公开(公告)号：US5861328A

公开(公告)日：1999-01-19

申请号：US723438

申请日：1996-10-07

申请人： Saied N. Tehrani ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam ,  Xiaodong T. Zhu ,  Clarence J. Tracy

发明人： Saied N. Tehrani ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam ,  Xiaodong T. Zhu ,  Clarence J. Tracy

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L43/12 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/0688

摘要： A method of fabricating GMR devices on a CMOS substrate structure with a semiconductor device formed therein. The method includes forming a dielectric system with a planar surface having a roughness in a range of 1 .ANG. to 20 .ANG. RMS on the substrate; disposing and patterning films of giant magneto-resistive material on the planar surface so as to form a memory cell; disposing a dielectric cap on the cell so as to seal the cell and provide a barrier to subsequent operations; forming vias through the dielectric cap and the dielectric system to interconnects of the semiconductor device; forming vias through the dielectric cap to the magnetic memory cell; and depositing a metal system through the vias to the interconnects and to the memory cell.

摘要翻译： 一种在其上形成有半导体器件的CMOS衬底结构上制造GMR器件的方法。 该方法包括形成具有平坦表面的电介质系统，该平面表面在衬底上的粗糙度范围为1安培至20安培RMS; 在平坦表面上设置和构图巨磁阻材料的薄膜以形成记忆单元; 在电池上设置电介质盖，以密封电池并为后续操作提供屏障; 通过所述电介质盖和所述介电系统形成通孔以连接所述半导体器件; 通过介电盖形成通孔到磁存储单元; 以及通过所述通孔将金属系统沉积到所述互连件和所述存储器单元。

公开(公告)号：US5768183A

公开(公告)日：1998-06-16

申请号：US723159

申请日：1996-09-25

申请人： Xiaodong T. Zhu ,  Saied N. Tehrani ,  Mark Durlam ,  Eugene Chen

发明人： Xiaodong T. Zhu ,  Saied N. Tehrani ,  Mark Durlam ,  Eugene Chen

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/56

CPC分类号： G11C11/5607 ,  G11C11/15 ,  G11C2211/5615

摘要： A plurality of layers of magnetic material are stacked in parallel, overlying relationship and separated by layers of non-magnetic material so as to form a multi-layer magnetic memory cell. The width of the cell is less than a width of magnetic domain walls within the magnetic layers so that magnetic vectors in the magnetic layers point along a length of the magnetic layers, and the ratio of the length to the width of the magnetic memory cell is in a range of 1.5 to 10. The magnetic layers are antiferromagnetically coupled when the ratio is less than 4 and ferromagnetically coupled when the ratio is greater than 4.

摘要翻译： 多层磁性材料以平行的方式堆叠叠置，由非磁性材料层隔开，形成多层磁性存储单元。 电池的宽度小于磁性层内的磁畴壁的宽度，使得磁性层中的磁矢量沿着磁性层的长度指向，并且磁性存储单元的长度与宽度的比率是 在1.5至10的范围内。当该比率小于4时，磁性层反铁磁耦合，并且当该比率大于4时被磁化耦合。

公开(公告)号：US5699293A

公开(公告)日：1997-12-16

申请号：US728023

申请日：1996-10-09

申请人： Saied N. Tehrani ,  Xiaodong T. Zhu ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam

发明人： Saied N. Tehrani ,  Xiaodong T. Zhu ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16

摘要： A magnetic random access memory device (10) has a plurality of pairs of memory cells (21a,21b), a column decoder (31), a row decoder (32), and a comparator (60). The pair of memory cells (21a,21b) is designated by column decoder (31) and row decoder (32) in response to a memory address. Complementary bits ("0" and "1") are stored in the pair of memory cells (21a,21b). When the state in the pair of memory cell (21a,21b) is read, both bits in the pair of memory cells (21a,21b) are compared to produce an output at one read cycle time to a bit line (70). This memory device omits a conventional auto-zeroing step so that a high speed MRAM device can be attained.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器件（10）具有多对存储单元（21a，21b），列解码器（31），行解码器（32）和比较器（60）。 响应于存储器地址，由列解码器（31）和行解码器（32）指定该对存储单元（21a，21b）。 互补位（“0”和“1”）存储在一对存储单元（21a，21b）中。 当读出该对存储单元（21a，21b）中的状态时，将该对存储单元（21a，21b）中的两个位进行比较，以在一个读周期时间向位线（70）产生输出。 该存储器件省略了常规的自动归零步骤，从而可以获得高速MRAM器件。

公开(公告)号：US5703805A

公开(公告)日：1997-12-30

申请号：US646897

申请日：1996-05-08

申请人： Saied N. Tehrani ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam ,  Xiaodong T. Zhu

发明人： Saied N. Tehrani ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam ,  Xiaodong T. Zhu

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/56 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/5607 ,  G11C2211/5616

摘要： A method for detecting and storing four states contained in a MRAM cell having two layers (11,13) which have different thicknesses is provided. A first magnetic field is applied to the MRAM cell, which causes a magnetoresistive change in the MRAM cell. A first and second states are detected based on the magnetoresistive change. A second magnetic field is further applied to the MRAM cell. A third and fourth states are detected based on the magnetoresistive change due to the second magnetic field.

