公开(公告)号：US07427775B2

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：US11789338

申请日：2007-04-24

申请人： Anand Murthy ,  Justin K. Brask ,  Andrew N. Westmeyer ,  Boyan Boyanov ,  Nick Lindert

发明人： Anand Murthy ,  Justin K. Brask ,  Andrew N. Westmeyer ,  Boyan Boyanov ,  Nick Lindert

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： The mobility of carriers may be increased in strained channel epitaxial source/drain transistors. Doped silicon material may be blanket deposited after removing ion implanted source/drain regions. The blanket deposition forms amorphous films over non-source/drain areas and crystalline films in source/drain regions. By using an etch which is selective to amorphous silicon, the amorphous material may be removed. This may avoid some problems associated with selective deposition of the doped silicon material.

摘要翻译： 在应变通道外延源/漏极晶体管中，载流子的迁移率可能会增加。 在去除离子注入的源极/漏极区之后，掺杂的硅材料可以被覆盖。 覆盖沉积在非源极/漏极区域和源极/漏极区域中形成晶体膜形成非晶态膜。 通过使用对非晶硅有选择性的蚀刻，可以去除非晶材料。 这可以避免与掺杂硅材料的选择性沉积相关的一些问题。

公开(公告)号：US06946350B2

公开(公告)日：2005-09-20

申请号：US10750158

申请日：2003-12-31

申请人： Nick Lindert ,  Justin K. Brask

发明人： Nick Lindert ,  Justin K. Brask

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848

摘要： Numerous embodiments of a method for highly selective faceting of the S/D regions in a CMOS device are described. In one embodiment, source/drain regions are formed on a substrate. The source/drain regions are wet etched to form faceted regions. A silicon germanium layer is formed on the faceted regions of the source/drain regions to yield a strained device.

摘要翻译： 描述了用于CMOS器件中的S / D区域的高选择性刻面的方法的许多实施例。 在一个实施例中，源极/漏极区域形成在衬底上。 源极/漏极区域被湿蚀刻以形成刻面区域。 在源极/漏极区的多面区域上形成硅锗层以产生应变器件。

公开(公告)号：US20080142840A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US12011439

申请日：2008-01-24

申请人： Nick Lindert ,  Justin K. Brask ,  Andrew Westmeyer

发明人： Nick Lindert ,  Justin K. Brask ,  Andrew Westmeyer

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/926 ,  Y10S438/957

摘要： An MOS transistor formed on a heavily doped substrate is described. Metal gates are used in low temperature processing to prevent doping from the substrate from diffusing into the channel region of the transistor.

摘要翻译： 描述了形成在重掺杂衬底上的MOS晶体管。 金属栅极用于低温处理以防止从衬底的掺杂扩散到晶体管的沟道区域。

公开(公告)号：US07332439B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10955669

申请日：2004-09-29

申请人： Nick Lindert ,  Justin K. Brask ,  Andrew Westmeyer

发明人： Nick Lindert ,  Justin K. Brask ,  Andrew Westmeyer

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/926 ,  Y10S438/957

摘要： An MOS transistor formed on a heavily doped substrate is described. Metal gates are used in low temperature processing to prevent doping from the substrate from diffusing into the channel region of the transistor.

公开(公告)号：US07060576B2

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：US10692696

申请日：2003-10-24

申请人： Nick Lindert ,  Anand S. Murthy ,  Justin K. Brask

发明人： Nick Lindert ,  Anand S. Murthy ,  Justin K. Brask

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66628 ,  H01L29/66636

摘要： An epitaxially deposited source/drain extension may be formed for a metal oxide semiconductor field effect transistor. A sacrificial layer may be formed and etched away to undercut under the gate electrode. Then a source/drain extension of epitaxial silicon may be deposited to extend under the edges of the gate electrode. As a result, the extent by which the source/drain extension extends under the gate may be controlled by controlling the etching of the sacrificial material. Its thickness and depth may be controlled by controlling the deposition process. Moreover, the characteristics of the source/drain extension may be controlled independently of those of the subsequently formed deep or heavily doped source/drain junction.

