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    Multilayer-stacked resistive random access memory device
    6.
    发明授权
    Multilayer-stacked resistive random access memory device 有权
    多层堆叠电阻随机存取存储器件

    公开(公告)号：US09450184B2

    公开(公告)日：2016-09-20

    申请号：US14736958

    申请日：2015-06-11

    申请人： National Tsing Hua University

    发明人： Tri-Rung Yew ,  Ying-Chan Hung ,  Tsang-Hsuan Wang ,  Pin Chang

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01C17/06

    CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L29/24 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/122 ,  H01L45/142

    摘要： A multilayer-stacked resistive random access memory device includes: first and second electrode layers; a resistive oxide layer which is electrically coupled to the first and second electrode layers, which exhibits resistive switching characteristics and which includes a metal oxide containing a first metal selected from the group consisting of W, Ti, Zr, Sn, Ta, Ni, Ag, Cu, Co, Hf, Ru, Mo, Cr, Fe, Al, and combinations thereof; and a sulfide layer contacting the resistive oxide layer and including a metal sulfide that contains a second metal that is the same as the first metal.

    摘要翻译： 多层堆叠电阻随机存取存储器件包括：第一和第二电极层; 电阻氧化层，其电耦合到第一和第二电极层，其表现出电阻开关特性，并且包括含有选自W，Ti，Zr，Sn，Ta，Ni，Ag的第一金属的金属氧化物 ，Cu，Co，Hf，Ru，Mo，Cr，Fe，Al及其组合; 以及与所述电阻性氧化物层接触且包含含有与所述第一金属相同的第二金属的金属硫化物的硫化物层。