利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

58 条记录 (耗时 0.023 秒)

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US20110103152A1

    公开(公告)日：2011-05-05

    申请号：US13004926

    申请日：2011-01-12

    申请人： Masahiro YOSHIHARA ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    发明人： Masahiro YOSHIHARA ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    IPC分类号： G11C16/28

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C7/065 ,  G11C7/067 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/063 ,  G11C2207/068

    摘要： A semiconductor memory device comprises a plurality of memory cells connected to a bit line; and a sense amplifier operative to sense the magnitude of cell current flowing via the bit line in a selected memory cell connected to the bit line to determine the value of data stored in the memory cell. The sense amplifier includes a first transistor for precharge operative to supply current in the bit line via a first and a second sense node, a second transistor for charge transfer interposed between the first and second sense nodes, and a third transistor for continuous current supply operative to supply current in the bit line not via the first and second sense nodes.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括连接到位线的多个存储器单元; 以及读出放大器，用于感测在连接到位线的所选择的存储器单元中经由位线流动的单元电流的大小，以确定存储在存储单元中的数据的值。 感测放大器包括用于预充电的第一晶体管，用于经由第一和第二感测节点在位线中提供电流，插入在第一和第二感测节点之间的用于电荷转移的第二晶体管和用于连续电流供应的第三晶体管 以不通过第一和第二感测节点在位线中提供电流。

    Semiconductor memory device
    2.
    发明授权
    Semiconductor memory device 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US08107293B2

    公开(公告)日：2012-01-31

    申请号：US13004926

    申请日：2011-01-12

    申请人： Masahiro Yoshihara ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    发明人： Masahiro Yoshihara ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    IPC分类号： G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C7/065 ,  G11C7/067 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/063 ,  G11C2207/068

    摘要： A semiconductor memory device comprises a plurality of memory cells connected to a bit line; and a sense amplifier operative to sense the magnitude of cell current flowing via the bit line in a selected memory cell connected to the bit line to determine the value of data stored in the memory cell. The sense amplifier includes a first transistor for precharge operative to supply current in the bit line via a first and a second sense node, a second transistor for charge transfer interposed between the first and second sense nodes, and a third transistor for continuous current supply operative to supply current in the bit line not via the first and second sense nodes.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括连接到位线的多个存储器单元; 以及读出放大器，用于感测在连接到位线的所选择的存储器单元中经由位线流动的单元电流的大小，以确定存储在存储单元中的数据的值。 感测放大器包括用于预充电的第一晶体管，用于经由第一和第二感测节点在位线中提供电流，插入在第一和第二感测节点之间的用于电荷转移的第二晶体管和用于连续电流供应的第三晶体管 以不通过第一和第二感测节点在位线中提供电流。

    Semiconductor memory device
    3.
    发明授权
    Semiconductor memory device 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US07881120B2

    公开(公告)日：2011-02-01

    申请号：US12408260

    申请日：2009-03-20

    申请人： Masahiro Yoshihara ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    发明人： Masahiro Yoshihara ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    IPC分类号： G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C7/065 ,  G11C7/067 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/063 ,  G11C2207/068

    摘要： A semiconductor memory device comprises a plurality of memory cells connected to a bit line; and a sense amplifier operative to sense the magnitude of cell current flowing via the bit line in a selected memory cell connected to the bit line to determine the value of data stored in the memory cell. The sense amplifier includes a first transistor for precharge operative to supply current in the bit line via a first and a second sense node, a second transistor for charge transfer interposed between the first and second sense nodes, and a third transistor for continuous current supply operative to supply current in the bit line not via the first and second sense nodes.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括连接到位线的多个存储器单元; 以及读出放大器，用于感测在连接到位线的所选择的存储器单元中经由位线流动的单元电流的大小，以确定存储在存储单元中的数据的值。 感测放大器包括用于预充电的第一晶体管，用于经由第一和第二感测节点在位线中提供电流，插入在第一和第二感测节点之间的用于电荷转移的第二晶体管和用于连续电流供应的第三晶体管 以不通过第一和第二感测节点在位线中提供电流。

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US20090244978A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：US12408260

    申请日：2009-03-20

    申请人： Masahiro Yoshihara ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    发明人： Masahiro Yoshihara ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C7/065 ,  G11C7/067 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/063 ,  G11C2207/068

