公开(公告)号：US20150069542A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14157356

申请日：2014-01-16

申请人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

发明人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11B5/3909 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magneto-resistive element, includes forming a first ferromagnetic layer on a substrate, forming a tunnel barrier layer on the first ferromagnetic layer, forming a second ferromagnetic layer containing B on the tunnel barrier layer, exposing a laminate of the first ferromagnetic layer, the tunnel barrier layer, and the second ferromagnetic layer under a pressurized atmosphere, and annealing the laminate while being exposed to the pressurized atmosphere, thereby promoting the orientation of the second magnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，制造磁阻元件的方法包括在衬底上形成第一铁磁层，在第一铁磁层上形成隧道势垒层，在隧道势垒层上形成含有B的第二铁磁层， 在加压气氛下的第一铁磁层，隧道势垒层和第二铁磁层的层叠体，并且在暴露于加压气氛的同时退火层叠体，从而促进第二磁性层的取向。

公开(公告)号：US20160254442A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：US14814158

申请日：2015-07-30

申请人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE

发明人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive memory device includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, a nonmagnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer, and a third magnetic layer provided on a side of the first or second magnetic layer opposite to the nonmagnetic layer. The third magnetic layer has a multilayer film having an artificial lattice structure, and the third magnetic layer is partly microcrystalline or amorphous.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻存储器件包括第一磁性层，第二磁性层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层，以及设置在第一或第二磁性层的一侧的第三磁性层 层与非磁性层相对。 第三磁性层具有具有人造晶格结构的多层膜，第三磁性层是部分微晶或无定形的。

公开(公告)号：US20160099287A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14645239

申请日：2015-03-11

申请人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

发明人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive memory device, includes a metal buffer layer provided on a substrate, a crystalline metal nitride buffer layer provided on the metal buffer layer, and a magnetoresistive element provided on the metal nitride buffer layer. The metal nitride buffer layer and the metal buffer layer contain a same material.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻存储器件包括设置在衬底上的金属缓冲层，设置在金属缓冲层上的结晶金属氮化物缓冲层和设置在金属氮化物缓冲层上的磁阻元件。 金属氮化物缓冲层和金属缓冲层含有相同的材料。

公开(公告)号：US20150259788A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：US14479216

申请日：2014-09-05

申请人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Tokuhisa OHIWA

发明人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Tokuhisa OHIWA

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/34

CPC分类号： H01J37/3417 ,  C23C14/067 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3447

摘要： According to one embodiment, a sputtering apparatus includes a first chamber configured to form a magnetic film on a substrate and a second chamber configured to form a non-magnetic film on the substrate, which are disposed to be adjacent to each other so that the substrate is conveyable between the chambers. A magnetic target is provided in the first chamber, and a non-magnetic target and a low dielectric-constant target having a dielectric constant lower than that of the non-magnetic target are provided in the second chamber. Here, before the non-magnetic target is formed on the substrate by sputtering, the low dielectric-constant target is subjected to sputtering in the second chamber, thereby depositing a low dielectric-constant material on the inner surface of the second chamber.

摘要翻译： 根据一个实施例，溅射装置包括：第一室，被配置为在基板上形成磁膜;以及第二室，被配置为在所述基板上形成非磁性膜，所述非磁性膜设置成彼此相邻，使得所述基板 是可以在房间之间传送的。 在第一室中设置有磁性靶，在第二室中设置介电常数低于非磁性靶的介电常数的非磁性靶和低介电常数靶。 这里，在通过溅射在基板上形成非磁性靶之前，在第二室中对低介电常数靶进行溅射，从而在第二室的内表面上沉积低介电常数材料。

公开(公告)号：US20160130693A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：US14645254

申请日：2015-03-11

申请人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE

发明人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE

IPC分类号： C23C14/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  C23C14/06 ,  H01L43/02 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/568 ,  C23C14/541 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetoresistive memory device includes forming a first magnetic layer on a substrate, forming a cap layer on the first magnetic layer, heating a base including the cap layer after the cap layer is formed, forming a nonmagnetic layer on the cap layer while the base is heated, cooling the base including the nonmagnetic layer after the nonmagnetic layer is formed, and forming a second magnetic layer on the nonmagnetic layer after the base is cooled.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造磁阻存储器件的方法包括在衬底上形成第一磁性层，在第一磁性层上形成覆盖层，在覆盖层形成之后加热包括覆盖层的基底，形成非磁性 在加热基体的同时，在形成非磁性层之后冷却包含非磁性层的基底，在基底冷却后在非磁性层上形成第二磁性层。

