公开(公告)号：US20100327317A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12459262

申请日：2009-06-26

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Benjamin Chu-Kung ,  Jack Kavalieros

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Benjamin Chu-Kung ,  Jack Kavalieros

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78684 ,  H01L29/78603

摘要： Embodiments of an apparatus and methods for providing germanium on insulator using a large bandgap barrier layer are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 在此通常描述使用大带隙阻挡层在绝缘体上提供锗的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US08115235B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12378828

申请日：2009-02-20

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Titash Rakshit ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Gilbert Dewey ,  Benjamin Chu-Kung

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Titash Rakshit ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Gilbert Dewey ,  Benjamin Chu-Kung

IPC分类号： H01L31/06

CPC分类号： H01L29/122 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

摘要： A quantum well (QW) layer is provided in a semiconductive device. The QW layer is provided with a beryllium-doped halo layer in a barrier structure below the QW layer. The semiconductive device includes InGaAs bottom and top barrier layers respectively below and above the QW layer. The semiconductive device also includes a high-k gate dielectric layer that sits on the InP spacer first layer in a gate recess. A process of forming the QW layer includes using an off-cut semiconductive substrate.

摘要翻译： 在半导体器件中提供量子阱（QW）层。 QW层在QW层下面的阻挡结构中设置有铍掺杂卤素层。 半导体器件包括分别在QW层下方和上方的InGaAs底部和顶部势垒层。 半导体器件还包括位于栅极凹槽中的InP间隔物第一层上的高k栅介质层。 形成QW层的方法包括使用切断的半导体衬底。

公开(公告)号：US20100213441A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12378828

申请日：2009-02-20

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Titash Rakshit ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Gilbert Dewey ,  Benjamin Chu-Kung

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Titash Rakshit ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Gilbert Dewey ,  Benjamin Chu-Kung

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/122 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

摘要： A quantum well (QW) layer is provided in a semiconductive device. The QW layer is provided with a beryllium-doped halo layer in a barrier structure below the QW layer. The semiconductive device includes InGaAs bottom and top barrier layers respectively below and above the QW layer. The semiconductive device also includes a high-k gate dielectric layer that sits on the InP spacer first layer in a gate recess. A process of forming the QW layer includes using an off-cut semiconductive substrate.

摘要翻译： 在半导体器件中提供量子阱（QW）层。 QW层在QW层下面的阻挡结构中设置有铍掺杂卤素层。 半导体器件包括分别在QW层下方和上方的InGaAs底部和顶部势垒层。 半导体器件还包括位于栅极凹槽中的InP间隔物第一层上的高k栅介质层。 形成QW层的方法包括使用切断的半导体衬底。

公开(公告)号：US20100163927A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12319097

申请日：2008-12-30

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/155 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831

摘要： Embodiments of an apparatus and methods for providing three-dimensional complementary metal oxide semiconductor devices comprising modulation doped transistors are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文通常描述用于提供包括调制掺杂晶体管的三维互补金属氧化物半导体器件的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US08633471B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13032777

申请日：2011-02-23

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/155 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831

摘要： Embodiments of an apparatus and methods for providing three-dimensional complementary metal oxide semiconductor devices comprising modulation doped transistors are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed, which may include a modulation doped heterostructure, wherein the modulation doped heterostructure may comprise an active portion having a first bandgap and a delta doped portion having a second bandgap.

摘要翻译： 本文通常描述用于提供包括调制掺杂晶体管的三维互补金属氧化物半导体器件的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例，其可以包括调制掺杂异质结构，其中调制掺杂异质结构可以包括具有第一带隙的有源部分和具有第二带隙的δ掺杂部分。

公开(公告)号：US07915642B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12319097

申请日：2008-12-30

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/155 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831

摘要： Embodiments of an apparatus and methods for providing three-dimensional complementary metal oxide semiconductor devices comprising modulation doped transistors are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文通常描述用于提供包括调制掺杂晶体管的三维互补金属氧化物半导体器件的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20110140171A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US13032777

申请日：2011-02-23

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/155 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831

摘要： Embodiments of an apparatus and methods for providing three-dimensional complementary metal oxide semiconductor devices comprising modulation doped transistors are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文通常描述用于提供包括调制掺杂晶体管的三维互补金属氧化物半导体器件的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20140099759A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：US14104096

申请日：2013-12-12

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Marko Radosavljevic ,  Willy Rachmady ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/155 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831

摘要： Embodiments of an apparatus and methods for providing three-dimensional complementary metal oxide semiconductor devices comprising modulation doped transistors are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文通常描述用于提供包括调制掺杂晶体管的三维互补金属氧化物半导体器件的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20120326123A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13545358

申请日：2012-07-10

申请人： RAVI PILLARISETTY ,  Mantu Hudait ,  Been-Yih Jin ,  Benjamin Chu-Kung ,  Robert Chau

发明人： RAVI PILLARISETTY ,  Mantu Hudait ,  Been-Yih Jin ,  Benjamin Chu-Kung ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/66977 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/161 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7781

摘要： Embodiments of an apparatus and methods of providing a quantum well device for improved parallel conduction are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文通常描述了提供用于改进的并联传导的量子阱装置的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20130313520A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：US13956685

申请日：2013-08-01

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Been-Yih Jin ,  Benjamin Chu-Kung ,  Robert Chau

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Mantu Hudait ,  Been-Yih Jin ,  Benjamin Chu-Kung ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66977 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/161 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7781

摘要： Embodiments of an apparatus and methods of providing a quantum well device for improved parallel conduction are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文通常描述了提供用于改进的并联传导的量子阱装置的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。