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    MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    2.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT 有权
    磁电元件

    公开(公告)号：US20140284742A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：US13963762

    申请日：2013-08-09

    申请人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Hiroaki YODA

    发明人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Hiroaki YODA

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

    CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes first, second and third magnetic layers, and first and second nonmagnetic layers. The third magnetic layer has stack layers including a first stack layer close to the second magnetic layer, and a second stack layer far from the second magnetic layer. Each of the first and second stack layers includes a first layer made of a ferromagnetic material and a second layer made of a nonmagnetic material, and a first ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the first stack layer is higher than a second ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the second stack layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括第一，第二和第三磁性层以及第一和第二非磁性层。 第三磁性层具有包括靠近第二磁性层的第一堆叠层和远离第二磁性层的第二堆叠层的堆叠层。 第一和第二堆叠层中的每一个包括由铁磁材料制成的第一层和由非磁性材料制成的第二层，并且第一层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第一比率 高于第二层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第二比率。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    6.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT 有权
    磁电元件

    公开(公告)号：US20140286084A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：US13963654

    申请日：2013-08-09

    申请人： Daisuke WATANABE ,  Youngmin EEH ,  Kazuya SAWADA ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE

    发明人： Daisuke WATANABE ,  Youngmin EEH ,  Kazuya SAWADA ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE

    IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/02

    CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a storage layer having perpendicular magnetic anisotropy with respect to a film plane and having a variable direction of magnetization, a reference layer having perpendicular magnetic anisotropy with respect to the film plane and having an invariable direction of magnetization, a tunnel barrier layer formed between the storage layer and the reference layer and containing O, and an underlayer formed on a side of the storage layer opposite to the tunnel barrier layer. The reference layer comprises a first reference layer formed on the tunnel barrier layer side and a second reference layer formed opposite the tunnel barrier layer. The second reference layer has a higher standard electrode potential than the underlayer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括相对于膜平面具有垂直磁各向异性且具有可变磁化方向的存储层，具有相对于膜平面具有垂直磁各向异性且具有不变的磁化方向的参考层 形成在存储层和参考层之间并且包含O的隧道势垒层，以及形成在与隧道势垒层相对的存储层侧的底层。 参考层包括形成在隧道势垒层侧的第一参考层和与隧道势垒层相对形成的第二参考层。 第二参考层具有比底层更高的标准电极电位。