公开(公告)号：US5728279A

公开(公告)日：1998-03-17

申请号：US356109

申请日：1994-12-15

申请人： Martin Schlott ,  Martin Weigert ,  Kwei Teng ,  Bruce Gehman

发明人： Martin Schlott ,  Martin Weigert ,  Kwei Teng ,  Bruce Gehman

IPC分类号： C22C19/07 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC分类号： C22C19/07 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

摘要： Target for a magnetron-cathode sputtering apparatus is made from a cobalt base alloy containing additional elements in such concentrations that intermetallic phases are formed with at least one of these elements and intermetallic phases are observed on the basis of the phase diagram in the state of equilibrium at the operating temperature of the target. The grain boundaries, sub-grain boundaries, twin-grain boundaries or slip bands of the cobalt mixed crystal forming the matrix are decorated with the elements forming the intermetallic phases. X-ray diffraction diagrams made from the target display reflections of an intermetallic phase which is largely absent in the cast state and which forms only during a heat treatment in the temperature range below the solidus temperature of the alloy by a solid state reaction.

摘要翻译： 用于磁控阴极溅射装置的靶由含有这样浓度的附加元素的钴基合金制成，金属相形成在这些元素中的至少一个上，并且基于平衡状态下的相图观察金属间相 在目标的工作温度。 形成基体的钴混合晶体的晶界，亚晶界，双晶边界或滑带由形成金属间相的元素进行装饰。 由目标显示出的铸造状态中大部分不存在并且仅在通过固相反应在合金的固相线温度范围内的热处理期间形成的金属间化合物相的X射线衍射图。

公开(公告)号：US5480532A

公开(公告)日：1996-01-02

申请号：US336769

申请日：1994-11-09

申请人： Martin Schlott ,  Martin Kutzner ,  Martin Weigert ,  Uwe Konietzka ,  Bruce Gehman ,  Shawn Vahlstrom

发明人： Martin Schlott ,  Martin Kutzner ,  Martin Weigert ,  Uwe Konietzka ,  Bruce Gehman ,  Shawn Vahlstrom

IPC分类号： C04B35/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： C04B35/01 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

摘要： A target for production of transparent electrically conductive layers by cathode sputtering is produced from indium oxide-tin oxide powder mixtures or coprecipitated indium oxide-tin oxide powders. A target with especially high mechanical strength consists of an oxide ceramic material into which metallic phase components have been incorporated in a uniform and finely distributed manner and which has a density of more than 96% of the theoretical density of indium oxide/tin oxide consisting purely of oxide.

摘要翻译： 通过阴极溅射制造透明导电层的目标是由氧化铟 - 氧化锡粉末混合物或共沉淀的氧化铟 - 氧化锡粉末制成。 具有特别高的机械强度的靶材由氧化物陶瓷材料组成，其中金属相组分以均匀和精细分布的方式引入其中，并且其密度大于纯的氧化铟/氧化锡的理论密度的96％ 的氧化物。

公开(公告)号：US5531948A

公开(公告)日：1996-07-02

申请号：US384181

申请日：1995-02-06

申请人： Martin Schlott ,  Martin Kutzner ,  Martin Weigert ,  Wolfgang Dauth ,  Bruce Gehman

发明人： Martin Schlott ,  Martin Kutzner ,  Martin Weigert ,  Wolfgang Dauth ,  Bruce Gehman

IPC分类号： C04B35/628 ,  C04B35/00 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  B29C43/02

CPC分类号： C04B35/457 ,  C23C14/3414

摘要： The tin-containing component of a powder mixture includes SnO and is subjected to a mixing treatment with the In.sub.2 O.sub.3 before compaction to adjust the degree of reduction of the sputtering target in a simple and reproducible manner.

摘要翻译： 粉末混合物的含锡组分包括SnO，并且在压实之前用In2O3进行混合处理，以简单且可再现的方式调节溅射靶的还原程度。

公开(公告)号：US06187253B1

公开(公告)日：2001-02-13

申请号：US08963053

申请日：1997-11-03

申请人： Martin Schlott ,  Wolfgang Dauth ,  Martin Kutzner ,  Bruce Gehman ,  Shawn Vahlstrom

发明人： Martin Schlott ,  Wolfgang Dauth ,  Martin Kutzner ,  Bruce Gehman ,  Shawn Vahlstrom

IPC分类号： C04B35457

CPC分类号： C04B35/6455 ,  C04B35/457 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

摘要： An indium oxide/tin oxide powder with 5-15 wt. % tin oxide is subjected to an annealing treatment at T≧1, 000° C. and is then partially reduced and subjected to hot isostatic pressing to produce a sputtering target with a density of at least 95% of the theoretical density and a thermal conductivity of at least 14 Wm−1K−1.

摘要翻译： 具有5-15重量％的氧化铟/氧化锡粉末 氧化锡％在T> = 1000℃下进行退火处理，然后部分还原并进行热等静压，以产生密度为理论密度至少95％的热溅射靶 至少14 Wm-1K-1的电导率。

公开(公告)号：US5480531A

公开(公告)日：1996-01-02

申请号：US106986

申请日：1993-08-16

申请人： Martin Weigert ,  Uwe Konietzka ,  Bruce Gehman

发明人： Martin Weigert ,  Uwe Konietzka ,  Bruce Gehman

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08

CPC分类号： C04B35/645 ,  C04B35/01 ,  C23C14/3414

摘要： Oxide-ceramic targets of partially reduced indium oxide-tin oxide mixtures are described. The targets provide high sputter performances, and they exhibit an essentially defined degree of reduction between 0.02 and 0.3, a density between 75 and 98% of the theoretical density and a specific electric resistance between 89.times.10.sup.-3 and 0.25.times.10.sup.-3 .OMEGA. cm. The degree of reduction must not deviate at any point on the target surface by more than 5% from the average degree of reduction of the target. The targets are produced by means of hot-pressing the oxide mixtures which were partially reduced beforehand in a special method step.

摘要翻译： 描述部分还原的氧化铟 - 氧化锡混合物的氧化物 - 陶瓷靶。 这些靶提供高的溅射性能，并且它们表现出基本上限定的0.02和0.3之间的减小程度，理论密度的75-98％之间的密度以及89×10 -3和0.25×10 -3欧米加厘米之间的比电阻。 目标表面的任何一点的减少程度不能偏离目标平均减少程度的5％以上。 通过在特殊的方法步骤中预先将部分减少的氧化物混合物热压制备目标物。