    摘要： A semiconductor memory device comprises a plurality of memory cells connected to a bit line; and a sense amplifier operative to sense the magnitude of cell current flowing via the bit line in a selected memory cell connected to the bit line to determine the value of data stored in the memory cell. The sense amplifier includes a first transistor for precharge operative to supply current in the bit line via a first and a second sense node, a second transistor for charge transfer interposed between the first and second sense nodes, and a third transistor for continuous current supply operative to supply current in the bit line not via the first and second sense nodes.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括连接到位线的多个存储器单元; 以及读出放大器，用于感测在连接到位线的所选择的存储器单元中经由位线流动的单元电流的大小，以确定存储在存储单元中的数据的值。 感测放大器包括用于预充电的第一晶体管，用于经由第一和第二感测节点在位线中提供电流，插入在第一和第二感测节点之间的用于电荷转移的第二晶体管和用于连续电流供应的第三晶体管 以不通过第一和第二感测节点在位线中提供电流。

    Threshold detecting method and verify method of memory cells
    7.
    发明授权
    Threshold detecting method and verify method of memory cells 有权
    存储单元的阈值检测方法和验证方法

    公开(公告)号：US08559226B2

    公开(公告)日：2013-10-15

    申请号：US13052148

    申请日：2011-03-21

    申请人： Katsumi Abe ,  Masahiro Yoshihara ,  Toshiaki Edahiro

    发明人： Katsumi Abe ,  Masahiro Yoshihara ,  Toshiaki Edahiro

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/12 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3468

    摘要： According to one embodiment, a threshold detecting method for detecting threshold values of nonvolatile semiconductor memory cells comprises applying a preset voltage to a word line connected to the memory cells, and performing bit-line sense at two different timings during discharging of one of a bit line connected to the memory cells and a node corresponding to the bit line, while a potential of the word line is kept constant.

    摘要翻译： 根据一个实施例，用于检测非易失性半导体存储单元的阈值的阈值检测方法包括：将预设电压施加到连接到存储单元的字线，以及在放电期间的两个不同定时执行位线检测 线连接到存储器单元和对应于位线的节点，而字线的电位保持恒定。

    Method of programming a non-volatile memory device
    9.
    发明授权
    Method of programming a non-volatile memory device 有权
    编程非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US07911823B2

    公开(公告)日：2011-03-22

    申请号：US12123827

    申请日：2008-05-20

    申请人： Takuya Futatsuyama ,  Koji Hosono ,  Toshiaki Edahiro ,  Naoya Tokiwa ,  Kazushige Kanda ,  Shigeo Ohshima

    发明人： Takuya Futatsuyama ,  Koji Hosono ,  Toshiaki Edahiro ,  Naoya Tokiwa ,  Kazushige Kanda ,  Shigeo Ohshima

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

    CPC分类号： G11C11/36

    摘要： A method of programming a non-volatile memory device with memory cells formed of variable resistance elements and disposed between word lines and bit lines, includes: previously charging a selected word line and a selected bit line together with a non-selected word line and a non-selected bit line up to a certain voltage; and further charging the selected word line and the non-selected bit line up to a program voltage higher than the certain voltage and a program-block voltage, respectively, and simultaneously discharging the selected bit line.

    摘要翻译： 一种使用由可变电阻元件形成并且设置在字线和位线之间的存储单元来编程非易失性存储器件的方法包括：预先对所选择的字线和所选择的位线以及未选择的字线和 非选择位线达到一定电压; 并且进一步对所选字线和未选择的位线进行充电，直到分别高于特定电压和编程块电压的编程电压，并同时对所选择的位线进行放电。

    Non-volatile memory device
    10.
    发明授权
    Non-volatile memory device 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US07817457B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US12132972

    申请日：2008-06-04

    申请人： Naoya Tokiwa ,  Kazushige Kanda ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono ,  Takuya Futatsuyama ,  Shigeo Ohshima

    发明人： Naoya Tokiwa ,  Kazushige Kanda ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono ,  Takuya Futatsuyama ,  Shigeo Ohshima

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72

    摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes: a memory cell array including memory cells each having a variable resistance element for nonvolatilely storing data identified by an electrically rewritable resistance value; a first data latch storing write and erase data to be written on a given group of memory cells of the memory cell array for a write and erase operation; and a second data latch storing reference data for performing a compensation operation of the given group to compensate write and erase disturbance accompanied by the write or erase operation.

    摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括：存储单元阵列，其包括各自具有用于非易失性地存储由电可重写电阻值识别的数据的可变电阻元件的存储单元; 存储要写入存储单元阵列的给定组的存储单元的用于写入和擦除操作的写入和擦除数据的第一数据锁存器; 以及第二数据锁存器，存储用于执行给定组的补偿操作以补偿伴随着写入或擦除操作的写入和擦除干扰的参考数据。