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    Magnetoresistive sensors having an improved free layer
    1.
    发明授权
    Magnetoresistive sensors having an improved free layer 有权
    具有改进自由层的磁阻传感器

    公开(公告)号：US08498084B1

    公开(公告)日：2013-07-30

    申请号：US12506978

    申请日：2009-07-21

    申请人： Qunwen Leng ,  Christian Kaiser ,  Yimin Guo ,  Mahendra Pakala ,  Sining Mao

    发明人： Qunwen Leng ,  Christian Kaiser ,  Yimin Guo ,  Mahendra Pakala ,  Sining Mao

    IPC分类号： G11B5/127

    CPC分类号： G01R33/093 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912

    摘要： A magnetoresistive sensor having a novel free layer and a method of producing the same are disclosed. The magnetoresistive sensor comprises a pinned layer, a barrier layer disposed over the pinned layer, and a free layer disposed over the barrier layer. The free layer comprises a first magnetic layer disposed over the barrier layer. The first magnetic layer has a positive spin polarization, a positive magnetostriction, and a polycrystalline structure. The free layer further comprises a second magnetic layer disposed over the first magnetic layer. The second magnetic layer has a negative magnetostriction and comprises at least cobalt (Co) and boron (B).

    摘要翻译： 公开了一种具有新型自由层的磁阻传感器及其制造方法。 磁阻传感器包括被钉扎层，设置在钉扎层上的阻挡层和设置在阻挡层上的自由层。 自由层包括设置在阻挡层上的第一磁性层。 第一磁性层具有正自旋极化，正磁致伸缩和多晶结构。 自由层还包括设置在第一磁性层上的第二磁性层。 第二磁性层具有负的磁致伸缩，并且至少包括钴（Co）和硼（B）。

    Method and system for providing a read sensor having a low magnetostriction free layer
    2.
    发明授权
    Method and system for providing a read sensor having a low magnetostriction free layer 有权
    用于提供具有低磁致伸缩自由层的读取传感器的方法和系统

    公开(公告)号：US08194365B1

    公开(公告)日：2012-06-05

    申请号：US12553897

    申请日：2009-09-03

    申请人： Qunwen Leng ,  Chando Park ,  Yimin Guo ,  Christian Kaiser ,  Mahendra Pakala ,  Sining Mao

    发明人： Qunwen Leng ,  Chando Park ,  Yimin Guo ,  Christian Kaiser ,  Mahendra Pakala ,  Sining Mao

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3906 ,  G01R33/098 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A method and system for providing a magnetic structure in magnetic transducer is described. The magnetic structure includes a pinned layer, a nonmagnetic spacer layer, and a free layer. The nonmagnetic spacer layer is between the pinned layer and the free layer. The free layer includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a magnetic insertion layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The first magnetic layer has a first magnetostriction. The second magnetic layer has a second magnetostriction opposite to the first magnetostriction. The magnetic insertion layer provides a growth texture barrier between the first magnetic layer and the second magnetic layer.

    摘要翻译： 描述了一种用于在磁换能器中提供磁结构的方法和系统。 磁结构包括钉扎层，非磁性间隔层和自由层。 非磁性间隔层位于被钉扎层和自由层之间。 自由层包括在第一磁性层和第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和磁性插入层。 第一磁性层具有第一磁致伸缩。 第二磁性层具有与第一磁致伸缩相反的第二磁致伸缩。 磁性插入层在第一磁性层和第二磁性层之间提供生长结构屏障。

    Magnetic sensor having a high spin polarization reference layer
    3.
    发明授权
    Magnetic sensor having a high spin polarization reference layer 有权
    具有高自旋极化参考层的磁传感器

    公开(公告)号：US08582253B1

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US13488219

    申请日：2012-06-04

    申请人： Yuankai Zheng ,  Qunwen Leng ,  Mahendra Pakala ,  Zhitao Diao ,  Christian Kaiser ,  Cheng-Han Yang

    发明人： Yuankai Zheng ,  Qunwen Leng ,  Mahendra Pakala ,  Zhitao Diao ,  Christian Kaiser ,  Cheng-Han Yang

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3967 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3906 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic sensor configured to reside in proximity to a recording medium during use having a high spin polarization reference layer stack above AFM layers. The reference layer stack comprises a first boron-free ferromagnetic layer above the AFM coupling layer; a magnetic coupling layer on and in contact with the first boron-free ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer comprising boron deposited on and contact with the magnetic coupling layer; and a boron-free third ferromagnetic layer on and in contact the second ferromagnetic layer. A barrier layer is deposited on and in contact with the boron-free third ferromagnetic layer. In one aspect of the invention, the magnetic coupling layer may comprise at least one of Ta, Ti, or Hf. A process for providing the magnetic sensor is also provided.

