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    Memristor amorphous metal alloy electrodes
    1.
    发明授权
    Memristor amorphous metal alloy electrodes 有权
    忆阻器非晶金属合金电极

    公开(公告)号：US08063395B2

    公开(公告)日：2011-11-22

    申请号：US12570286

    申请日：2009-09-30

    申请人： Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang ,  Shih-Yuan Wang

    发明人： Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang ,  Shih-Yuan Wang

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

    摘要： A nanoscale switching device comprises at least two electrodes, each of a nanoscale width; and an active region disposed between and in electrical contact with the electrodes, the active region containing a switching material capable of carrying a species of dopants and transporting the dopants under an electrical field, wherein at least one of the electrodes comprises an amorphous conductive material.

    摘要翻译： 纳米级切换装置包括至少两个电极，每个电极具有纳米级宽度; 以及设置在电极之间并且与电极电接触的有源区域，所述有源区域包含能够承载一种掺杂剂并在电场下传输掺杂剂的开关材料，其中所述电极中的至少一个包括非晶导电材料。

    Memristor having a nanostructure in the switching material
    3.
    发明授权
    Memristor having a nanostructure in the switching material 有权
    在开关材料中具有纳米结构的忆阻器

    公开(公告)号：US08207593B2

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：US12510589

    申请日：2009-07-28

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  Y10S977/773

    摘要： A memristor includes a first electrode having a first surface, at least one electrically conductive nanostructure provided on the first surface, in which the at least one electrically conductive nanostructure is relatively smaller than a width of the first electrode, a switching material positioned upon said first surface, in which the switching material covers the at least one electrically conductive nanostructure, and a second electrode positioned upon the switching material substantially in line with the at least one electrically conductive nanostructure, in which an active region in the switching material is formed substantially between the at least one electrically conductive nanostructure and the first electrode.

    摘要翻译： 忆阻器包括具有第一表面的第一电极，设置在第一表面上的至少一个导电纳米结构，其中至少一个导电纳米结构相对小于第一电极的宽度，开关材料位于所述第一表面上 其中所述开关材料覆盖所述至少一个导电纳米结构，以及位于所述开关材料上的基本上与所述至少一个导电纳米结构一致的第二电极，其中所述开关材料中的有源区域基本上形成在所述至少一个导电纳米结构之间 所述至少一个导电纳米结构和所述第一电极。

    MEMRISTOR HAVING A NANOSTRUCTURE IN THE SWITCHING MATERIAL
    4.
    发明申请
    MEMRISTOR HAVING A NANOSTRUCTURE IN THE SWITCHING MATERIAL 有权
    在开关材料中具有纳米结构的电容器

    公开(公告)号：US20110024716A1

    公开(公告)日：2011-02-03

    申请号：US12510589

    申请日：2009-07-28

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/30

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  Y10S977/773

    摘要： A memristor includes a first electrode having a first surface, at least one electrically conductive nanostructure provided on the first surface, in which the at least one electrically conductive nanostructure is relatively smaller than a width of the first electrode, a switching material positioned upon said first surface, in which the switching material covers the at least one electrically conductive nanostructure, and a second electrode positioned upon the switching material substantially in line with the at least one electrically conductive nanostructure, in which an active region in the switching material is formed substantially between the at least one electrically conductive nanostructure and the first electrode.

    摘要翻译： 忆阻器包括具有第一表面的第一电极，设置在第一表面上的至少一个导电纳米结构，其中至少一个导电纳米结构相对小于第一电极的宽度，开关材料位于所述第一表面上 其中所述开关材料覆盖所述至少一个导电纳米结构，以及位于所述开关材料上的基本上与所述至少一个导电纳米结构一致的第二电极，其中所述开关材料中的有源区域基本上形成在所述至少一个导电纳米结构之间 所述至少一个导电纳米结构和所述第一电极。

    Guided mode resonator based Raman enhancement apparatus
    5.
    发明授权
    Guided mode resonator based Raman enhancement apparatus 有权
    引导型谐振器型拉曼增强器

    公开(公告)号：US08330952B2

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US12625304

    申请日：2009-11-24

    申请人： Wei Wu ,  Jingjing Li ,  Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang

