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1.发明申请Alignment apparatus, exposure apparatus using same, and method of manufacturing devices 失效对准装置，使用其的曝光装置以及制造装置的方法公开(公告)号：US20050211918A1
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：US11132260
申请日：2005-05-19
申请人： Satoru Oishi , Hideki Ina , Takehiko Suzuki , Koichi Sentoku
发明人： Satoru Oishi , Hideki Ina , Takehiko Suzuki , Koichi Sentoku
IPC分类号： G02B17/08 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027 , H01L21/68 , G01J1/00 , A61N5/00 , G01N21/00
CPC分类号： G03F9/7065 , G03F7/70233 , G03F7/70283 , G03F9/7011 , G03F9/7015 , G03F9/7088
摘要： An alignment apparatus for aligning a reflective reticle includes a light source for emitting alignment light, an optical alignment mark provided on the reticle, and a reference mark provided on a reticle stage that holds the reticle. A detecting unit detects the alignment light reflected from the alignment mark and the reference mark, and the reticle is aligned on the basis of the result of detection by the detection unit.
摘要翻译： 用于对准反射标线的对准装置包括用于发射对准光的光源，设置在光罩上的光学对准标记，以及设置在保持光罩的标线片台上的参考标记。 检测单元检测从对准标记和参考标记反射的对准光，并且基于检测单元的检测结果对准标线。
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2.发明申请Management system and apparatus method therefor, and device manufacturing method 有权管理系统及其装置方法及装置制造方法公开(公告)号：US20050137837A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：US10901106
申请日：2004-07-29
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20 , G05B19/418 , H01L21/027 , G06F17/50
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F9/7092 , G05B2219/32018 , Y02P90/22
摘要： A management apparatus which manages a parameter for an industrial device acquires AGA measurement results obtained by operating the industrial device with an operation job parameter value and non-operation job parameter value. An inspection apparatus acquires an “inspection result” obtained by inspecting the result of operating the industrial device in the operation job. A change in inspection result upon a change in parameter value is estimated on the basis of the AGA measurement result and inspection result. A variable which minimizes (extreme) both or at least one of the sensitivity (slope) of the inspection result upon a change in parameter value and variations (3σ) in inspection result between objects to be processed (e.g., wafers) is set as an optimal parameter.
摘要翻译： 管理工业设备的参数的管理装置获取通过操作工作装置具有操作作业参数值和非操作作业参数值而获得的AGA测量结果。 检查装置获取通过检查操作工作中的工业装置的操作结果而获得的“检查结果”。 根据AGA测量结果和检查结果估计参数值变化时检查结果的变化。 将待处理对象（例如，晶片）之间的参数值和检查结果中的变化（3sigma）的检查结果的灵敏度（斜率）两者或至少一个最小化（极端）的变量设置为 最优参数。
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3.发明授权Alignment apparatus, exposure apparatus using same, and method of manufacturing devices 有权对准装置，使用其的曝光装置以及制造装置的方法公开(公告)号：US07110116B2
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：US10279924
申请日：2002-10-25
申请人： Satoru Oishi , Hideki Ina , Takehiko Suzuki , Koichi Sentoku
发明人： Satoru Oishi , Hideki Ina , Takehiko Suzuki , Koichi Sentoku
CPC分类号： G03F9/7065 , G03F7/70233 , G03F7/70283 , G03F9/7011 , G03F9/7015 , G03F9/7088
摘要： An alignment apparatus for aligning a reflective reticle includes a light source for emitting alignment light, an optical alignment mark provided on the reticle, and a reference mark provided on a reticle stage that holds the reticle. A detecting unit detects the alignment light reflected from the alignment mark and the reference mark, and the reticle is aligned on the basis of the result of detection by the detection unit.
摘要翻译： 用于对准反射标线的对准装置包括用于发射对准光的光源，设置在光罩上的光学对准标记，以及设置在保持光罩的标线片台上的参考标记。 检测单元检测从对准标记和参考标记反射的对准光，并且基于检测单元的检测结果对准标线。
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公开(公告)号：US07067826B2
公开(公告)日：2006-06-27
申请号：US10151151
申请日：2002-05-21
申请人： Takehiko Suzuki , Hideki Ina , Koichi Sentoku , Satoru Oishi
发明人： Takehiko Suzuki , Hideki Ina , Koichi Sentoku , Satoru Oishi
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： G03F9/7015 , G03F7/70233 , G03F9/7011 , G03F9/7065 , G03F9/7088
摘要： A reticle stage reference mark 3 of material having high reflectivity to alignment illumination light is provided on a reticle 5, and a chuck mark 8 of material having high reflectivity to the alignment illumination light is provided on a wafer chuck 11. A relative position of the reticle stage reference mark 3 to the chuck mark 8 is detected by using a first position detection optical system 1 and a first illumination optical system 2, and relative alignment is performed between the reticle 5 and a wafer 10.
