公开(公告)号：US20060188821A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11350559

申请日：2006-02-08

申请人： Seok Han ,  Sangwoong Yoon ,  Young-Ho Kim

发明人： Seok Han ,  Sangwoong Yoon ,  Young-Ho Kim

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0392

摘要： In a photosensitive resin, a photoresist composition including the photosensitive resin and a method of forming a photoresist pattern using the photoresist composition, the photosensitive resin includes a hydrophobic terminal group having at least five carbon atoms and a blocking group. The photosensitive resin has a weight average molecular weight of from about 6,000 up to about 9,500. The photoresist composition including the photosensitive resin may form a photoresist pattern having a reduced line edge roughness and a fine line width with accuracy.

摘要翻译： 在感光性树脂中，包含感光性树脂的光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂图案的方法，感光性树脂包括具有至少5个碳原子的疏水性端基和封端基。 感光性树脂的重均分子量为约6,000至约9,500。 包含感光性树脂的光致抗蚀剂组合物可以精确地形成具有线边缘粗糙度和细线宽度降低的光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US07326519B2

公开(公告)日：2008-02-05

申请号：US11350559

申请日：2006-02-08

申请人： Seok Han ,  Sangwoong Yoon ,  Young-Ho Kim

发明人： Seok Han ,  Sangwoong Yoon ,  Young-Ho Kim

IPC分类号： G03C1/76 ,  G03C1/492 ,  G03C1/494 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/0392

摘要： In a photosensitive resin, a photoresist composition including the photosensitive resin and a method of forming a photoresist pattern using the photoresist composition, the photosensitive resin includes a hydrophobic terminal group having at least five carbon atoms and a blocking group. The photosensitive resin has a weight average molecular weight of from about 6,000 up to about 9,500. The photoresist composition including the photosensitive resin may form a photoresist pattern having a reduced line edge roughness and a fine line width with accuracy.

摘要翻译： 在感光性树脂中，包含感光性树脂的光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂图案的方法，感光性树脂包括具有至少5个碳原子的疏水性端基和封端基。 感光性树脂的重均分子量为约6,000至约9,500。 包含感光性树脂的光致抗蚀剂组合物可以精确地形成具有线边缘粗糙度和细线宽度降低的光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US07638388B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US11945922

申请日：2007-11-27

申请人： Kyoung-Min Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Seok Han

发明人： Kyoung-Min Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Seok Han

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a pattern and a method of manufacturing a capacitor using the same, a conductive layer is formed on a mold layer having an opening. A first buffer layer pattern including a polymer having a repeating unit of anthracene-methyl methacrylate and a repeating unit of alkoxyl-vinyl benzene is formed on the conductive layer in the opening. The first buffer layer pattern is baked to cross-link the polymers and form a second buffer layer pattern that is insoluble in a developing solution. The conductive layer on a top portion of the mold layer is selectively removed by using the second buffer layer pattern as an etching mask. Accordingly, a conductive pattern for a semiconductor device is formed. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 在形成图案的方法和使用其的电容器的制造方法中，在具有开口的模具层上形成导电层。 在开口中的导电层上形成包含具有蒽 - 甲基丙烯酸甲酯的重复单元的聚合物和烷氧基 - 乙烯基苯的重复单元的第一缓冲层图案。 烘烤第一缓冲层图案以交联聚合物并形成不溶于显影溶液的第二缓冲层图案。 通过使用第二缓冲层图案作为蚀刻掩模，选择性地去除模层顶部的导电层。 因此，形成用于半导体器件的导电图案。 形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US20080102403A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11977893

申请日：2007-10-26

申请人： Seong-June Kim ,  Kyoung-Mi Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Seok Han ,  Hyo-Jin Yun

发明人： Seong-June Kim ,  Kyoung-Mi Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Seok Han ,  Hyo-Jin Yun

