公开(公告)号：US20110159671A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US13048367

申请日：2011-03-15

申请人： Robert KAIM ,  Joseph D. Sweeney ,  Oleg Byl ,  Sharad N. Yedave ,  Edward E. Jones ,  Peng Zou ,  Ying Tang ,  Barry Lewis Chambers ,  Richard S. Ray

发明人： Robert KAIM ,  Joseph D. Sweeney ,  Oleg Byl ,  Sharad N. Yedave ,  Edward E. Jones ,  Peng Zou ,  Ying Tang ,  Barry Lewis Chambers ,  Richard S. Ray

IPC分类号： H01L21/265 ,  C01B35/06

CPC分类号： C01B35/061 ,  C01P2006/88 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  Y02P20/134

摘要： An isotopically-enriched, boron-containing compound comprising two or more boron atoms and at least one fluorine atom, wherein at least one of the boron atoms contains a desired isotope of boron in a concentration or ratio greater than a natural abundance concentration or ratio thereof. The compound may have a chemical formula of B2F4. Synthesis methods for such compounds, and ion implantation methods using such compounds, are described, as well as storage and dispensing vessels in which the isotopically-enriched, boron-containing compound is advantageously contained for subsequent dispensing use.

摘要翻译： 包含两个或更多个硼原子和至少一个氟原子的同位素富集的含硼化合物，其中至少一个硼原子含有所需的硼的同位素，其浓度或比例大于天然丰度浓度或比率 。 该化合物可以具有化学式B2F4。 对这些化合物的合成方法和使用这种化合物的离子注入方法进行了描述，以及储存和分配容器，其中有利地含有同位素富集的含硼化合物用于随后的分配用途。

公开(公告)号：US20110021011A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12842006

申请日：2010-07-22

申请人： Joseph D. SWEENEY ,  Oleg BYL ,  Robert KAIM

发明人： Joseph D. SWEENEY ,  Oleg BYL ,  Robert KAIM

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/265 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/2236

摘要： A method of implanting carbon ions into a target substrate, including: ionizing a carbon containing dopant material to produce a plasma having ions; optionally co-flowing an additional gas or series of gases with the carbon-containing dopant material; and implanting the ions into the target substrate. The carbon-containing dopant material is of the formula CwFxOyHz wherein if w=1, then x>0 and y and z can take any value, and wherein if w>1 then x or y is >0, and z can take any value. Such method significantly improves the efficiency of an ion implanter tool, in relation to the use of carbon source gases such as carbon monoxide or carbon dioxide.

摘要翻译： 一种将碳离子注入目标衬底的方法，包括：使含碳的掺杂剂材料电离以产生具有离子的等离子体; 任选地将另外的气体或一系列气体与含碳掺杂剂材料共流动; 并将离子注入目标衬底。 含碳掺杂剂材料为CwFxOyHz，其中如果w = 1，则x> 0，y和z可以取任何值，并且其中如果w> 1，则x或y> 0，并且z可以取任何值 。 相对于碳源气体如一氧化碳或二氧化碳的使用，这种方法显着地提高了离子注入机工具的效率。

公开(公告)号：US20120142174A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13401527

申请日：2012-02-21

申请人： Robert KAIM ,  Joseph D. SWEENEY ,  Anthony M. AVILA ,  Richard S. RAY

发明人： Robert KAIM ,  Joseph D. SWEENEY ,  Anthony M. AVILA ,  Richard S. RAY

IPC分类号： H01L21/265 ,  C09K3/00

CPC分类号： H01L21/2225 ,  F17C7/00 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26506 ,  Y02E60/321 ,  Y10T428/13

摘要： An ion implantation system and process, in which the performance and lifetime of the ion source of the ion implantation system are enhanced, by utilizing isotopically enriched dopant materials, or by utilizing dopant materials with supplemental gas(es) effective to provide such enhancement.

公开(公告)号：US20100112795A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12570995

申请日：2009-09-30

申请人： Robert KAIM ,  Jose I. ARNO ,  James A. DIETZ

发明人： Robert KAIM ,  Jose I. ARNO ,  James A. DIETZ

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0827 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658

摘要： A first method for producing a doped region in a semiconductor substrate includes performing a first implant step in which a carborane cluster molecule is implanted into a semiconductor substrate to form a doped region. A second method for producing a semiconductor device having a shallow junction region includes providing a first gas and a second gas in a container. The first gas includes a first dopant and the second gas includes a second dopant. The second method also includes implanting the first and second dopants into a semiconductor substrate using an ion. The ion source is not turned off between the steps of implanting the first dopant and implanting the second dopant.

摘要翻译： 用于在半导体衬底中制造掺杂区域的第一种方法包括进行第一注入步骤，其中将碳硼烷簇分子注入到半导体衬底中以形成掺杂区域。 用于制造具有浅结区域的半导体器件的第二种方法包括在容器中提供第一气体和第二气体。 第一气体包括第一掺杂剂，第二气体包括第二掺杂剂。 第二种方法还包括使用离子将第一和第二掺杂剂注入到半导体衬底中。 离子源在植入第一掺杂剂和注入第二掺杂剂的步骤之间不被关闭。