公开(公告)号：US20050026444A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10846718

申请日：2004-05-13

申请人： S. Babu ,  Sharath Hegde ,  Sunil Jha ,  Udaya Patri ,  Youngki Hong

发明人： S. Babu ,  Sharath Hegde ,  Sunil Jha ,  Udaya Patri ,  Youngki Hong

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F3/06 ,  H01L21/321 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/461

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

摘要： The claimed invention involves a novel aqueous slurry for chemical-mechanical planarization that is effective for polishing copper at high polish rates. The aqueous slurry according to the present invention comprises particles of MoO3 dissolved in an oxidizing agent. A method for polishing copper by chemical-mechanical planarization includes contacting copper with a polishing pad and an aqueous slurry comprising particles of MoO3 dissolved in an oxidizing agent.

摘要翻译： 所要求保护的发明涉及用于化学 - 机械平面化的新型含水浆料，其有效地以高抛光速率抛光铜。 根据本发明的含水浆料包含溶解在氧化剂中的MoO 3颗粒。 通过化学机械平面化抛光铜的方法包括使铜与抛光垫接触，以及包含溶解在氧化剂中的MoO 3颗粒的含水浆料。

公开(公告)号：US20050022456A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10631698

申请日：2003-07-30

申请人： S. Babu ,  Sharath Hegde ,  Sunil Jha

发明人： S. Babu ,  Sharath Hegde ,  Sunil Jha

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F3/06 ,  H01L21/321 ,  B24D3/02

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

摘要： The claimed invention involves a novel aqueous polishing slurry for chemical-mechanical polishing that is effective for polishing copper at high polish rates. The aqueous slurry according to the present invention comprises particles of MoO2 in an oxidizing agent. A method for polishing copper by chemical-mechanical polishing includes contacting copper with a polishing pad and an aqueous slurry comprising particles of MoO2 in an oxidizing agent.

摘要翻译： 所要求保护的发明涉及用于化学 - 机械抛光的新颖的水性抛光浆料，其以高抛光速率对铜进行抛光是有效的。 根据本发明的含水浆料包含氧化剂中的MoO 2颗粒。 通过化学机械抛光来抛光铜的方法包括使铜与抛光垫接触，以及包含氧化剂中的MoO 2颗粒的含水浆料。