公开(公告)号：US06433540B1

公开(公告)日：2002-08-13

申请号：US09488559

申请日：2000-01-21

申请人： Nozomu Hachisuka ,  Kenji Inage ,  Toshiaki Maeda

发明人： Nozomu Hachisuka ,  Kenji Inage ,  Toshiaki Maeda

IPC分类号： G01R3312

CPC分类号： G11B5/3166 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0016

摘要： A method for testing a composite type magnetic head having a MR element and an inductive element includes a current application step of applying a current to the inductive element, with applying no external magnetic field to the magnetic head, and a measurement step of measuring output characteristics of the MR element after the current application step is finished.

摘要翻译： 一种用于测试具有MR元件和电感元件的复合型磁头的方法包括：向电感元件施加电流的电流施加步骤，不向磁头施加外部磁场;以及测量步骤，测量输出特性 在当前应用步骤完成之后的MR元件。

公开(公告)号：US06340885B1

公开(公告)日：2002-01-22

申请号：US09196442

申请日：1998-11-20

申请人： Nozomu Hachisuka ,  Toshiaki Maeda ,  Kenji Inage

发明人： Nozomu Hachisuka ,  Toshiaki Maeda ,  Kenji Inage

IPC分类号： G01R3312

CPC分类号： G11B5/3173 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0008 ,  G11B2005/0013

摘要： A current which will change an initial magnetization state of a shield layer for a MR element is applied to an inductive element, and output characteristics of the MR element is measured.

摘要翻译： 将将用于MR元件的屏蔽层的初始磁化状态改变的电流施加到电感元件，并测量MR元件的输出特性。

公开(公告)号：US07372282B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11276753

申请日：2006-03-13

申请人： Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono ,  Takeo Kagami ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi

发明人： Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono ,  Takeo Kagami ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi

IPC分类号： G01R27/08 ,  H01L21/66

CPC分类号： G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/16 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50008 ,  G11C29/56 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/302

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring a plurality of resistances of the TMR element by applying a plurality of voltages with different voltage values each other to the TMR element, respectively, a step of calculating a ratio of change in resistance from the measured plurality of resistances of the TMR element, and a step of evaluating the TMR element using the calculated ratio of change in resistance.

摘要翻译： 一种用于测试TMR元件的方法包括分别通过向TMR元件施加具有不同电压值的多个电压来测量TMR元件的多个电阻的步骤，计算电阻变化率 测量的TMR元件的多个电阻，以及使用所计算的电阻变化比来评估TMR元件的步骤。

公开(公告)号：US07236392B2

公开(公告)日：2007-06-26

申请号：US11101468

申请日：2005-04-08

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

IPC分类号： G11B5/455

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50008 ,  G11C2029/5006

摘要： Testing a TMR element includes a step of measuring initially a resistance value of the TMR element to provide the measured resistance value as a first resistance value, a step of measuring a resistance value of the TMR element after continuously feeding a current through the TMR element from a anti-substrate side to a substrate side for a predetermined period of time, to provide the measured resistance value as a second resistance value, and a step of evaluating the TMR element by comparing the first resistance value and the second resistance value with each other.

摘要翻译： 测试TMR元件包括首先测量TMR元件的电阻值以提供测量的电阻值作为第一电阻值的步骤，在连续馈送通过TMR元件的电流之后测量TMR元件的电阻值的步骤 将基板侧的反基板侧保持规定时间，将测定的电阻值作为第二电阻值提供，以及通过将第一电阻值与第二电阻值进行比较来对TMR元件进行比较的步骤 。

公开(公告)号：US20050237789A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US11101468

申请日：2005-04-08

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G11B5/455 ,  G11C11/00 ,  G11C29/50 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50008 ,  G11C2029/5006

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring initially a resistance value of the TMR element to provide the measured resistance value as a first resistance value, a step of measuring a resistance value of the TMR element after continuously feeding a current through the TMR element from a anti-substrate side to a substrate side for a predetermined period of time, to provide the measured resistance value as a second resistance value, and a step of evaluating the TMR element by comparing the first resistance value and the second resistance value with each other.

摘要翻译： 用于测试TMR元件的方法包括首先测量TMR元件的电阻值以提供测量的电阻值作为第一电阻值的步骤，在连续馈送电流通过所述TMR元件之后测量TMR元件的电阻值的步骤 TMR元件从反衬底侧到基板侧预定时间段，以将测量的电阻值提供为第二电阻值，以及通过比较第一电阻值和第二电阻值来评估TMR元件的步骤 与彼此。

公开(公告)号：US07227772B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US11070237

申请日：2005-03-03

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

IPC分类号： G11B5/455

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0018

摘要： Testing a TMR element includes a step of measuring initially a resistance value of the TMR element to provide the measured resistance value as a first resistance value, a step of measuring a resistance value of the TMR element after continuously feeding a current through the TMR element for a predetermined period of time, to provide the measured resistance value as a second resistance value, and a step of evaluating the TMR element depending upon a degree of change in resistance of the TMR element. The degree of change in resistance is determined based upon the first resistance value and the second resistance value.