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/40

摘要： A photoresist-composition includes about 4 to about 20 percent by weight of an acrylate copolymer; about 0.1 to about 0.5 percent by weight of a photoacid generator; and a solvent. The acrylate copolymer includes about 28 to about 38 percent by mole of a first repeating unit represented by Formula (1), about 28 to about 38 percent by mole of a second repeating unit represented by Formula (2), about 0.5 to about 22 percent by mole of a third repeating unit represented by Formula (3) and about 4 to about 42 percent by mole of a fourth repeating unit represented by Formula (4), wherein R1, R2, R3 and R4 independently represent a hydrogen atom or a C1-C3 alkyl group, X is a blocking group including an alkyl-substituted adamantane or an alkyl-substituted tricycloalkane, Y is a blocking group including a lactone, Z1 is a blocking group including a hydroxyl-substituted adamantane, and Z2 is a blocking group including an alkoxy-substituted adamantane.

摘要翻译： 光致抗蚀剂组合物包含约4至约20重量％的丙烯酸酯共聚物; 约0.1至约0.5重量％的光酸产生剂; 和溶剂。 丙烯酸酯共聚物包含约28至约38摩尔％的由式（1）表示的第一重复单元，约28至约38摩尔％的由式（2）表示的第二重复单元，约0.5至约22重量％ 的由式（3）表示的第三重复单元和约4至约42摩尔％的由式（4）表示的第四重复单元，其中R 1，R 2 R 3和R 4独立地表示氢原子或C 1 -C 3 - 烷基，X是包括烷基取代的金刚烷或烷基取代的三环烷烃的封闭基团，Y是包含内酯的封闭基团，Z 1是包含羟基取代的金刚烷的封闭基团， Z 2是含有烷氧基取代的金刚烷的封端基。

公开(公告)号：US07985347B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US12002052

申请日：2007-12-14

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Seok Han

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Seok Han

IPC分类号： C03C25/68 ,  C23C1/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01G13/00 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a pattern and a method of forming a capacitor, an oxide layer pattern having an opening is formed on a substrate. A conductive layer is formed on the oxide layer pattern and the bottom and sidewalls of the opening. A buffer layer pattern is formed in the opening having the conductive layer, the buffer layer pattern including a siloxane polymer. The conductive layer on the oxide layer pattern is selectively removed using the buffer layer pattern as an etching mask. A conductive pattern having a cylindrical shape can be formed on the substrate. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 在形成图案的方法和形成电容器的方法中，在基板上形成具有开口的氧化物层图案。 在氧化物层图案和开口的底部和侧壁上形成导电层。 在具有导电层的开口中形成缓冲层图案，缓冲层图案包括硅氧烷聚合物。 使用缓冲层图案作为蚀刻掩模，选择性地去除氧化物层图案上的导电层。 可以在基板上形成具有圆柱形状的导电图案。 形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US20080142474A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US12002052

申请日：2007-12-14

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Seok Han

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Seok Han

IPC分类号： H01G4/00

CPC分类号： H01G13/00 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a pattern and a method of forming a capacitor, an oxide layer pattern having an opening is formed on a substrate. A conductive layer is formed on the oxide layer pattern and the bottom and sidewalls of the opening. A buffer layer pattern is formed in the opening having the conductive layer, the buffer layer pattern including a siloxane polymer. The conductive layer on the oxide layer pattern is selectively removed using the buffer layer pattern as an etching mask. A conductive pattern having a cylindrical shape can be formed on the substrate. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 在形成图案的方法和形成电容器的方法中，在基板上形成具有开口的氧化物层图案。 在氧化物层图案和开口的底部和侧壁上形成导电层。 在具有导电层的开口中形成缓冲层图案，缓冲层图案包括硅氧烷聚合物。 使用缓冲层图案作为蚀刻掩模，选择性地去除氧化物层图案上的导电层。 可以在基板上形成具有圆柱形状的导电图案。 形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US20080124911A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11945922