    摘要翻译： 磁传感器被配置为在使用期间驻留在记录介质附近，在AFM层上方具有高自旋极化参考层堆叠。 参考层堆叠包括在AFM耦合层上方的第一无硼铁磁层; 与第一无硼铁磁层接触并与之接触的磁耦合层; 第二铁磁层，其包含沉积在磁耦合层上并与其接触的硼; 以及在第二铁磁层上并与之接触的无硼第三铁磁层。 阻挡层沉积在无硼第三铁磁层上并与无硼第三铁磁层接触。 在本发明的一个方面，磁耦合层可以包括Ta，Ti或Hf中的至少一种。 还提供了一种用于提供磁传感器的过程。

    Methods for manufacturing a magnetoresistive structure utilizing heating and cooling
    5.
    发明授权
    Methods for manufacturing a magnetoresistive structure utilizing heating and cooling 有权
    利用加热和冷却制造磁阻结构的方法

    公开(公告)号：US09093639B2

    公开(公告)日：2015-07-28

    申请号：US13401164

    申请日：2012-02-21

    申请人： Christian Kaiser ,  Qunwen Leng ,  Mahendra Pakala

    发明人： Christian Kaiser ,  Qunwen Leng ,  Mahendra Pakala

    IPC分类号： H01L43/12 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01F41/30 ,  H01F10/32

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307

    摘要： This invention describes a novel tunnel magnetoresistive (TMR) deposition process that can enhance the signal-to-noise ratio (SNR) of a TMR reader. A method of manufacturing a tunnel magnetoresistive sensor includes providing a substrate; forming a first portion of a magnetic tunnel junction (MTJ) structure on the substrate; forming a second portion of the MTJ structure on the substrate; forming a tunnel barrier layer of the MTJ structure between the first portion and the second portion; heating the first portion of the MTJ structure before forming the tunnel barrier layer or after forming at least a portion of the tunnel barrier layer; and cooling the tunnel barrier layer.

    摘要翻译： 本发明描述了可以增强TMR读取器的信噪比（SNR）的新型隧道磁阻（TMR）沉积工艺。 隧道磁阻传感器的制造方法包括提供基板; 在所述衬底上形成磁隧道结（MTJ）结构的第一部分; 在衬底上形成MTJ结构的第二部分; 在所述第一部分和所述第二部分之间形成所述MTJ结构的隧道势垒层; 在形成隧道势垒层之前或在形成隧道势垒层的至少一部分之后加热MTJ结构的第一部分; 并冷却隧道势垒层。

    Method and system for fabricating magnetic transducers with improved pinning
    6.
    发明授权
    Method and system for fabricating magnetic transducers with improved pinning 有权
    用于制造具有改进钉扎功能的磁换能器的方法和系统

    公开(公告)号：US08164864B2

    公开(公告)日：2012-04-24

    申请号：US12504030

    申请日：2009-07-16

    申请人： Christian Kaiser ,  Laurence L. Chen ,  Qunwen Leng

    发明人： Christian Kaiser ,  Laurence L. Chen ,  Qunwen Leng

    IPC分类号： G11B5/127

    CPC分类号： H01F10/3254 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3932 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T428/1114

    摘要： A method and system for providing a magnetic transducer are disclosed. The method and system include providing a magnetic element that includes a free layer, a pinned layer, and a nonmagnetic spacer layer between the free layer and the pinned layer. The nonmagnetic spacer layer is a tunneling barrier layer. The free layer is configured to be biased in a first direction. The pinned layer has a pinned layer magnetization configured to be pinned in a second direction that is at a first angle from perpendicular to the ABS. The first angle is nonzero and different from ninety degrees. The second direction and the first direction form a second angle that is different from ninety degrees.

