15

申请人： Markus Mergens ,  Bart Keppens ,  Koen Verhaege ,  John Armer ,  Cong Trinh

发明人： Markus Mergens ,  Bart Keppens ,  Koen Verhaege ,  John Armer ,  Cong Trinh

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/027

摘要： An electronic device having an LV-well element trigger structure that reduces the effective snapback trigger voltage in MOS drivers or ESD protection devices. A reduced triggering voltage facilitates multi-finger turn-on and thus uniform current flow and/or helps to avoid competitive triggering issues.

摘要翻译： 具有LV-阱元件触发结构的电子器件，其减少MOS驱动器或ESD保护器件中的有效快速恢复触发电压。 降低的触发电压有助于多手指开启，从而均匀的电流流动和/或有助于避免竞争性触发问题。

公开(公告)号：US20050231866A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11087384

申请日：2005-03-23

申请人： Markus Mergens ,  Frederic De Ranter ,  Benjamin Camp ,  Koen Verhaege ,  Phillip Jozwiak ,  John Armer ,  Bart Keppens

发明人： Markus Mergens ,  Frederic De Ranter ,  Benjamin Camp ,  Koen Verhaege ,  Phillip Jozwiak ,  John Armer ,  Bart Keppens

IPC分类号： H01L27/02 ,  H02H9/00 ,  H03K17/0812

CPC分类号： H01L27/0251 ,  H03K17/08122

摘要： A method and apparatus for providing ESD event protection for a circuit using a source or bulk pump to increase the bulk and/or source potential level during an ESD event. The apparatus comprises a protection circuit that, in response to an ESD event, limits the voltage formed between two terminals of a transistor by adjusting a potential level on the second terminal.

摘要翻译： 一种用于使用源或体积泵为电路提供ESD事件保护以在ESD事件期间增加体积和/或源极电位电平的方法和装置。 该装置包括保护电路，其响应于ESD事件，通过调节第二端子上的电位电平来限制在晶体管的两个端子之间形成的电压。

公开(公告)号：US20080002321A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11769127

申请日：2007-06-27

申请人： Bart Sorgeloos ,  Bart Keppens ,  Benjamin Van Camp

发明人： Bart Sorgeloos ,  Bart Keppens ,  Benjamin Van Camp

IPC分类号： H02H9/02

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/7436

摘要： The present invention provides an ESD protection circuit for a ESD clamp such as an SCR in the protection of an integrated circuit. In one embodiment of the invention, the SCR having at least one interspersed high-doped first region formed within a first lightly doped region and at least one interspersed high-doped second region formed within a second lightly doped region. The circuit further comprising at least one guardring connected to at least one trigger tap of the SCR to collect the ESD current to provide for a fast and easier triggering of the SCR.

摘要翻译： 本发明提供一种用于ESD保护电路的ESD保护电路，例如集成电路保护中的SCR。 在本发明的一个实施例中，SCR具有形成在第一轻掺杂区域内的至少一个散布的高掺杂第一区域和形成在第二轻掺杂区域内的至少一个散置的高掺杂第二区域。 该电路还包括连接到SCR的至少一个触发抽头的至少一个防护装置，以收集ESD电流以提供SCR的快速和容易的触发。

公开(公告)号：US20080218920A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12043206

申请日：2008-03-06

申请人： Pieter Vanysacker ,  Olivier Marichal ,  Bart Sorgeloos ,  Benjamin Van Camp ,  Bart Keppens ,  Johan Van der Borght

发明人： Pieter Vanysacker ,  Olivier Marichal ,  Bart Sorgeloos ,  Benjamin Van Camp ,  Bart Keppens ,  Johan Van der Borght

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An apparatus having an inter-domain electrostatic discharge (ESD) protection circuit for protection of an integrated circuit (IC) with multiple power domains. The protection circuit in response to an ESD event provides an ESD protection between different power domains. Specifically, the protection circuit comprises at least one clamp coupled to one power domain, which conducts current during an ESD event to provide extra current in the interface line between the two different power domains. This extra current also in turn increases the voltage over the impedance element on the interface line, thus improving the design margins for the ESD protection and providing a better ESD protection capability for IC products.

