公开(公告)号：US20110217810A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13034354

申请日：2011-02-24

申请人： Nicholas P.T. BATEMAN ,  William T. WEAVER

发明人： Nicholas P.T. BATEMAN ,  William T. WEAVER

IPC分类号： H01L31/0248

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

摘要： A first species selectively dopes a workpiece to form a first doped region. In one embodiment, a selective implant is performed using a mask with apertures. A soft mask is applied to the first doped region. A second species is implanted into the workpiece to form a second implanted region. The soft mask blocks a portion of the second species. Then the soft mask is removed. The first species and second species may be opposite conductivities such that one is p-type and the other is n-type.

摘要翻译： 第一种类选择性地掺杂工件以形成第一掺杂区域。 在一个实施例中，使用具有孔的掩模进行选择性植入。 软掩模被施加到第一掺杂区域。 将第二物质植入工件以形成第二注入区域。 软掩模阻挡了第二种物质的一部分。 然后去除软面膜。 第一种和第二种可能是相反的电导率，一个是p型，另一个是n型。

公开(公告)号：US20110237022A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13070206

申请日：2011-03-23

申请人： Nicholas P.T. BATEMAN ,  William T. WEAVER ,  Paul SULLIVAN ,  John W. GRAFF

发明人： Nicholas P.T. BATEMAN ,  William T. WEAVER ,  Paul SULLIVAN ,  John W. GRAFF

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/0248

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Methods to form complementary implant regions in a workpiece are disclosed. A mask may be aligned with respect to implanted or doped regions on the workpiece. The mask also may be aligned with respect to surface modifications on the workpiece, such as deposits or etched regions. A masking material also may be deposited on the implanted regions using the mask. The workpiece may be a solar cell.

摘要翻译： 公开了在工件中形成互补植入区域的方法。 掩模可以相对于工件上的注入或掺杂区域排列。 掩模也可以相对于工件上的表面改性（例如沉积物或蚀刻区域）对准。 掩模材料也可以使用掩模沉积在注入区域上。 工件可以是太阳能电池。

公开(公告)号：US20110315899A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13170815

申请日：2011-06-28

申请人： Russell J. LOW ,  Atul GUPTA ,  William T. WEAVER

发明人： Russell J. LOW ,  Atul GUPTA ,  William T. WEAVER

IPC分类号： G21K5/10

CPC分类号： H01J37/20 ,  G21K5/10 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/31703 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Glitches during ion implantation of a workpiece, such as a solar cell, can be compensated for. In one instance, a workpiece is implanted during a first pass at a first speed. This first pass results in a region of uneven dose in the workpiece. The workpiece is then implanted during a second pass at a second speed. This second speed is different from the first speed. The second speed may correspond to the entire workpiece or just the region of uneven dose in the workpiece.

摘要翻译： 可以补偿工件（例如太阳能电池）的离子注入期间的毛刺。 在一种情况下，在第一速度的第一次通过期间植入工件。 该第一次通过导致工件中不均匀剂量的区域。 然后在第二次通过期间以第二速度植入工件。 第二速度与第一速度不同。 第二速度可以对应于整个工件或者对应于工件中不均匀剂量的区域。