公开(公告)号：US08804415B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13527418

申请日：2012-06-19

申请人： Robert B. Wood ,  Jea Woong Hyun ,  Hairong Sun ,  Warner Losh ,  David Flynn

发明人： Robert B. Wood ,  Jea Woong Hyun ,  Hairong Sun ,  Warner Losh ,  David Flynn

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L29/792 ,  G11C16/10 ,  H01L27/108 ,  G11C11/404

CPC分类号： G11C16/0466 ,  G11C11/404 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/20 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/349 ,  H01L27/108 ,  H01L29/792

摘要： A method for adaptive voltage range management in non-volatile memory is described. The method includes establishing an adaptive voltage range for a memory element of an electronic memory device. The memory element includes at least two states. The adaptive voltage range comprises a lower state and an upper state. The method also includes establishing an adjustment process to implement a first adjustment of an abode characteristic of a first state and to implement a second adjustment of an abode characteristic of a second state in the adaptive voltage range in response to a trigger event, wherein the first adjustment of an abode characteristic of the first state is different from the second adjustment of an abode characteristic of the second state.

摘要翻译： 描述了一种用于非易失性存储器中的自适应电压范围管理的方法。 该方法包括建立电子存储器件的存储元件的自适应电压范围。 存储元件至少包括两个状态。 自适应电压范围包括下状态和上状态。 该方法还包括建立调整过程以实现第一状态的居住特征的第一调整，并且响应于触发事件在自适应电压范围内实现第二状态的居住特性的第二调整，其中第一 第一状态的居住特性的调整与第二状态的居住特性的第二调整不同。

公开(公告)号：US20130336072A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13527418

申请日：2012-06-19

申请人： Robert B. Wood ,  Jea Woong Hyun ,  Hairong Sun ,  Warner Losh ,  David Flynn

发明人： Robert B. Wood ,  Jea Woong Hyun ,  Hairong Sun ,  Warner Losh ,  David Flynn

IPC分类号： G11C16/20

CPC分类号： G11C16/0466 ,  G11C11/404 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/20 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/349 ,  H01L27/108 ,  H01L29/792

摘要： A method for adaptive voltage range management in non-volatile memory is described. The method includes establishing an adaptive voltage range for a memory element of an electronic memory device. The memory element includes at least two states. The adaptive voltage range comprises a lower state and an upper state. The method also includes establishing an adjustment process to implement a first adjustment of an abode characteristic of a first state and to implement a second adjustment of an abode characteristic of a second state in the adaptive voltage range in response to a trigger event, wherein the first adjustment of an abode characteristic of the first state is different from the second adjustment of an abode characteristic of the second state.

摘要翻译： 描述了一种用于非易失性存储器中的自适应电压范围管理的方法。 该方法包括建立电子存储器件的存储元件的自适应电压范围。 存储元件至少包括两个状态。 自适应电压范围包括下状态和上状态。 该方法还包括建立调整过程以实现第一状态的居住特征的第一调整，并且响应于触发事件在自适应电压范围内实现第二状态的居住特性的第二调整，其中第一 第一状态的居住特性的调整与第二状态的居住特性的第二调整不同。

公开(公告)号：US09424930B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US13234137

申请日：2011-09-15

申请人： Robert Barry Wood ,  Jea Woong Hyun ,  Hairong Sun

发明人： Robert Barry Wood ,  Jea Woong Hyun ,  Hairong Sun

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/56

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628

摘要： Methods, storage controllers, and systems for non-volatile storage element programming are described. One method includes programming user data in pages associated with a set of wordlines of an erase block of a non-volatile, solid-state storage element. The method further includes selecting at least one of the wordlines of the set programmed with the user data and restricting further programming of user data in the pages associated with the selected wordline. In some embodiments, the selected wordline occurs subsequent to the pages associated with the other wordlines of the set in a page programming order for the erase block.

摘要翻译： 描述用于非易失性存储元件编程的方法，存储控制器和系统。 一种方法包括在与非易失性固态存储元件的擦除块的一组字线相关联的页面中编程用户数据。 该方法还包括选择用用户数据编程的集合的字线中的至少一个，并限制与所选字线相关联的页面中的用户数据的进一步编程。 在一些实施例中，所选择的字线在与擦除块的页面编程顺序中的集合的其他字线相关联的页面之后发生。

公开(公告)号：US20120063231A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13234137

申请日：2011-09-15

申请人： Robert Barry Wood ,  Jae Woong Hyun ,  Hairong Sun

发明人： Robert Barry Wood ,  Jae Woong Hyun ,  Hairong Sun

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628

摘要： Methods, storage controllers, and systems for non-volatile storage element programming are described. One method includes programming user data in pages associated with a set of wordlines of an erase block of a non-volatile, solid-state storage element. The method further includes selecting at least one of the wordlines of the set programmed with the user data and restricting further programming of user data in the pages associated with the selected wordline. In some embodiments, the selected wordline occurs subsequent to the pages associated with the other wordlines of the set in a page programming order for the erase block.