摘要翻译： 提供了一种用于检测和存储包含在具有不同厚度的两层（11,13）的MRAM单元中的四种状态的方法。 第一磁场被施加到MRAM单元，这导致MRAM单元中的磁阻变化。 基于磁阻变化来检测第一和第二状态。 第二磁场进一步应用于MRAM单元。 基于由第二磁场引起的磁阻变化来检测第三和第四状态。

公开(公告)号：US5659499A

公开(公告)日：1997-08-19

申请号：US562482

申请日：1995-11-24

申请人： Eugene Chen ,  Saied N. Tehrani ,  Mark Durlam ,  Xiaodong T. Zhu

发明人： Eugene Chen ,  Saied N. Tehrani ,  Mark Durlam ,  Xiaodong T. Zhu

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C11/15

摘要： A magnetic memory utilizes a magnetic material to concentrate a magnetic field in a magnetic memory cell element. The magnetic material reduces the amount of current required to read and write the magnetic memory.

摘要翻译： 磁存储器利用磁性材料将磁场集中在磁存储单元元件中。 磁性材料减少了读取和写入磁存储器所需的电流量。

公开(公告)号：US5838607A

公开(公告)日：1998-11-17

申请号：US723162

申请日：1996-09-25

申请人： Xiaodong T. Zhu ,  Saied N. Tehrani ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam

发明人： Xiaodong T. Zhu ,  Saied N. Tehrani ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/56 ,  H01F10/32 ,  G11C11/00 ,  H01L29/161

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/324

摘要： Spin polarized apparatus includes a spin polarizing section of magnetic material with an electron input port and a polarized electron port and a transport section of magnetic material with a polarized electron input port electrically coupled to the polarized electron port of the polarizing section and an electron output port. Electrons traversing the polarizing section all have similar spin directions at the output dependent upon the magnetization direction of the polarizing section. Electrons traversing the transport section all have spins in a first direction at the output. The cell has a low resistance when the magnetization direction of the polarizing section is in the first direction (electrons entering the transport section all have spins in the first direction) and a high resistance when the magnetization direction is in an opposite direction (electrons entering the transport section all have spins in the opposite direction).

摘要翻译： 旋转极化装置包括具有电子输入端口和偏振电子端口的磁性材料的自旋极化部分和具有电耦合到偏振部分的偏振电子端口的偏振电子输入端口的磁性材料的传送部分和电子输出端口 。 穿过偏振部分的电子根据偏振部分的磁化方向在输出处都具有相似的自旋方向。 穿过传送部分的电子都在输出端处沿着第一方向旋转。 当偏振片的磁化方向处于第一方向（进入输送部分的电子全部在第一方向上具有自旋）时，电池具有低电阻，当磁化方向为相反方向（电子进入 运输部分都沿相反方向旋转）。

公开(公告)号：US5734606A

公开(公告)日：1998-03-31

申请号：US767240

申请日：1996-12-13

申请人： Saied N. Tehrani ,  Eugene Chen ,  Ronald N. Legge ,  Xiaodong T. Zhu ,  Mark Durlam

发明人： Saied N. Tehrani ,  Eugene Chen ,  Ronald N. Legge ,  Xiaodong T. Zhu ,  Mark Durlam

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC分类号： G11C11/15

摘要： New types of memory cell structures (20, 40) for a magnetic random access memory are provided. A memory cell (20, 40) has a plurality of cell pieces (21-24) where digital information is stored. Each cell piece is formed by magnetic layers (27, 28) separated by a conductor layer (29). A word line (25, 41) is placed adjacent each cell piece for winding around cell pieces (21-24) and meandering on a same plane on cell pieces (21-24), for example. The invention attains less power consumption and effective usage for a word current.