摘要翻译： 测试TMR元件包括首先测量TMR元件的电阻值以提供测量的电阻值作为第一电阻值的步骤，在连续馈送电流通过TMR元件之后测量TMR元件的电阻值的步骤，用于 提供测量的电阻值作为第二电阻值的预定时间段，以及根据TMR元件的电阻变化程度来评估TMR元件的步骤。 基于第一电阻值和第二电阻值来确定电阻的变化程度。

公开(公告)号：US20060023333A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US11130258

申请日：2005-05-17

申请人： Nozomu Hachisuka ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi ,  Tatsushi Shimizu ,  Pak Wong

发明人： Nozomu Hachisuka ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi ,  Tatsushi Shimizu ,  Pak Wong

IPC分类号： G11B5/03 ,  G01R33/12 ,  G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/455 ,  Y10T29/49021

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring a plurality of resistances of the TMR element by feeding a plurality of sense currents with different current values each other through the TMR element, a step of calculating a ratio of change in resistance from the measured plurality of resistances of the TMR element, and a step of evaluating the TMR element using the calculated ratio of change in resistance.

摘要翻译： 用于测试TMR元件的方法包括通过通过TMR元件馈送具有不同电流值的多个感测电流来测量TMR元件的多个电阻的步骤，计算电阻变化率 测量TMR元件的多个电阻，以及使用所计算的电阻变化比来评估TMR元件的步骤。

公开(公告)号：US20050195648A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11070237

申请日：2005-03-03

申请人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

发明人： Shunji Saruki ,  Kenji Inage ,  Nozomu Hachisuka ,  Hiroshi Kiyono

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/00 ,  G11B5/39 ,  G11B5/455 ,  G11C11/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0018

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring initially a resistance value of the TMR element to provide the measured resistance value as a first resistance value, a step of measuring a resistance value of the TMR element after continuously feeding a current through the TMR element for a predetermined period of time, to provide the measured resistance value as a second resistance value, and a step of evaluating the TMR element depending upon a degree of change in resistance of the TMR element. The degree of change in resistance is determined based upon the first resistance value and the second resistance value.

摘要翻译： 用于测试TMR元件的方法包括首先测量TMR元件的电阻值以提供测量的电阻值作为第一电阻值的步骤，在连续馈送电流通过所述TMR元件之后测量TMR元件的电阻值的步骤 TMR元件，以将测量的电阻值提供为第二电阻值，以及根据TMR元件的电阻变化程度来评估TMR元件的步骤。 基于第一电阻值和第二电阻值来确定电阻的变化程度。

公开(公告)号：US07417442B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11130258

申请日：2005-05-17

申请人： Nozomu Hachisuka ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi ,  Tatsushi Shimizu ,  Pak Kin Wong

发明人： Nozomu Hachisuka ,  Kenji Inage ,  Norio Takahashi ,  Tatsushi Shimizu ,  Pak Kin Wong

IPC分类号： G01R27/08 ,  H01L21/66

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/455 ,  Y10T29/49021

摘要： A method for testing a TMR element includes a step of measuring a plurality of resistances of the TMR element by feeding a plurality of sense currents with different current values each other through the TMR element, a step of calculating a ratio of change in resistance from the measured plurality of resistances of the TMR element, and a step of evaluating the TMR element using the calculated ratio of change in resistance.

摘要翻译： 用于测试TMR元件的方法包括通过通过TMR元件馈送具有不同电流值的多个感测电流来测量TMR元件的多个电阻的步骤，计算电阻变化率 测量TMR元件的多个电阻，以及使用所计算的电阻变化比来评估TMR元件的步骤。

公开(公告)号：US07102859B2

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US10765159

申请日：2004-01-28

申请人： Kenji Inage ,  Shunji Saruki ,  Nozomu Hachisuka

发明人： Kenji Inage ,  Shunji Saruki ,  Nozomu Hachisuka

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903

摘要： A thin-film magnetic head includes a TMR element and a resistor element connected in parallel with the TMR element. A resistance value RTMR of the TMR element itself is RTMR≧240 Ω, a product RA of the resistance value of the TMR element itself and a cross-sectional area of the TMR element is RA≧3 Ω·μm2, and a resistance value RPARA of the resistor element is RPARA≦480Ω.

摘要翻译： 薄膜磁头包括与TMR元件并联连接的TMR元件和电阻元件。 TMR元件本身的电阻值R TMR 是TMR元件本身的电阻值的乘积RA和横截面积 的TMR元件的电阻值为RA> =3Ω·m 2，电阻元件的电阻值R PARA 为R PARA = 480Omega。