公开(公告)号：US09105581B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US14297024

申请日：2014-06-05

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Sam Hyung-sam Kim ,  Gon-Jun Kim ,  Volynets Vladmir ,  Yong-Kyun Park ,  In-Cheol Song ,  Sang-Heon Lee ,  Sang-Jean Jeon

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/6719

Abstract: In a method of processing a substrate, a first plasma may be generated from a first reaction gas. A second plasma may be generated from a second reaction gas. The first plasma and the second plasma may be individually applied to the substrate. Thus, each of the at least two remote plasma sources may generate at least two plasmas under different process recipes, which may be optimized for processing the substrate. As a result, the substrate processed using the optimal plasmas may have a desired shape.

Abstract translation: 在处理衬底的方法中，可以从第一反应气体产生第一等离子体。 可以从第二反应气体产生第二等离子体。 第一等离子体和第二等离子体可以单独地施加到基底。 因此，至少两个远程等离子体源中的每一个可以在不同的工艺配方下产生至少两个等离子体，其可以被优化用于处理衬底。 结果，使用最佳等离子体处理的衬底可以具有期望的形状。

公开(公告)号：US20170062235A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：US15347331

申请日：2016-11-09

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Gon-Jun Kim ,  Vladimir Volynets ,  Sang-jin An ,  Hee-jeon Yang ,  Sangheon Lee ,  Sung-keun Cho ,  Xinglong Chen ,  In-ho Choi

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/3065

Abstract: An etching method using plasma includes generating plasma by supplying process gases to at least one remote plasma source (RPS) and applying power to the at least one RPS, and etching an etching object by supplying water (H2O) and the plasma to a process chamber.

Abstract translation: 使用等离子体的蚀刻方法包括通过向至少一个远程等离子体源（RPS）提供处理气体并向所述至少一个RPS施加电力来产生等离子体，并且通过向处理室供应水（H 2 O）和等离子体来蚀刻蚀刻对象 。