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    METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL
    4.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL 有权
    制造太阳能电池的方法

    公开(公告)号：US20120052622A1

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：US13203509

    申请日：2010-02-26

    申请人： Tsuyoshi Takahama ,  Masayoshi Ono ,  Hiroyuki Mori ,  Youhei Murakami

    发明人： Tsuyoshi Takahama ,  Masayoshi Ono ,  Hiroyuki Mori ,  Youhei Murakami

    IPC分类号： H01L31/20

    CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A method for manufacturing a solar cell (100) includes the steps of: a step of cleaning an exposed region (R2) on a rear surface of an n-type crystalline silicon substrate (10n), wherein the step is carried out subsequent to a step of patterning an i-type amorphous semiconductor layer (11i) and a p-type amorphous semiconductor layer (11p) and prior to a step of forming an i-type amorphous semiconductor layer (12i).

    摘要翻译： 一种制造太阳能电池（100）的方法包括以下步骤：清洁n型晶体硅衬底（10n）的后表面上的暴露区域（R2）的步骤，其中所述步骤在 在形成i型非晶半导体层（11i）和p型非晶半导体层（11p）的图案化步骤之前，以及在形成i型非晶半导体层（12i）的步骤之前。

    Method of manufacturing solar cell
    8.
    发明授权
    Method of manufacturing solar cell 有权
    制造太阳能电池的方法

    公开(公告)号：US08664034B2

    公开(公告)日：2014-03-04

    申请号：US13203509

    申请日：2010-02-26

    申请人： Tsuyoshi Takahama ,  Masayoshi Ono ,  Hiroyuki Mori ,  Youhei Murakami

    发明人： Tsuyoshi Takahama ,  Masayoshi Ono ,  Hiroyuki Mori ,  Youhei Murakami

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A method for manufacturing a solar cell (100) includes the steps of: a step of cleaning an exposed region (R2) on a rear surface of an n-type crystalline silicon substrate (10n), wherein the step is carried out subsequent to a step of patterning an i-type amorphous semiconductor layer (11i) and a p-type amorphous semiconductor layer (11p) and prior to a step of forming an i-type amorphous semiconductor layer (12i).

    摘要翻译： 一种制造太阳能电池（100）的方法包括以下步骤：清洁n型晶体硅衬底（10n）的后表面上的暴露区域（R2）的步骤，其中所述步骤在 在形成i型非晶半导体层（11i）和p型非晶半导体层（11p）的图案化步骤之前，以及在形成i型非晶半导体层（12i）的步骤之前。

    PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND FABRICATION METHOD THEREOF
    9.
    发明申请
    PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
    光伏元件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080023069A1

    公开(公告)日：2008-01-31

    申请号：US11829349

    申请日：2007-07-27

    申请人： Norihiro TERADA ,  Masayoshi Ono ,  Shingo Okamoto

    发明人： Norihiro TERADA ,  Masayoshi Ono ,  Shingo Okamoto

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  B05D5/12 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/0512 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/50

    摘要： A photovoltaic element is obtained which allows use of a low-melting solder and can suppress reduction in reliability and output thereof due to mechanical stress or water intrusion.The photovoltaic element has a photoelectric conversion layer and a collector electrode provided on at least one surface of the photoelectric conversion layer. Characteristically, a collector electrode covering layer for covering a surface of the collector electrode is provided and a tab electrode for electrical connection to an exterior electrode is provided on a top surface of the collector electrode through the collector electrode covering layer. A portion of the collector electrode covering layer that lies between the tab electrode and collector electrode comprises a solder layer and another portion of the collector electrode covering layer that covers a lateral surface of the collector electrode comprises a thermosetting resin layer.

    摘要翻译： 获得能够使用低熔点焊料的光电元件，并且可以抑制由于机械应力或水侵入引起的可靠性和输出的降低。 光电元件具有光电转换层和设置在光电转换层的至少一个表面上的集电极。 特征在于，设置用于覆盖集电极表面的集电极覆盖层，并且通过集电极覆盖层在集电极的顶面设置用于与外部电极电连接的突片电极。 位于突片电极和集电极之间的集电极覆盖层的一部分包括焊料层，覆盖集电极侧面的集电极覆盖层的另一部分包含热固性树脂层。