公开(公告)号：US20120222725A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13222991

申请日：2011-08-31

申请人： Scot Albright ,  Jeffrey S. Britt ,  Eric Kanto ,  Urs Schoop ,  Darren Verebelyi

发明人： Scot Albright ,  Jeffrey S. Britt ,  Eric Kanto ,  Urs Schoop ,  Darren Verebelyi

IPC分类号： H01L31/048

CPC分类号： H02S20/26 ,  B32B37/18 ,  B32B37/187 ,  B32B38/0012 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2331/04 ,  B32B2457/12 ,  H01L31/048 ,  H02S20/23 ,  Y02A30/62 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T156/1034

摘要： Improved BIPV materials configured to meet various long-term requirements including, among others, a high degree of water resistance, physical durability, electrical durability, and an ability to withstand variations in temperature and other environmental conditions. In some embodiments, the disclosed BIPV materials include modules wherein two or more layers of the module are configured to be joined together during lamination to protect edge portions of the top sheet and/or back sheet of the module, such as in the vicinity of any multi-layer vapor barrier structure(s) of the module.

摘要翻译： 改进的BIPV材料被配置为满足各种长期要求，包括高度的耐水性，物理耐久性，电气耐久性以及耐受温度和其它环境条件变化的能力。 在一些实施例中，所公开的BIPV材料包括模块，其中模块的两层或更多层被构造成在层压期间结合在一起以保护模块的顶片和/或背板的边缘部分，例如在任何 模块的多层蒸气阻挡结构。

公开(公告)号：US20120034726A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13273013

申请日：2011-10-13

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1876 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin-film buffer layers of chalcogenide on a substrate web. Solutions containing the reactants for the buffer layer or layers may be dispensed separately to the substrate web, rather than being mixed prior to their application. The web and/or the dispensed solutions may be heated by a plurality of heating elements.

摘要翻译： 用于在衬底网上形成硫族化物的薄膜缓冲层的改进的方法和装置。 包含缓冲层或反应物的反应物的溶液可以单独地分配到基材网，而不是在其应用之前混合。 幅材和/或分配的溶液可以被多个加热元件加热。

公开(公告)号：US20100086699A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12397863

申请日：2009-03-04

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： B05D1/02 ,  B05C13/00

CPC分类号： H01L31/03928 ,  B65H20/00 ,  B65H2301/51214 ,  B65H2404/283 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin-film layers of chalcogenide on a substrate web. Solutions containing the reactants for the chalcogenide layer may be contained substantially to the front surface of the web, controlling the boundaries of the reaction and avoiding undesired deposition of chalcogenide upon the back side of the web.

摘要翻译： 用于在衬底网上形成硫族化物薄膜层的改进的方法和装置。 包含硫属化物层的反应物的溶液可以基本上被包含在幅材的前表面上，从而控制反应的边界，并避免硫化物在纸幅背面的不希望的沉积。

公开(公告)号：US08062922B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12397846

申请日：2009-03-04

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： H01L21/00 ,  B05D1/02

CPC分类号： H01L31/1876 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin-film buffer layers of chalcogenide on a substrate web. Solutions containing the reactants for the buffer layer or layers may be dispensed separately to the substrate web, rather than being mixed prior to their application. The web and/or the dispensed solutions may be heated by a plurality of heating elements.

摘要翻译： 用于在衬底网上形成硫族化物的薄膜缓冲层的改进的方法和装置。 包含缓冲层或反应物的反应物的溶液可以单独地分配到基材网，而不是在其应用之前混合。 幅材和/或分配的溶液可以被多个加热元件加热。

公开(公告)号：US09378947B2

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：US13273013

申请日：2011-10-13

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  C23C18/12 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

CPC分类号： H01L31/1876 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin-film buffer layers of chalcogenide on a substrate web. Solutions containing the reactants for the buffer layer or layers may be dispensed separately to the substrate web, rather than being mixed prior to their application. The web and/or the dispensed solutions may be heated by a plurality of heating elements.

