公开(公告)号：US20070196984A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11655191

申请日：2007-01-19

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang ,  Sang-jun Choi ,  Bum-seok Seo ,  Chang-soo Lee

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang ,  Sang-jun Choi ,  Bum-seok Seo ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： C23C14/46 ,  C23C14/0052 ,  C23C14/08 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： Provided are a nonvolatile memory device, a layer deposition apparatus and a method of fabricating a nonvolatile memory device using the same. The apparatus may include a chamber capable of holding a substrate, a particle-discharging target discharging particles toward the substrate, and a first ion beam gun accelerating a first plurality of ions and irradiating the accelerated ions toward the substrate. The method of fabricating a nonvolatile memory device may include discharging particles from a target toward a substrate, accelerating and irradiating a first plurality of ions toward the substrate, forming a reaction product by reacting the discharged particles and the accelerated and irradiated first plurality of ions, and forming a data storage layer having a deposited layer on the substrate. The nonvolatile memory device may include a data storage layer including a transition metal oxide layer formed by reacting discharged transition metal particles and accelerated and irradiated oxygen ions.

摘要翻译： 提供一种非易失性存储器件，层淀积设备和使用其的非易失性存储器件的制造方法。 该装置可以包括能够保持基板的室，向基板排出颗粒的颗粒排放目标，以及加速第一多个离子并将加速离子朝向基板照射的第一离子束枪。 制造非易失性存储器件的方法可以包括将靶从靶向衬底排放，加速和照射第一多个离子朝向衬底，通过使排出的微粒和加速和照射的第一多个离子反应形成反应产物， 以及在所述基板上形成具有沉积层的数据存储层。 非易失性存储装置可以包括数据存储层，该数据存储层包括通过使放电的过渡金属颗粒和加速和照射的氧离子反应而形成的过渡金属氧化物层。

公开(公告)号：US07579283B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11653390

申请日：2007-01-16

申请人： Sang-Jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang

发明人： Sang-Jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3124

摘要： Provided is an insulation layer patterning method employing a flowable oxide, which does not use a photo-resist. Also, an insulation layer pattern and display devices including the insulation layer are disclosed.

摘要翻译： 提供了使用不使用光致抗蚀剂的可流动氧化物的绝缘层图案化方法。 此外，公开了一种绝缘层图案和包括绝缘层的显示装置。

公开(公告)号：US20070164214A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11513197

申请日：2006-08-31

申请人： Sang-jun Choi ,  Jung-Hyun Lee ,  Sang-bong Bang ,  Bum-seok Seo ,  Chang-soo Lee

发明人： Sang-jun Choi ,  Jung-Hyun Lee ,  Sang-bong Bang ,  Bum-seok Seo ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： G12B21/02

CPC分类号： G01Q70/12 ,  G01Q70/14 ,  Y10S977/876 ,  Y10S977/879

摘要： A conductive carbon nanotube tip and a manufacturing method thereof are provided. The conductive carbon nanotube tip includes a carbon nanotube tip substantially vertically placed on a substrate, and a ruthenium coating layer covering a surface of the carbon nanotube tip and extending to at least a part of the substrate. The manufacturing method includes substantially vertically placing a carbon nanotube tip on a substrate, and forming a ruthenium coating layer on the carbon nanotube tip and at least a part of the substrate.

摘要翻译： 提供导电性碳纳米管尖端及其制造方法。 导电性碳纳米管尖端包括基本上垂直放置在基板上的碳纳米管尖端和覆盖碳纳米管尖端的表面并延伸到基板的至少一部分的钌涂层。 制造方法包括将碳纳米管尖端基本上垂直放置在基板上，并且在碳纳米管尖端和基板的至少一部分上形成钌涂层。

公开(公告)号：US07507958B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US11513197

申请日：2006-08-31

申请人： Sang-jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang ,  Bum-seok Seo ,  Chang-soo Lee

发明人： Sang-jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang ,  Bum-seok Seo ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： G01N23/00

CPC分类号： G01Q70/12 ,  G01Q70/14 ,  Y10S977/876 ,  Y10S977/879

摘要： A conductive carbon nanotube tip and a manufacturing method thereof are provided. The conductive carbon nanotube tip includes a carbon nanotube tip substantially vertically placed on a substrate, and a ruthenium coating layer covering a surface of the carbon nanotube tip and extending to at least a part of the substrate. The manufacturing method includes substantially vertically placing a carbon nanotube tip on a substrate, and forming a ruthenium coating layer on the carbon nanotube tip and at least a part of the substrate.

摘要翻译： 提供导电性碳纳米管尖端及其制造方法。 导电性碳纳米管尖端包括基本上垂直放置在基板上的碳纳米管尖端和覆盖碳纳米管尖端的表面并延伸到基板的至少一部分的钌涂层。 制造方法包括将碳纳米管尖端基本上垂直放置在基板上，并且在碳纳米管尖端和基板的至少一部分上形成钌涂层。

公开(公告)号：US20070184667A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11653390

申请日：2007-01-16

申请人： Sang-jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang

发明人： Sang-jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Sang-bong Bang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3124

摘要： Provided is an insulation layer patterning method employing a flowable oxide, which does not use a photo-resist. Also, an insulation layer pattern and display devices including the insulation layer are disclosed.

摘要翻译： 提供了使用不使用光致抗蚀剂的可流动氧化物的绝缘层图案化方法。 此外，公开了一种绝缘层图案和包括绝缘层的显示装置。