摘要翻译： 一种具有用于保护具有多个电源域的集成电路（IC）的域间静电放电（ESD）保护电路的装置。 响应于ESD事件的保护电路在不同的电源域之间提供ESD保护。 具体地，保护电路包括耦合到一个电源域的至少一个钳位电路，其在ESD事件期间传导电流以在两个不同电源域之间的接口线路中提供额外的电流。 这种额外的电流又增加了接口线路上的阻抗元件上的电压，从而提高了ESD保护的设计裕度，并为IC产品提供了更好的ESD保护能力。

公开(公告)号：US20060268477A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11229025

申请日：2005-09-16

申请人： Benjamin Camp ,  Bart Keppens

发明人： Benjamin Camp ,  Bart Keppens

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0262

摘要： Apparatus for ESD circuit protection including a trigger subcircuit coupled between a first voltage reference potential and second voltage reference potential and an ESD shunt subcircuit coupled to the trigger subcircuit between a circuit device to be ESD-protected and the second voltage reference potential. The ESD shunt subcircuit is adapted for connection by a pad of an integrated circuit (IC) connection. The ESD shunt subcircuit is a silicon-controlled rectifier (SCR) that has an anode connected to the circuit device to be ESD-protected and a cathode connected to the second voltage reference potential. The trigger subcircuit is either an RC-triggered PMOS or a GGNMOS and series connected resistor.

摘要翻译： 用于ESD电路保护的装置，包括耦合在第一参考电压和第二参考电压之间的触发子电路以及耦合到要被ESD保护的电路装置与第二电压参考电位之间的触发器子电路的ESD分流子电路。 ESD分流子电路适于通过集成电路（IC）连接的焊盘进行连接。 ESD分流辅助电路是可控硅整流器（SCR），其具有连接到电路器件的阳极以被ESD保护，并且阴极连接到第二参考电压。 触发子电路是RC触发的PMOS或GGNMOS和串联电阻。

公开(公告)号：US20050286188A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11147668

申请日：2005-06-08

申请人： Benjamin Camp ,  Frederic Ranter ,  Geert Wybo ,  Bart Keppens

发明人： Benjamin Camp ,  Frederic Ranter ,  Geert Wybo ,  Bart Keppens

IPC分类号： H01L27/02 ,  H02H9/00 ,  H03K17/0814

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H03K17/08142

摘要： A method and apparatus for providing ESD protection. An ESD clamp is connected across the terminals to be protected circuit. The clamp is coupled to a current detector that activates the clamp when current from an ESD event exceeds a predefined limit.

摘要翻译： 一种用于提供ESD保护的方法和装置。 ESD钳位在被保护电路的两端连接。 钳位电流耦合到电流检测器，当来自ESD事件的电流超过预定极限时，该电流检测器激活钳位。

公开(公告)号：US20070247772A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11737469

申请日：2007-04-19

申请人： Bart Keppens ,  Benjamin Van Camp ,  Aagje Bens ,  Pieter Vanysacker ,  Steven Thijs

发明人： Bart Keppens ,  Benjamin Van Camp ,  Aagje Bens ,  Pieter Vanysacker ,  Steven Thijs

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0266

摘要： The present invention provides an improvement on ESD protection circuitry by controlling the trigger circuit to prevent the unwanted triggering of the device. The circuitry includes an ESD clamp with a trigger circuit coupled to the clamp. Both the clamp and the trigger circuit are coupled to a first reference potential. The circuitry also includes a control line coupled to the trigger circuit. The control line is coupled to a second reference potential to further control the behavior of the trigger circuit such that when the power is supplied to the second reference potential, the control line disables the trigger circuit, and when power is not supplied to the second reference potential, the control line enables the trigger circuit.

摘要翻译： 本发明通过控制触发电路来防止不期望的触发装置来提供ESD保护电路的改进。 该电路包括具有与钳位件耦合的触发电路的ESD钳位。 钳位电路和触发电路都耦合到第一参考电位。 电路还包括耦合到触发电路的控制线。 控制线耦合到第二参考电位以进一步控制触发电路的行为，使得当电力被提供给第二参考电位时，控制线禁止触发电路，并且当不向第二参考电源供电时 电位，控制线使能触发电路。