摘要翻译： 用于在衬底网上形成硫族化物的薄膜缓冲层的改进的方法和装置。 包含缓冲层或反应物的反应物的溶液可以单独地分配到基材网，而不是在其应用之前混合。 幅材和/或分配的溶液可以被多个加热元件加热。

公开(公告)号：US08609182B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US12397863

申请日：2009-03-04

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C14/54

CPC分类号： H01L31/03928 ,  B65H20/00 ,  B65H2301/51214 ,  B65H2404/283 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin-film layers of chalcogenide on a substrate web. Solutions containing the reactants for the chalcogenide layer may be contained substantially to the front surface of the web, controlling the boundaries of the reaction and avoiding undesired deposition of chalcogenide upon the back side of the web.

摘要翻译： 用于在衬底网上形成硫族化物薄膜层的改进的方法和装置。 包含硫属化物层的反应物的溶液可以基本上被包含在幅材的前表面上，从而控制反应的边界，并避免硫化物在纸幅背面的不希望的沉积。

公开(公告)号：US08277869B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12397873

申请日：2009-03-04

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： C23C16/52 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67248 ,  H01L31/0322

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin film buffer layers of chalcogenide on a substrate web through the chemical combination of a metal and chalcogen in solution form. The web and/or the solutions may be heated by one or a plurality of heating elements that may be disposed out of physical contact with the web, allowing enhanced control over the reaction speed through fine temperature control. One or more properties of the chalcogenide layer may be measured, and the temperature of the system may be adjusted in response.

摘要翻译： 通过溶液形式的金属和硫属元素的化学组合，改进了在衬底网上形成硫族化物薄膜缓冲层的方法和装置。 纸幅和/或溶液可以被一个或多个加热元件加热，这些加热元件可被布置成与纸幅物理接触，从而通过精细的温度控制来增强对反应速度的控制。 可以测量硫族化物层的一个或多个性质，并且可以响应地调节系统的温度。

公开(公告)号：US20100087015A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12397899

申请日：2009-03-04

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C18/12 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin film layers of chalcogenide on a substrate web. According to the present teachings, a feedback control system may be employed to measure one or more properties of the web and/or the chalcogenide layer, and to adjust one or more parameters of the system or buffer layer deposition method in response to the measurement.

摘要翻译： 用于在衬底网上形成硫族化物薄膜层的改进的方法和装置。 根据本教导，可以采用反馈控制系统来测量幅材和/或硫族化物层的一个或多个性质，并且响应于测量调整系统或缓冲层沉积方法的一个或多个参数。

公开(公告)号：US20100086673A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12397873

申请日：2009-03-04

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： B05D3/06 ,  B05D3/02 ,  B05C11/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67248 ,  H01L31/0322

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin film buffer layers of chalcogenide on a substrate web through the chemical combination of a metal and chalcogen in solution form. The web and/or the solutions may be heated by one or a plurality of heating elements that may be disposed out of physical contact with the web, allowing enhanced control over the reaction speed through fine temperature control. One or more properties of the chalcogenide layer may be measured, and the temperature of the system may be adjusted in response.

摘要翻译： 通过溶液形式的金属和硫属元素的化学组合，改进了在衬底网上形成硫族化物薄膜缓冲层的方法和装置。 纸幅和/或溶液可以被一个或多个加热元件加热，这些加热元件可被布置成与纸幅物理接触，从而通过精细的温度控制来增强对反应速度的控制。 可以测量硫族化物层的一个或多个性质，并且可以响应地调节系统的温度。

公开(公告)号：US20090258457A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12397846

申请日：2009-03-04

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Scot Albright ,  Urs Schoop

IPC分类号： H01L21/20 ,  B05C5/00 ,  B05C11/02

CPC分类号： H01L31/1876 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541

摘要： Improved methods and apparatus for forming thin-film buffer layers of chalcogenide on a substrate web. Solutions containing the reactants for the buffer layer or layers may be dispensed separately to the substrate web, rather than being mixed prior to their application. The web and/or the dispensed solutions may be heated by a plurality of heating elements.

摘要翻译： 用于在衬底网上形成硫族化物的薄膜缓冲层的改进的方法和装置。 包含缓冲层或反应物的反应物的溶液可以单独地分配到基材网，而不是在其应用之前混合。 幅材和/或分配的溶液可以被多个加热元件加热。