公开(公告)号：US20160099408A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14639651

申请日：2015-03-05

申请人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

发明人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

IPC分类号： H01L43/12 ,  C23C14/08 ,  G01B15/02 ,  C23C14/52 ,  C23C14/54 ,  H01L27/22 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L43/12 ,  C23C14/081 ,  C23C14/545 ,  C23C14/5826 ,  G01B15/02 ,  H01L27/228

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing an insulating film, includes forming an insulating film on a substrate by sputtering, measuring a thickness of the insulating film at a plurality of locations, and irradiating a surface portion of the insulating film with X rays or ions, based on the measured thickness.

摘要翻译： 根据一个实施方案，制造绝缘膜的方法包括通过溅射在衬底上形成绝缘膜，在多个位置测量绝缘膜的厚度，并用X射线照射绝缘膜的表面部分 离子，基于测量的厚度。

公开(公告)号：US20160099288A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14656410

申请日：2015-03-12

申请人： Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA ,  Yang Kon KIM ,  Bo Mi LEE ,  Guk Cheon KIM ,  Won Joon CHOI ,  Ki Seon PARK

发明人： Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA ,  Yang Kon KIM ,  Bo Mi LEE ,  Guk Cheon KIM ,  Won Joon CHOI ,  Ki Seon PARK

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, a non-magnetic intermediate layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and an underlying layer provided on an opposite side of the first magnetic layer with respect to the intermediate layer, and the underlying layer contains AlN of a hcp structure.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括第一磁性层，第二磁性层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性中间层，以及设置在第一磁性层的相对侧上的下层 相对于中间层，下层包含hcp结构的AlN。

公开(公告)号：US20150069543A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14157387

申请日：2014-01-16

申请人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

发明人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11B5/3909 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetoresistive element includes forming a first ferromagnetic layer on a base substrate, forming a tunnel barrier layer on the first ferromagnetic layer, forming a second ferromagnetic layer containing B on the tunnel barrier layer, and performing annealing in a gas-phase atmosphere including a gas, after formation of the second ferromagnetic layer, the gas producing a reaction product with B, the reaction product having a melting point lower than a treatment temperature.

摘要翻译： 根据一个实施例，制造磁阻元件的方法包括在基底基板上形成第一铁磁层，在第一铁磁层上形成隧道势垒层，在隧道势垒层上形成含有B的第二铁磁层，并进行退火 在包括气体的气相气氛中，在形成第二铁磁层之后，产生与B反应产物的气体，反应产物的熔点低于处理温度。

公开(公告)号：US20160072046A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14627552

申请日：2015-02-20

申请人： Toshihiko NAGASE ,  Daisuke WATANABE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Kazuya SAWADA ,  Makoto NAGAMINE

发明人： Toshihiko NAGASE ,  Daisuke WATANABE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Kazuya SAWADA ,  Makoto NAGAMINE

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L27/222 ,  H01L21/67709 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element is disclosed. The magnetoresistive element includes an underlayer containing aluminum (Al), nitrogen (N) and X. The X is an element other than Al and N. A first magnetic layer is provided on the underlayer. A nonmagnetic layer is provided on the first magnetic layer. A second magnetic layer is provided on the nonmagnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁阻元件。 磁阻元件包括含有铝（Al），氮（N）和X的底层.X是除Al和N以外的元素。第一磁性层设置在底层上。 在第一磁性层上提供非磁性层。 第二磁性层设置在非磁性层上。

公开(公告)号：US20150263271A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：US14478971

申请日：2014-09-05

申请人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Masahiko NAKAYAMA

发明人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Masahiko NAKAYAMA

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, there is provided a magnetoresistive element, including a lower electrode having crystallinity on a substrate, a first conductive layer including an amorphous state on the lower electrode, a buffer layer on the first conductive layer, and an MTJ element on the buffer layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，提供了一种磁阻元件，包括在基板上具有结晶性的下电极，在下电极上包括非晶状态的第一导电层，在第一导电层上的缓冲层，以及在第一导电层上的MTJ元件 缓冲层。