公开(公告)号：US07751231B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US12115433

申请日：2008-05-05

申请人： Peter Schrogmeier ,  Ulrich Klostermann

发明人： Peter Schrogmeier ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607

摘要： A method and an integrated circuit for determining the state of a resistivity changing memory cell. In one embodiment the method includes detecting a first resistance of the resistivity changing memory cell, determining whether the first resistance value is smaller than a predetermined threshold value thereby determining a first result value, initializing the resistivity changing memory cell into one of at least four resistivity changing memory states, detecting a second resistance value of the resistivity changing memory cell, determining whether the second resistance value is smaller than the predetermined threshold value determining a second result value, and determining the state of the resistivity changing memory cell state using the first and the second result values.

摘要翻译： 一种用于确定电阻率变化存储单元的状态的方法和集成电路。 在一个实施例中，该方法包括检测电阻率变化存储单元的第一电阻，确定第一电阻值是否小于预定阈值，由此确定第一结果值，将电阻率变化存储单元初始化为至少四个电阻率 改变存储器状态，检测电阻率变化存储单元的第二电阻值，确定第二电阻值是否小于确定第二结果值的预定阈值，以及使用第一和第二电阻值确定电阻率变化存储单元状态的状态， 第二个结果值。

公开(公告)号：US07782577B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11448170

申请日：2006-06-06

申请人： Wolfgang Raberg ,  Ulrich Klostermann

发明人： Wolfgang Raberg ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/33

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic random access memory structure comprising an anti-ferromagnetic layer structure, a crystalline ferromagnetic structure physically coupled to the anti-ferromagnetic layer structure and a ferromagnetic free layer structure physically coupled to the crystalline ferromagnetic structure.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器结构包括反铁磁层结构，物理耦合到反铁磁层结构的结晶铁磁结构和物理耦合到结晶铁磁结构的铁磁自由层结构。

公开(公告)号：US07697322B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US11775599

申请日：2007-07-10

申请人： Rainer Leuschner ,  Ulrich Klostermann

发明人： Rainer Leuschner ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/15 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： Embodiments of the invention relate generally to integrated circuits, to a method for manufacturing an integrated circuit, to a method for decreasing the influence of magnetic fields, and to a memory module. In an embodiment of the invention, an integrated circuit having a magnetic tunnel junction is provided. The magnetic tunnel junction may include a free layer with a magnetization orientation that is selected by the application of a write current through the magnetic tunnel junction, and a retention layer that retains the selectable magnetization orientation of the free layer at temperatures below a retention temperature.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及集成电路，集成电路的制造方法，减小磁场影响的方法以及存储器模块。 在本发明的实施例中，提供了具有磁性隧道结的集成电路。 磁性隧道结可以包括具有通过施加通过磁性隧道结的写入电流而选择的磁化取向的自由层，以及在低于保持温度的温度下保持自由层的可选磁化取向的保留层。

公开(公告)号：US20100084741A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12247763

申请日：2008-10-08

申请人： Dieter Andres ,  Rainer Bruchhaus ,  Ulrike Gruening-Von Schwerin ,  Ulrich Klostermann ,  Franz Kreupl ,  Michael Kund ,  Petra Majewski ,  Christian Ruester ,  Bernhard Ruf ,  Ralf Symanczyk ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Dieter Andres ,  Rainer Bruchhaus ,  Ulrike Gruening-Von Schwerin ,  Ulrich Klostermann ,  Franz Kreupl ,  Michael Kund ,  Petra Majewski ,  Christian Ruester ,  Bernhard Ruf ,  Ralf Symanczyk ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L29/0673 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： According to an embodiment, an integrated circuit including a plurality of resistance changing memory cells is disclosed. Each memory cell includes a first electrode, a second electrode and resistance changing memory element arranged between the first electrode and the second electrode. A front surface area of an end section of the first electrode that faces the resistance changing memory element is smaller than a front surface area of an end section of the second electrode that faces the resistance changing memory element.

摘要翻译： 根据实施例，公开了包括多个电阻变化存储单元的集成电路。 每个存储单元包括布置在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和电阻变化存储元件。 第一电极的面向电阻变化存储元件的端部的前表面区域小于面向电阻变化存储元件的第二电极的端部的前表面区域。

公开(公告)号：US20090273966A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12114466

申请日：2008-05-02

申请人： Dietmar Gogl ,  Rainer Leuschner ,  Ulrich Klostermann

发明人： Dietmar Gogl ,  Rainer Leuschner ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： G11C11/02

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/1659

摘要： According to one embodiment of the present invention, an integrated circuit includes a plurality of thermal selectable memory cells, each memory cell being connected to a conductive line, the conductive line having a first portion for applying a heating current, and a second portion for applying a programming current. The integrated circuit is configured such that the heating current and the programming current can be routed respectively to the first and the second portion of the conductive line independently from each other.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，集成电路包括多个热可选择存储单元，每个存储单元连接到导电线，该导线具有用于施加加热电流的第一部分和用于施加加热电流的第二部分 编程电流。 集成电路被配置为使得加热电流和编程电流可以彼此独立地分别路由到导线的第一和第二部分。

公开(公告)号：US07602032B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11117854

申请日：2005-04-29

申请人： Ulrich Klostermann ,  Chanro Park ,  Wolfgang Raberg

发明人： Ulrich Klostermann ,  Chanro Park ,  Wolfgang Raberg

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A memory and method of making a memory is disclosed. In one embodiment, the memory includes a cap structure for a magnetoresistive random access memory device including an etch stop layer formed over an upper magnetic layer of a magnetoresistive junction (MTJ/MCJ) layered structure and a hardmask layer formed over said etch stop layer, wherein said etch stop layer is selected from a material such that an etch chemistry used for removing said hardmask layer has selectivity against etching said etch stop layer material. In a method of opening the hardmask layer, an etch process to remove exposed portions of the hardmask layer is implemented, where the etch process terminates on the etch stop layer.

