中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

2 records (took 0.011 seconds)

    TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
    1.
    发明申请
    TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM 审中-公开
    透明导电膜

    公开(公告)号：US20160160345A1

    公开(公告)日：2016-06-09

    申请号：US14908855

    申请日：2015-05-15

    Applicant: NITTO DENKO CORPORATION

    Inventor： Kodai MIYAMOTO ,  Kazuaki SASA ,  Hironobu MACHINAGA ,  Eri UEDA ,  Manami KUROSE ,  Tomotake NASHIKI

    IPC: C23C14/58 ,  H01B3/42 ,  H01B1/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

    CPC classification number: C23C14/58 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01B1/02 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01L31/022466

    Abstract: Provided is a transparent conductive film that can drastically improving an electrical characteristic of a transparent conductive layer after crystallizing process with resped to the transparent conductive layer before the crystallizing process and can achieve a lower resistivity.The transparent conductive film (1) is provided with a film substrate (2) and a crystalline transparent conductive layer (3) formed on one of the main surfaces (2a) of the said substrate. The amorphous transparent conductive layer before the crystallizing process has a carrier density na×1019 of (10 to 60)×1019/cm3 and Hall mobility μa of 10 to 25 cm2/V·s, the crystalline transparent conductive layer after the crystallizing process has a carrier density nc×1019 of (80 to 150)×1019/cm3 and Hall mobility t of 20 to 40 cm2/V·s, and the length of motion L defined by {(nc−na)2+(μc−μa)2}1/2 is 50 to 150.

    Abstract translation: 提供一种透明导电膜，其可以在结晶处理之前，在透明导电层之后，在结晶处理之后，可以显着地改善透明导电层的电特性，并可以实现较低的电阻率。 透明导电膜（1）设置有形成在所述基板的一个主表面（2a）上的薄膜基板（2）和结晶透明导电层（3）。 结晶处理前的非晶透明导电层的（10〜60）×1019 / cm 3的载流子密度na×1019，10〜25cm2 / V·s的霍尔迁移率μa，结晶化后的结晶透明导电层具有 （80〜150）×1019 / cm 3的载流子密度nc×1019，20〜40cm2 / V·s的霍尔迁移率t和由{（nc-na）2+（μc-μa） ）2} 1/2为50〜150。

Patent Agency Ranking