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    Interband cascade (IC) photovoltaic (PV) architecture for PV devices
    1.
    发明授权
    Interband cascade (IC) photovoltaic (PV) architecture for PV devices 有权
    光伏器件的带间级联（IC）光伏（PV）架构

    公开(公告)号：US09166084B2

    公开(公告)日：2015-10-20

    申请号：US13024203

    申请日：2011-02-09

    申请人： Rui Q. Yang ,  Zhaobing Tian ,  Tetsuya D. Mishima ,  Michael B. Santos ,  Matthew B. Johnson ,  John F. Klem

    发明人： Rui Q. Yang ,  Zhaobing Tian ,  Tetsuya D. Mishima ,  Michael B. Santos ,  Matthew B. Johnson ,  John F. Klem

    IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0352 ,  B82Y20/00

    CPC分类号： H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  Y02E10/544

    摘要： A photovoltaic (PV) device, comprising a PV interband cascade (IC) stage, wherein the IC PV stage comprises an absorption region with a band gap, the absorption region configured to absorb photons, an intraband transport region configured to act as a hole barrier, and an interband tunneling region configured to act as an electron barrier. An IC PV architecture for a photovoltaic device, the IC PV architecture comprising an absorption region, an intraband transport region coupled to the absorption region, and an interband tunneling region coupled to the intraband transport region and to the adjacent absorption region, wherein the absorption region, the intraband transport region, and the interband tunneling region are positioned such that electrons will flow from the absorption region to the intraband transport region to the interband tunneling region.

    摘要翻译： 一种包括PV带间级联（IC）级的光伏（PV）装置，其中所述IC PV级包括具有带隙的吸收区域，所述吸收区域被配置为吸收光子，配置成充当空穴阻挡层的内部内传输区域 ，以及配置为充当电子势垒的带间隧道区域。 一种用于光伏器件的IC PV结构，所述IC PV结构包括吸收区域，耦合到所述吸收区域的体内传输区域，以及耦合到所述体内传输区域和相邻吸收区域的带间隧道区域，其中所述吸收区域 位于内部传输区域和带间隧道区域之间的位置使得电子将从吸收区域流到内部传输区域到带间隧道区域。

    Interband Cascade (IC) Photovoltaic (PV) Architecture for PV Devices
    2.
    发明申请
    Interband Cascade (IC) Photovoltaic (PV) Architecture for PV Devices 有权
    光伏器件的带间级联（IC）光伏（PV）架构

    公开(公告)号：US20120199185A1

    公开(公告)日：2012-08-09

    申请号：US13024203

    申请日：2011-02-09

    申请人： Rui Q. Yang ,  Zhaobing Tian ,  Tetsuya D. Mishima ,  Michael B. Santos ,  Matthew B. Johnson ,  John F. Klem

    发明人： Rui Q. Yang ,  Zhaobing Tian ,  Tetsuya D. Mishima ,  Michael B. Santos ,  Matthew B. Johnson ,  John F. Klem

    IPC分类号： H01L31/0248 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0272

    CPC分类号： H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  Y02E10/544

    摘要： A photovoltaic (PV) device, comprising a PV interband cascade (IC) stage, wherein the IC PV stage comprises an absorption region with a band gap, the absorption region configured to absorb photons, an intraband transport region configured to act as a hole barrier, and an interband tunneling region configured to act as an electron barrier. An IC PV architecture for a photovoltaic device, the IC PV architecture comprising an absorption region, an intraband transport region coupled to the absorption region, and an interband tunneling region coupled to the intraband transport region and to the adjacent absorption region, wherein the absorption region, the intraband transport region, and the interband tunneling region are positioned such that electrons will flow from the absorption region to the intraband transport region to the interband tunneling region.

    摘要翻译： 一种包括PV带间级联（IC）级的光伏（PV）装置，其中所述IC PV级包括具有带隙的吸收区域，所述吸收区域被配置为吸收光子，配置成充当空穴阻挡层的内部内传输区域 ，以及配置为充当电子势垒的带间隧道区域。 一种用于光伏器件的IC PV结构，所述IC PV结构包括吸收区域，耦合到所述吸收区域的体内传输区域，以及耦合到所述体内传输区域和相邻吸收区域的带间隧道区域，其中所述吸收区域 位于内部传输区域和带间隧道区域之间的位置使得电子将从吸收区域流到内部传输区域到带间隧道区域。

    Semiconductor Interband Lasers and Method of Forming
    4.
    发明申请
    Semiconductor Interband Lasers and Method of Forming 有权
    半导体激光器及其形成方法

    公开(公告)号：US20120044964A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：US12975008

    申请日：2010-12-21

    申请人： Rui Q. Yang ,  Tetsuya Mishima ,  Michael B. Santos ,  Zhaobing Tian ,  Matthew B. Johnson ,  Robert T. Hinkey

    发明人： Rui Q. Yang ,  Tetsuya Mishima ,  Michael B. Santos ,  Zhaobing Tian ,  Matthew B. Johnson ,  Robert T. Hinkey

    IPC分类号： H01S5/323

    CPC分类号： H01S5/3401 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/1046 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/343

    摘要： A semiconductor interband laser that includes a first cladding layer formed using a first high-doped semiconductor material having a first refractive index/permittivity and a second cladding layer formed using a second high-doped semiconductor material having a second refractive index/permittivity. The laser also includes a waveguide core having a waveguide core refractive index/permittivity, the waveguide core is positioned between the first and the second cladding layers. The waveguide core including an active region adapted to generate light based on interband transitions. The light being generated defines the lasing wavelength or the lasing frequency. The first refractive index and the second refractive index are lower than the waveguide core refractive index. The first cladding layer and/or the second cladding layers can also be formed using a metal.

    摘要翻译： 一种半导体区带激光器，其包括使用具有第一折射率/介电常数的第一高掺杂半导体材料形成的第一覆层和使用具有第二折射率/介电常数的第二高掺杂半导体材料形成的第二覆层。 激光器还包括具有波导芯折射率/介电常数的波导芯，波导芯位于第一和第二覆层之间。 波导芯包括适于基于带间跃迁产生光的有源区。 产生的光定义了激光波长或激光频率。 第一折射率和第二折射率低于波导芯折射率。 第一覆层和/或第二覆层也可以使用金属形成。