摘要翻译： 在掩模版5上设置有对齐照明光具有高反射率的材料的标线片基准标记3，并且在晶片卡盘11上设置具有对准照明光的高反射率的材料的卡盘8。 通过使用第一位置检测光学系统1和第一照明光学系统2来检测标线片基准标记3与卡盘标记8的相对位置，并且在标线片5和晶片10之间进行相对对准。
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5.发明申请Management system, apparatus, and method, exposure apparatus, and control method therefor 有权管理系统，装置和方法，曝光装置及其控制方法公开(公告)号：US20060050274A1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：US11218538
申请日：2005-09-06
IPC分类号： G01B11/00
CPC分类号： G03F9/7092 , G03F7/70633
摘要： An exposure apparatus performs AGA measurement by using a predetermined sample shot group formed on a wafer, and decides an alignment parameter. The exposure apparatus executes wafer alignment processing and exposure processing by using the alignment parameter. The exposure apparatus notifies a central processing unit of AGA measurement results and the alignment parameter. An overlay inspection apparatus measures an actual exposure position on the exposed wafer, and notifies the central processing unit of the measurement result. The central processing unit optimizes alignment processing on the basis of the AGA measurement results, alignment parameter, and actually measured exposure position.
摘要翻译： 曝光装置通过使用形成在晶片上的预定取样组进行AGA测量，并且确定对准参数。 曝光装置通过使用对准参数来执行晶片对准处理和曝光处理。 曝光装置向中央处理单元通知AGA测量结果和对准参数。 覆盖检查装置测量曝光的晶片上的实际曝光位置，并向中央处理单元通知测量结果。 中央处理单元根据AGA测量结果，对准参数和实际测量的曝光位置优化对准处理。
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6.发明授权Management system, apparatus, and method, exposure apparatus, and control method therefor 失效管理系统，装置和方法，曝光装置及其控制方法公开(公告)号：US06992767B2
公开(公告)日：2006-01-31
申请号：US10423889
申请日：2003-04-28
CPC分类号： G03F9/7092 , G03F7/70633
摘要： An exposure apparatus performs AGA measurement by using a predetermined sample shot group formed on a wafer, and decides an alignment parameter. The exposure apparatus executes wafer alignment processing and exposure processing by using the alignment parameter. The exposure apparatus notifies a central processing unit (4) of AGA measurement results and the alignment parameter. An overlay inspection apparatus measures an actual exposure position on the exposed wafer, and notifies the central processing unit of the measurement result. The central processing unit (4) optimizes alignment processing on the basis of the AGA measurement results, alignment parameter, and actually measured exposure position.
摘要翻译： 曝光装置通过使用形成在晶片上的预定取样组进行AGA测量，并且确定对准参数。 曝光装置通过使用对准参数来执行晶片对准处理和曝光处理。 曝光装置向中央处理单元（4）通知AGA测量结果和对准参数。 覆盖检查装置测量曝光的晶片上的实际曝光位置，并向中央处理单元通知测量结果。 中央处理单元（4）基于AGA测量结果，对准参数和实际测量的曝光位置来优化对准处理。
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7.发明授权Management system, apparatus, and method, exposure apparatus, and control method therefor 有权管理系统，装置和方法，曝光装置及其控制方法公开(公告)号：US07385700B2
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：US11218538
申请日：2005-09-06
CPC分类号： G03F9/7092 , G03F7/70633
摘要： An exposure apparatus performs AGA measurement by using a predetermined sample shot group formed on a wafer, and decides an alignment parameter. The exposure apparatus executes wafer alignment processing and exposure processing by using the alignment parameter. The exposure apparatus notifies a central processing unit of AGA measurement results and the alignment parameter. An overlay inspection apparatus measures an actual exposure position on the exposed wafer, and notifies the central processing unit of the measurement result. The central processing unit optimizes alignment processing on the basis of the AGA measurement results, alignment parameter, and actually measured exposure position.