摘要翻译： 可以为金属氧化物半导体场效应晶体管形成外延沉积的源极/漏极延伸。 可以形成牺牲层并蚀刻掉在栅电极下方的底切。 然后，可以沉积外延硅的源极/漏极延伸部，以在栅电极的边缘下延伸。 结果，可以通过控制牺牲材料的蚀刻来控制源极/漏极延伸在栅极下延伸的程度。 其厚度和深度可以通过控制沉积过程来控制。 此外，可以独立于后续形成的深度或重掺杂源极/漏极结的特性来控制源极/漏极延伸的特性。

公开(公告)号：US20100151669A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12713432

申请日：2010-02-26

申请人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

发明人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： A gate structure may be utilized as a mask to form source and drain regions. Then the gate structure may be removed to form a gap and spacers may be formed in the gap to define a trench. In the process of forming a trench into the substrate, a portion of the source drain region is removed. Then the substrate is filled back up with an epitaxial material and a new gate structure is formed thereover. As a result, more abrupt source drain junctions may be achieved.

摘要翻译： 栅极结构可以用作掩模以形成源区和漏区。 然后可以去除栅极结构以形成间隙，并且可以在间隙中形成间隔物以限定沟槽。 在将沟槽形成衬底的过程中，去除源极漏极区的一部分。 然后用外延材料填充衬底，并在其上形成新的栅极结构。 结果，可以实现更突然的源极漏极结。

公开(公告)号：US07704833B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US10925566

申请日：2004-08-25

申请人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

发明人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： A gate structure may be utilized as a mask to form source and drain regions. Then the gate structure may be removed to form a gap and spacers may be formed in the gap to define a trench. In the process of forming a trench into the substrate, a portion of the source drain region is removed. Then the substrate is filled back up with an epitaxial material and a new gate structure is formed thereover. As a result, more abrupt source drain junctions may be achieved.

摘要翻译： 栅极结构可以用作掩模以形成源区和漏区。 然后可以去除栅极结构以形成间隙，并且可以在间隙中形成间隔物以限定沟槽。 在将沟槽形成衬底的过程中，去除源极漏极区的一部分。 然后用外延材料填充衬底，并在其上形成新的栅极结构。 结果，可以实现更突然的源极漏极结。

公开(公告)号：US08344452B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12011439

申请日：2008-01-24

申请人： Nick Lindert ,  Justin K. Brask ,  Andrew Westmeyer

发明人： Nick Lindert ,  Justin K. Brask ,  Andrew Westmeyer

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/926 ,  Y10S438/957

摘要： An MOS transistor formed on a heavily doped substrate is described. Metal gates are used in low temperature processing to prevent doping from the substrate from diffusing into the channel region of the transistor.

摘要翻译： 描述了形成在重掺杂衬底上的MOS晶体管。 金属栅极用于低温处理以防止从衬底的掺杂扩散到晶体管的沟道区域。

公开(公告)号：US07951673B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12713432

申请日：2010-02-26

申请人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

发明人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： A gate structure may be utilized as a mask to form source and drain regions. Then the gate structure may be removed to form a gap and spacers may be formed in the gap to define a trench. In the process of forming a trench into the substrate, a portion of the source drain region is removed. Then the substrate is filled back up with an epitaxial material and a new gate structure is formed thereover. As a result, more abrupt source drain junctions may be achieved.

摘要翻译： 栅极结构可以用作掩模以形成源区和漏区。 然后可以去除栅极结构以形成间隙，并且可以在间隙中形成间隔物以限定沟槽。 在将沟槽形成衬底的过程中，去除源极漏极区的一部分。 然后用外延材料填充衬底，并在其上形成新的栅极结构。 结果，可以实现更突然的源极漏极结。

公开(公告)号：US07226842B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US10780826

申请日：2004-02-17

申请人： Anand Murthy ,  Justin K. Brask ,  Andrew N. Westmeyer ,  Boyan Boyanov ,  Nick Lindert

发明人： Anand Murthy ,  Justin K. Brask ,  Andrew N. Westmeyer ,  Boyan Boyanov ,  Nick Lindert

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： The mobility of carriers may be increased in strained channel epitaxial source/drain transistors. Doped silicon material may be blanket deposited after removing ion implanted source/drain regions. The blanket deposition forms amorphous films over non-source/drain areas and crystalline films in source/drain regions. By using an etch which is selective to amorphous silicon, the amorphous material may be removed. This may avoid some problems associated with selective deposition of the doped silicon material.

摘要翻译： 在应变通道外延源/漏极晶体管中，载流子的迁移率可能会增加。 在去除离子注入的源极/漏极区之后，掺杂的硅材料可以被覆盖。 覆盖沉积在非源极/漏极区域和源极/漏极区域中形成晶体膜形成非晶态膜。 通过使用对非晶硅有选择性的蚀刻，可以去除非晶材料。 这可以避免与掺杂硅材料的选择性沉积相关的一些问题。