    摘要翻译： 公开了一种用于提供磁换能器的方法和系统。 该方法和系统包括在自由层和钉扎层之间提供包括自由层，钉扎层和非磁性间隔层的磁性元件。 非磁性间隔层是隧道势垒层。 自由层被配置为沿第一方向偏置。 钉扎层具有被钉扎层磁化，其被构造成在与ABS垂直的第一角度处于第二方向上被钉扎。 第一个角度是非零，不同于九十度。 第二方向和第一方向形成与九十度不同的第二角度。

    SYSTEM AND METHOD FOR AUTHENTICATING AN END USER
    9.
    发明申请
    SYSTEM AND METHOD FOR AUTHENTICATING AN END USER 审中-公开
    用于认证最终用户的系统和方法

    公开(公告)号：US20100058460A1

    公开(公告)日：2010-03-04

    申请号：US12200104

    申请日：2008-08-28

    申请人： Christian Kaiser ,  Thomas Prause

    发明人： Christian Kaiser ,  Thomas Prause

    IPC分类号： G06F21/00

    CPC分类号： G06F21/31

    摘要： A method for authenticating an end user. The method comprising receiving a first userID and a first password from an end user. Next, attempting to authenticate the end user using the first userID and the first password provided. Finally, sending an error message to the end user in response to failing to authenticate the end user using the first userID and the first password wherein the error message comprises a first option and a second option. The first option comprising a first key combination that if entered would allow the end user to enter a second password and authenticate using the first userID and the second password. The second option comprising a second key combination that if entered would allow the end user to enter a second userID and a third password and authenticate using the second UserID and the third password.

    摘要翻译： 用于认证最终用户的方法。 该方法包括从最终用户接收第一用户ID和第一密码。 接下来，尝试使用第一个userID和提供的第一个密码验证最终用户。 最后，响应于使用第一用户ID和第一密码对最终用户的认证失败，向最终用户发送错误消息，其中该错误消息包括第一选项和第二选项。 第一选项包括第一密钥组合，如果输入，则允许最终用户输入第二密码并使用第一用户ID和第二密码进行认证。 第二选项包括第二密钥组合，如果输入将允许最终用户输入第二用户ID和第三密码，并使用第二用户ID和第三密码进行认证。

    Spin-polarization devices using rare earth-transition metal alloys
    10.
    发明授权
    Spin-polarization devices using rare earth-transition metal alloys 有权
    使用稀土 - 过渡金属合金的自旋极化器件

    公开(公告)号：US07531830B2

    公开(公告)日：2009-05-12

    申请号：US11739051

    申请日：2007-04-23

    申请人： Christian Kaiser ,  Stuart Stephen Papworth Parkin

    发明人： Christian Kaiser ,  Stuart Stephen Papworth Parkin

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L39/00

    CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/08

    摘要： A tunnel barrier in proximity with a layer of a rare earth element-transition metal (RE-TM) alloy forms a device that passes negatively spin-polarized current. The rare earth element includes at least one element selected from the group consisting of Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, and Yb. The RE and TM have respective sub-network moments such that the absolute magnitude of the RE sub-network moment is greater than the absolute magnitude of the TM sub-network moment. An additional layer of magnetic material may be used in combination with the tunnel barrier and the RE-TM alloy layer to form a magnetic tunnel junction. Still other layers of tunnel barrier and magnetic material may be used in combination with the foregoing to form a flux-closed double tunnel junction device.

    摘要翻译： 靠近稀土元素 - 过渡金属（RE-TM）合金层的隧道势垒形成通过负自旋极化电流的装置。 稀土元素包括选自Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm和Yb中的至少一种元素。 RE和TM具有相应的子网络时刻，使得RE子网络时刻的绝对幅度大于TM子网络时刻的绝对幅度。 可以与隧道势垒和RE-TM合金层结合使用附加的磁性材料层以形成磁性隧道结。 隧道势垒和磁性材料的其它层可以与前述结合使用以形成通量封闭双隧道结装置。