摘要翻译： 曝光装置通过使用形成在晶片上的预定取样组进行AGA测量，并且确定对准参数。 曝光装置通过使用对准参数来执行晶片对准处理和曝光处理。 曝光装置向中央处理单元通知AGA测量结果和对准参数。 覆盖检查装置测量曝光的晶片上的实际曝光位置，并向中央处理单元通知测量结果。 中央处理单元根据AGA测量结果，对准参数和实际测量的曝光位置优化对准处理。
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公开(公告)号：US07247868B2
公开(公告)日：2007-07-24
申请号：US11194661
申请日：2005-08-02
申请人： Takehiko Suzuki , Hideki Ina , Koichi Sentoku , Satoru Oishi
发明人： Takehiko Suzuki , Hideki Ina , Koichi Sentoku , Satoru Oishi
CPC分类号： G03F9/7015 , G03F7/70233 , G03F9/7011 , G03F9/7065 , G03F9/7088
摘要： An exposure method for projecting a pattern formed on a reflection plate onto a substrate, via a projection optical system, using extreme ultraviolet light. The method includes a detection step of detecting a relative position between a second mark formed on a plate holding unit for holding the reflection plate and a third mark formed on the reflection plate. The detection step includes sub-steps of (i) detecting light reflected from the second mark with a detector, (ii) detecting light reflected from the third mark with the detector, and (iii) changing a relative position between the plate holding unit and the detector between sub-steps (i) and (ii).
摘要翻译： 一种曝光方法，用于通过使用极紫外光的投影光学系统将形成在反射板上的图案投射到基板上。 该方法包括检测步骤，用于检测形成在用于保持反射板的板保持单元上的第一标记与形成在反射板上的第二标记之间的相对位置。 检测步骤包括以下步骤：（i）用检测器检测从第一标记反射的光，（ii）用检测器检测从第二标记反射的光，和（iii）改变板保持单元和 子步骤（i）和（ii）之间的检测器。
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9.发明授权Management system, management method and apparatus, and management apparatus control method 失效管理系统，管理方法和设备，以及管理设备控制方法公开(公告)号：US07010380B2
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：US10423891
申请日：2003-04-28
CPC分类号： G03F7/70525 , G05B19/418 , G05B2219/32015 , G05B2219/34402 , G05B2219/45027 , Y02P90/02 , Y02P90/18 , Y02P90/185
摘要： A system which manages a plurality of semiconductor exposure apparatuses holds TIS information representing the characteristics of the respective semiconductor exposure apparatuses. In a semiconductor exposure apparatus, a parameter value is optimized on the basis of AGA measurement results obtained using a set parameter value and another parameter value and AGA measurement estimation results obtained by virtually changing the parameter value. Whether to reflect the optimized parameter value in another exposure device is decided on the basis of the TIS information. If it is decided to reflect the optimized parameter value, the parameter value of another semiconductor exposure apparatus is optimized by the optimized parameter value. In this manner, the optimization result of a parameter value by a given exposure device can be properly reflected in another exposure device, realizing efficient parameter value setting.
摘要翻译： 管理多个半导体曝光装置的系统保持表示各半导体曝光装置的特性的TIS信息。 在半导体曝光装置中，基于使用设定参数值和另一参数值获得的AGA测量结果和通过虚拟改变参数值而获得的AGA测量估计结果来优化参数值。 根据TIS信息确定是否反映另一曝光装置中的优化参数值。 如果决定反映优化参数值，则通过优化的参数值优化另一半导体曝光装置的参数值。 以这种方式，通过给定曝光装置的参数值的优化结果可以适当地反映在另一曝光装置中，实现有效的参数值设定。
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公开(公告)号：US20050264781A1
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：US11194661
申请日：2005-08-02
申请人： Takehiko Suzuki , Hideki Ina , Koichi Sentoku , Satoru Oishi
发明人： Takehiko Suzuki , Hideki Ina , Koichi Sentoku , Satoru Oishi
IPC分类号： G01B11/00 , G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027 , G03B27/42
CPC分类号： G03F9/7015 , G03F7/70233 , G03F9/7011 , G03F9/7065 , G03F9/7088
摘要： An exposure method for projecting a pattern formed on a reflection plate onto a substrate, via a projection optical system, using extreme ultraviolet light. The method includes a detection step of detecting a relative position between a second mark formed on a plate holding unit for holding the reflection plate and a third mark formed on the reflection plate. The detection step includes sub-steps of (i) detecting light reflected from the second mark with a detector, (ii) detecting light reflected from the third mark with the detector, and (iii) changing a relative position between the plate holding unit and the detector between sub-steps (i) and (ii).
摘要翻译： 一种曝光方法，用于通过使用极紫外光的投影光学系统将形成在反射板上的图案投射到基板上。 该方法包括检测步骤，检测形成在用于保持反射板的板保持单元上的第二标记与形成在反射板上的第三标记之间的相对位置。 检测步骤包括以下步骤：（i）用检测器检测从第二标记反射的光，（ii）用检测器检测从第三标记反射的光，和（iii）改变板保持单元和 子步骤（i）和（ii）之间的检测器。
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