    发明人： Wei Wu ,  Jingjing Li ,  Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： G01J3/44

    CPC分类号： G01J3/44 ,  G01N21/658 ,  G02B2006/0325 ,  G02B2006/12107

    摘要： A system for performing Raman spectroscopy comprises a waveguide layer configured with at least one array of features, the at least one array of features being configured to provide guided-mode resonance for at least one wavelength of electromagnetic radiation; and at least one fluid channel disposed in the waveguide layer. An analyte sensor comprises an electromagnetic radiation source configured to emit a range of wavelengths of electromagnetic radiation, the system for performing Raman spectroscopy, and at least one photodetector configured to detect Raman scattered light.

    摘要翻译： 用于执行拉曼光谱的系统包括配置有至少一个特征阵列的波导层，所述至少一个特征阵列被配置为为至少一个波长的电磁辐射提供导模谐振; 以及设置在波导层中的至少一个流体通道。 分析物传感器包括被配置为发射电磁辐射波长范围的电磁辐射源，用于执行拉曼光谱的系统，以及配置成检测拉曼散射光的至少一个光电检测器。

    GUIDED MODE RESONATOR BASED RAMAN ENHANCEMENT APPARATUS
    7.
    发明申请
    GUIDED MODE RESONATOR BASED RAMAN ENHANCEMENT APPARATUS 有权
    基于引导模式谐振器的拉曼增强装置

    公开(公告)号：US20110122405A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US12625304

    申请日：2009-11-24

    申请人： Wei Wu ,  Jingjing Li ,  Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang

    发明人： Wei Wu ,  Jingjing Li ,  Qiangfei Xia ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： G01J3/44

    CPC分类号： G01J3/44 ,  G01N21/658 ,  G02B2006/0325 ,  G02B2006/12107

    摘要： A system for performing Raman spectroscopy comprises a waveguide layer configured with at least one array of features, the at least one array of features being configured to provide guided-mode resonance for at least one wavelength of electromagnetic radiation; and at least one fluid channel disposed in the waveguide layer. An analyte sensor comprises an electromagnetic radiation source configured to emit a range of wavelengths of electromagnetic radiation, the system for performing Raman spectroscopy, and at least one photodetector configured to detect Raman scattered light.

    摘要翻译： 用于执行拉曼光谱的系统包括配置有至少一个特征阵列的波导层，所述至少一个特征阵列被配置为为至少一个波长的电磁辐射提供导模谐振; 以及设置在波导层中的至少一个流体通道。 分析物传感器包括被配置为发射电磁辐射波长范围的电磁辐射源，用于执行拉曼光谱的系统，以及配置成检测拉曼散射光的至少一个光电检测器。

    Switchable two-terminal devices with diffusion/drift species
    9.
    发明授权
    Switchable two-terminal devices with diffusion/drift species 有权
    具有扩散/漂移物种的可切换双端子器件

    公开(公告)号：US08879300B2

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：US13384853

    申请日：2010-04-22

    申请人： Jianhua Yang ,  Wei Wu ,  Qiangfei Xia

    发明人： Jianhua Yang ,  Wei Wu ,  Qiangfei Xia

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/102

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L27/1021 ,  H01L45/08

    摘要： Various embodiments of the present invention are directed to nanoscale electronic devices that provide nonvolatile memristive switching. In one aspect, a two-terminal device (600) comprises a first electrode (602), a second electrode (604), and an active region (606) disposed between the first electrode and the second electrode. The active region includes a mobile dopant (608), and a fast drift ionic species (610). The fast drift ionic species drifts into a diode-like electrode/active region interface temporarily increasing conductance across the interface when a write voltage is applied to the two-terminal device to switch the device conductance.

    摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及提供非易失性忆阻切换的纳米级电子器件。 在一个方面，双端器件（600）包括第一电极（602），第二电极（604）和设置在第一电极和第二电极之间的有源区（606）。 有源区包括移动掺杂剂（608）和快速漂移的离子物质（610）。 当向双端器件施加写入电压以切换器件电导时，快速漂移的离子物质漂移到二极管状电极/有源区接口中，暂时增加跨接口的电导。