摘要翻译： 公开了一种存储器和制造存储器的方法。 在一个实施例中，存储器包括用于磁阻随机存取存储器件的盖结构，其包括形成在磁阻结（MTJ / MCJ）分层结构的上磁层上的蚀刻停止层和形成在所述蚀刻停止层上的硬掩模层， 其中所述蚀刻停止层选自材料，使得用于去除所述硬掩模层的蚀刻化学性质对蚀刻所述蚀刻停止层材料具有选择性。 在打开硬掩模层的方法中，实现去除硬掩模层的暴露部分的蚀刻工艺，其中蚀刻工艺在蚀刻停止层上终止。

公开(公告)号：US20090072217A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11856668

申请日：2007-09-17

申请人： Ulrich Klostermann

发明人： Ulrich Klostermann

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1658

摘要： Embodiments of the present invention relate generally to integrated circuits, to methods for manufacturing an integrated circuit and to a memory module. In an embodiment of the invention, an integrated circuit is provided having a programmable arrangement. The programmable arrangement includes a substrate having a main processing surface, at least two first electrodes, wherein each of the two first electrodes has a side surface being arranged at a respective angle with regard to the main processing surface, the side surfaces facing one another. The programmable arrangement may further include at least one second electrode and ion conducting material between each of the at least two first electrodes and the at least one second electrode, wherein the at least one second electrode is arranged partially between the side surfaces of the two first electrodes facing one another.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及集成电路，制造集成电路和存储器模块的方法。 在本发明的实施例中，提供具有可编程布置的集成电路。 可编程布置包括具有主处理表面的基板，至少两个第一电极，其中两个第一电极中的每一个具有相对于主处理表面相对于主处理表面相对的角度布置的侧表面。 所述可编程布置还可以包括在所述至少两个第一电极和所述至少一个第二电极中的每一个之间的至少一个第二电极和离子传导材料，其中所述至少一个第二电极部分地布置在所述两个第一电极 电极彼此面对。

公开(公告)号：US20090016096A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11775599

申请日：2007-07-10

申请人： Rainer Leuschner ,  Ulrich Klostermann

发明人： Rainer Leuschner ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C11/15 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： Embodiments of the invention relate generally to integrated circuits, to a method for manufacturing an integrated circuit, to a method for decreasing the influence of magnetic fields, and to a memory module. In an embodiment of the invention, an integrated circuit having a magnetic tunnel junction is provided. The magnetic tunnel junction may include a free layer with a magnetization orientation that is selected by the application of a write current through the magnetic tunnel junction, and a retention layer that retains the selectable magnetization orientation of the free layer at temperatures below a retention temperature.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及集成电路，集成电路的制造方法，减小磁场影响的方法以及存储器模块。 在本发明的实施例中，提供了具有磁性隧道结的集成电路。 磁性隧道结可以包括具有通过施加通过磁性隧道结的写入电流而选择的磁化取向的自由层，以及在低于保持温度的温度下保持自由层的可选磁化取向的保留层。

公开(公告)号：US07436700B2

公开(公告)日：2008-10-14

申请号：US11769454

申请日：2007-06-27

申请人： Manfred Ruehrig ,  Joachim Wecker ,  Ulrich Klostermann

发明人： Manfred Ruehrig ,  Joachim Wecker ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16

摘要： An MRAM memory cell is provided having a layer system made of circular-disk-shaped layers. The memory cell includes first and second magnetic layers separated by a nonmagnetic intermediate layer. The first magnetic layer exhibits hard-magnetic behavior and serves as a reference layer. The second magnetic layer exhibits soft-magnetic behavior and serves as a storage layer. An antiferromagnetic layer may be provided on the storage layer. Information is stored by the magnetization state of the storage layer. The storage layer has a weak intrinsic anisotropy that defines a magnetic preferred direction. The magnetization direction of the reference layer is parallel to the magnetization direction of a remanent magnetization in the interior of the storage layer. The remanent magnetization occurs as a result of applying an external magnetic field with a field component perpendicular to the preferred direction of the intrinsic anisotropy of the storage layer.

摘要翻译： 提供了具有由圆盘形层制成的层系统的MRAM存储单元。 存储单元包括由非磁性中间层隔开的第一和第二磁性层。 第一磁性层表现出硬磁性能并且用作参考层。 第二磁性层表现出软磁性能并用作存储层。 可以在存储层上设置反铁磁层。 通过存储层的磁化状态存储信息。 存储层具有限定磁性优选方向的弱本征各向异性。 参考层的磁化方向平行于存储层内部的剩余磁化的磁化方向。 作为施加具有垂直于存储层的固有各向异性的优选方向的场分量的外部磁场的结果，发生剩余磁化。

公开(公告)号：US07423282B2

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：US11483264

申请日：2006-07-06

申请人： Chanro Park ,  Wolfgang Raberg ,  Ulrich Klostermann

发明人： Chanro Park ,  Wolfgang Raberg ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L45/142 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： A solid state electrolyte memory structure includes a solid state electrolyte layer, a metal layer on the solid state electrolyte layer, and an etch stop layer on the metal layer.

摘要翻译： 固态电解质存储结构包括固态电解质层，固态电解质层上的金属层和金属层上的蚀刻停止层。