公开(公告)号：US09292430B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US14009221

申请日：2012-03-22

申请人： Myoung Kyu Seo ,  Tae Sun Hwang

发明人： Myoung Kyu Seo ,  Tae Sun Hwang

IPC分类号： G06F12/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/06 ,  G11C16/24

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/105 ,  G11C16/24

摘要： A method of writing data in a memory comprising a NAND cell array is disclosed, wherein a data output device completes the writing process only by transmitting the data and a start address for writing the data to the memory.

摘要翻译： 公开了一种在包括NAND单元阵列的存储器中写入数据的方法，其中数据输出装置仅通过将数据和用于写入数据的起始地址发送到存储器来完成写入处理。

公开(公告)号：US20140040538A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US14009221

申请日：2012-03-22

申请人： Myoung Kyu Seo ,  Tae Sun Hwang

发明人： Myoung Kyu Seo ,  Tae Sun Hwang

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/105 ,  G11C16/24

摘要： A method of writing data in a memory comprising a NAND cell array is disclosed, wherein a data output device completes the writing process only by transmitting the data and a start address for writing the data to the memory.

摘要翻译： 公开了一种在包括NAND单元阵列的存储器中写入数据的方法，其中数据输出装置仅通过将数据和用于写入数据的起始地址发送到存储器来完成写入处理。

公开(公告)号：US20140223080A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：US14009213

申请日：2012-03-22

申请人： Myoung Kyu Seo ,  Yong Soo Kim

发明人： Myoung Kyu Seo ,  Yong Soo Kim

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0688 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0629 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32

摘要： Provided are a non-volatile memory device, an electronic control system, and a method of operating the non-volatile memory device. A non-volatile memory device according to an embodiment of the present invention includes a first NAND cell array including a first group of pages, and a second NAND cell array including a second group of pages. A plurality of X-decoders are at least one-to-one connected to the first and second NAND cell arrays. A control logic controls the plurality of X-decoders to simultaneously sense data of a first page corresponding to a start address from among the first group of pages, and data of a second page subsequent to the first page from among the second group of pages.

摘要翻译： 提供了非易失性存储器件，电子控制系统和操作非易失性存储器件的方法。 根据本发明的实施例的非易失性存储器件包括包括第一组页面的第一NAND单元阵列和包括第二组页面的第二NAND单元阵列。 多个X解码器至少一对一连接到第一和第二NAND单元阵列。 控制逻辑控制多个X解码器，以从第一组页面中同时感测来自第一组页面的对应于起始地址的第一页面的数据，以及第二页面之后的第一页面之后的第二页面的数据。

公开(公告)号：US09262099B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US14009213

申请日：2012-03-22

申请人： Myoung Kyu Seo ,  Yong Soo Kim

发明人： Myoung Kyu Seo ,  Yong Soo Kim

IPC分类号： G06F3/00 ,  G06F3/06 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C16/04

CPC分类号： G06F3/0688 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0629 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32

摘要： Provided are a non-volatile memory device, an electronic control system, and a method of operating the non-volatile memory device. A non-volatile memory device according to an embodiment of the present invention includes a first NAND cell array including a first group of pages, and a second NAND cell array including a second group of pages. A plurality of X-decoders are at least one-to-one connected to the first and second NAND cell arrays. A control logic controls the plurality of X-decoders to simultaneously sense data of a first page corresponding to a start address from among the first group of pages, and data of a second page subsequent to the first page from among the second group of pages.

摘要翻译： 提供了非易失性存储器件，电子控制系统和操作非易失性存储器件的方法。 根据本发明的实施例的非易失性存储器件包括包括第一组页面的第一NAND单元阵列和包括第二组页面的第二NAND单元阵列。 多个X解码器至少一对一连接到第一和第二NAND单元阵列。 控制逻辑控制多个X解码器，以从第一组页面中同时感测来自第一组页面的对应于起始地址的第一页面的数据，以及第二页面之后的第一页面之后的第二页面的数据。