摘要翻译： 提供了用于磁随机存取存储器的新型存储单元结构（20,40）。 存储单元（20,40）具有存储数字信息的多个单元（21-24）。 每个电池片由通过导体层（29）分开的磁性层（27,28）形成。 例如，字线（25,41）被放置在每个单元片附近，用于绕在单元片（21-24）上并在单元片（21-24）上的同一平面上蜿蜒曲折。 本发明实现了对于字电流的更少的功耗和有效的使用。

公开(公告)号：US5902690A

公开(公告)日：1999-05-11

申请号：US806275

申请日：1997-02-25

申请人： Clarence J. Tracy ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam ,  Theodore Zhu ,  Saied N. Tehrani

发明人： Clarence J. Tracy ,  Eugene Chen ,  Mark Durlam ,  Theodore Zhu ,  Saied N. Tehrani

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L27/22 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/15 ,  Y10S977/838 ,  Y10T428/1164

摘要： A non-volatile magneto-resistive memory positioned on a semiconductor substrate is shielded from stray magnetic fields by a passivation layer partially or completely surrounding the non-volatile magneto-resistive memory. The passivation layer includes non-conductive ferrite materials, such as Mn--Zn-Ferrite, Ni--Zn-Ferrite, MnFeO, CuFeO, FeO, or NiFeO, for shielding the non-volatile magneto-resistive memory from stray magnetic fields. The non-conductive ferrite materials may also be in the form of a layer which focuses internally generated magnetic fields on the non-volatile magneto-resistive memory to reduce power requirements.

摘要翻译： 定位在半导体衬底上的非易失性磁阻存储器通过部分或完全围绕非易失性磁阻存储器的钝化层与杂散磁场屏蔽。 钝化层包括非导电铁氧体材料，例如Mn-Zn-铁素体，Ni-Zn-铁素体，MnFeO，CuFeO，FeO或NiFeO，用于屏蔽非易失性磁阻存储器与杂散磁场。 非导电铁氧体材料也可以是将内部产生的磁场聚焦在非易失性磁阻存储器上以降低功率需求的层的形式。

公开(公告)号：US5748524A

公开(公告)日：1998-05-05

申请号：US701355

申请日：1996-09-23

申请人： Eugene Chen ,  Saied N. Tehrani ,  Ronald N. Legge ,  Xiaodong T. Zhu

发明人： Eugene Chen ,  Saied N. Tehrani ,  Ronald N. Legge ,  Xiaodong T. Zhu

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/56

CPC分类号： G11C11/5607 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C2211/5616

摘要： A multi-layer magnetic memory cell is provided, with magnetic end vectors adjacent the ends of the cell pinned in a fixed direction. To pin the magnetic end vectors, a magnetic field is applied to an end of at least one of the layers of magnetic material in the cell to move the magnetic end vectors in the magnetic material at the end of the cell into a fixed direction. Pinning material is then disposed adjacent to the end to maintain the magnetic end vectors in the magnetic material at the end of the cell in the fixed direction.

摘要翻译： 提供了一个多层磁存储单元，其磁端向量靠近固定在固定方向上的单元端。 为了固定磁端向量，在单元中至少一层磁性材料的一端施加磁场，使磁性材料端端的磁端矢量移动到固定方向。 然后将钉扎材料设置成与端部相邻，以将磁端向量保持在固定方向上的电池端部的磁性材料中。

公开(公告)号：US5920500A

公开(公告)日：1999-07-06

申请号：US702781

申请日：1996-08-23

申请人： Saied N. Tehrani ,  Xiaodong T. Zhu ,  Eugene Chen ,  Herbert Goronkin

发明人： Saied N. Tehrani ,  Xiaodong T. Zhu ,  Eugene Chen ,  Herbert Goronkin

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/14 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/14 ,  H01L27/222

摘要： A magnetic random access memory (10) has a plurality of stacked memory cells on semiconductor substrate (11), each cell basically having a portion of magnetic material (12), a word line (13), and sense line (14). Upper sense line (22) is electrically coupled to lower sense line (12) via conductor line (23) with ohmic contacts. In order to read and store states in the memory cell, lower and upper word lines (13, 18) are activated, thereby total magnetic field is applied to portion of magnetic material (11). This stacked memory structure allows magnetic random access memory (10) to integrate more memory cells on semiconductor substrate (11).

摘要翻译： 磁性随机存取存储器（10）在半导体衬底（11）上具有多个堆叠的存储单元，每个单元基本上具有一部分磁性材料（12），字线（13）和感测线（14）。 上感测线（22）经由导体线（23）与欧姆接触电耦合到下感测线（12）。 为了读取和存储存储单元中的状态，上下文字线（13,18）被激活，从而将总磁场施加到磁性材料（11）的一部分。 这种堆叠式存储器结构允许磁性随机存取存储器（10）将更多的存储器单元集成在半导体衬底（11）上。