公开(公告)号：US20080111237A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11559495

申请日：2006-11-14

申请人： Montray Cantrell Leavy ,  Jeffrey Alan West ,  Kyle James McPherson ,  Richard Allen Faust ,  Lixin Wu

发明人： Montray Cantrell Leavy ,  Jeffrey Alan West ,  Kyle James McPherson ,  Richard Allen Faust ,  Lixin Wu

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device that comprises forming an insulating layer over a semiconductive substrate 110 and forming a copper interconnect. Forming the interconnect includes etching an interconnect opening in the insulating layer and filling the opening with copper plating. Filling with copper plating includes using a first and second ECD. An electrolyte solution of the first and second ECD contains organic additives, and a current of the first ECD is greater than a current of the second ECD.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底110上形成绝缘层并形成铜互连。 形成互连包括蚀刻绝缘层中的互连开口并用铜电镀填充开口。 填充镀铜包括使用第一和第二ECD。 第一和第二ECD的电解质溶液含有有机添加剂，并且第一ECD的电流大于第二ECD的电流。

公开(公告)号：US06927159B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10446898

申请日：2003-05-27

申请人： Richard Allen Faust ,  Jiong-Ping Lu

发明人： Richard Allen Faust ,  Jiong-Ping Lu

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76862

摘要： According to one embodiment of the invention, a method for providing improved layer adhesion in a semiconductor is provided. The method includes forming a dielectric layer. The method also includes forming a layer of metal in direct contact with the dielectric layer. The method also includes directly exposing the layer of metal, after forming the layer of metal, to plasma at a power level sufficient to penetrate through the layer of metal and reach the dielectric layer.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，提供了一种用于在半导体中提供改进的层粘附的方法。 该方法包括形成电介质层。 该方法还包括形成与电介质层直接接触的金属层。 该方法还包括在形成金属层之后将金属层直接暴露于等离子体，其功率水平足以穿透金属层并到达电介质层。