摘要翻译： 描述用于非易失性存储元件编程的方法，存储控制器和系统。 一种方法包括在与非易失性固态存储元件的擦除块的一组字线相关联的页面中编程用户数据。 该方法还包括选择用用户数据编程的集合的字线中的至少一个，并限制与所选字线相关联的页面中的用户数据的进一步编程。 在一些实施例中，所选择的字线在与擦除块的页面编程顺序中的集合的其他字线相关联的页面之后发生。

公开(公告)号：US08380915B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13189402

申请日：2011-07-22

申请人： Robert Wood ,  Jea Hyun ,  Hairong Sun

发明人： Robert Wood ,  Jea Hyun ,  Hairong Sun

IPC分类号： G06F13/00

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C11/56 ,  G11C29/02 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42

摘要： An apparatus, system, and method are disclosed to manage solid-state storage media by determining one or more configuration parameters for the solid-state storage media. A media characteristic module references one or more storage media characteristics for a set of storage cells of solid-state storage media. A configuration parameter module determines a configuration parameter for the set of storage cells based on the one or more storage media characteristics. A storage cell configuration module configures the set of storage cells to use the determined configuration parameter.

摘要翻译： 公开了一种通过确定固态存储介质的一个或多个配置参数来管理固态存储介质的装置，系统和方法。 媒体特性模块参考固态存储介质的一组存储单元的一个或多个存储介质特性。 配置参数模块基于一个或多个存储介质特性来确定该组存储单元的配置参数。 存储单元配置模块将存储单元组配置为使用确定的配置参数。

公开(公告)号：US09270108B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US13439837

申请日：2012-04-04

申请人： Hui Hu ,  Hairong Sun

发明人： Hui Hu ,  Hairong Sun

IPC分类号： H02H5/04 ,  H02H7/08

CPC分类号： H02H7/0811

摘要： A protection circuit for brushed DC motors connected between an AC power supply input and a rectifier circuit, including a power supply line, a power supply circuit, an AC detection circuit, a rectifier/filter voltage-stabilizing circuit, a microprocessor, a drive circuit, and a switching unit. The switching unit is connected to the power supply line in series. An input terminal of the power supply circuit is connected with the AC power supply input. The AC detection circuit receives current signals from the power supply line. The current signals are processed by the rectifier/filter voltage-stabilizing circuit and sent to the microprocessor. An output terminal of the microprocessor is connected to an input terminal of the drive circuit, and the drive circuit controls the switching unit to connect or disconnect the power supply circuit.

摘要翻译： 连接在交流电源输入和整流电路之间的刷式直流电动机的保护电路，包括电源线，电源电路，交流检测电路，整流/滤波电压稳定电路，微处理器，驱动电路 ，以及开关单元。 开关单元串联连接到电源线。 电源电路的输入端子与交流电源输入端连接。 AC检测电路从电源线接收电流信号。 电流信号由整流/滤波电压稳定电路处理，并发送到微处理器。 微处理器的输出端连接到驱动电路的输入端，驱动电路控制开关单元连接或断开电源电路。

公开(公告)号：US20120203951A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13189402

申请日：2011-07-22

申请人： Robert Wood ,  Jea Hyun ,  Hairong Sun

发明人： Robert Wood ,  Jea Hyun ,  Hairong Sun

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C11/56 ,  G11C29/02 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42

摘要： An apparatus, system, and method are disclosed to improve the utility of solid-state storage media by determining one or more configuration parameters for the solid-state storage media. A media characteristic module references one or more storage media characteristics for a set of storage cells of solid-state storage media. A configuration parameter module determines a configuration parameter for the set of storage cells based on the one or more storage media characteristics. A storage cell configuration module configures the set of storage cells to use the determined configuration parameter.

摘要翻译： 公开了一种通过确定固态存储介质的一个或多个配置参数来改善固态存储介质的效用的装置，系统和方法。 媒体特性模块参考固态存储介质的一组存储单元的一个或多个存储介质特性。 配置参数模块基于一个或多个存储介质特性来确定该组存储单元的配置参数。 存储单元配置模块将存储单元组配置为使用所确定的配置参数。