申请日：2007-11-27

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Seok Han

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Seok Han

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01G4/00

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a pattern and a method of manufacturing a capacitor using the same, a conductive layer is formed on a mold layer having an opening. A first buffer layer pattern including a polymer having a repeating unit of anthracene-methyl methacrylate and a repeating unit of alkoxyl-vinyl benzene is formed on the conductive layer in the opening. The first buffer layer pattern is baked to cross-link the polymers and form a second buffer layer pattern that is insoluble in a developing solution. The conductive layer on a top portion of the mold layer is selectively removed by using the second buffer layer pattern as an etching mask. Accordingly, a conductive pattern for a semiconductor device is formed. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 在形成图案的方法和使用其的电容器的制造方法中，在具有开口的模具层上形成导电层。 在开口中的导电层上形成包含具有蒽 - 甲基丙烯酸甲酯的重复单元的聚合物和烷氧基 - 乙烯基苯的重复单元的第一缓冲层图案。 烘烤第一缓冲层图案以交联聚合物并形成不溶于显影溶液的第二缓冲层图案。 通过使用第二缓冲层图案作为蚀刻掩模，选择性地去除模层顶部的导电层。 因此，形成用于半导体器件的导电图案。 形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US20050099540A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10696235

申请日：2003-10-28

申请人： Candice Elliott ,  Michael Higgins ,  Seok Han ,  Thomas Credelle

发明人： Candice Elliott ,  Michael Higgins ,  Seok Han ,  Thomas Credelle

IPC分类号： G06T3/40 ,  H04N7/01 ,  H04N9/64

CPC分类号： H04N7/0125 ,  G06T3/4023 ,  H04N7/0102 ,  H04N9/641

摘要： Systems and methods are disclosed to effect a multiple mode display system that may accept multiple input image data formats and output several possible image data format.

摘要翻译： 公开了系统和方法来实现可以接受多个输入图像数据格式并输出几个可能的图像数据格式的多模式显示系统。

公开(公告)号：US20070182756A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11695343

申请日：2007-04-02

申请人： Candice Brown Elliott ,  Seok Han ,  Moon Im ,  In Baek ,  Michael Higgins ,  Paul Higgins

发明人： Candice Brown Elliott ,  Seok Han ,  Moon Im ,  In Baek ,  Michael Higgins ,  Paul Higgins

IPC分类号： G09G5/00

CPC分类号： G09G5/006 ,  G09G3/20 ,  G09G3/2003 ,  G09G5/005 ,  G09G5/02 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2320/0276 ,  G09G2340/0407 ,  G09G2340/0414 ,  G09G2340/0421 ,  G09G2340/0457 ,  G09G2340/0492

摘要： Sub-pixel rendering with gamma adjustment allows the luminance for the sub-pixel arrangement to match the non-linear gamma response of the human eye's luminance channel, while the chrominance can match the linear response of the human eye's chrominance channels. The gamma correction allows the sub-pixel rendering to operate independently of the actual gamma of a display device. The sub-pixel rendering techniques with gamma adjustment may be optimized for the gamma transfer curve of a display device in order to improve response time, dot inversion balance, and contrast.

摘要翻译： 通过伽马调整的子像素渲染允许子像素布置的亮度与人眼的亮度通道的非线性伽马响应匹配，而色度可以匹配人眼的色度通道的线性响应。 伽马校正允许子像素渲染独立于显示设备的实际伽马来操作。 可以针对显示设备的伽玛传递曲线优化具有伽马调整的子像素渲染技术，以便改善响应时间，点反转平衡和对比度。

公开(公告)号：US20050225548A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10821387

申请日：2004-04-09

申请人： Seok Han ,  Bai-Shuh Hsu ,  Moon Im

发明人： Seok Han ,  Bai-Shuh Hsu ,  Moon Im

IPC分类号： G09G5/00

CPC分类号： G09G5/006 ,  G09G3/2074 ,  G09G2300/0443 ,  G09G2340/0421 ,  G09G2340/0457

摘要： The present application discloses a number of embodiments for the mapping of input image data onto display panels in which the subpixel data format being input may differ from the subpixel data format suitable for the display panel. Systems and methods are disclosed to map input image data onto panels with different ordering of subpixel data that the input, different number of subpixel data sets or different number of color primaries that the input image data.

摘要翻译： 本申请公开了用于将输入图像数据映射到显示面板上的多个实施例，其中输入的子像素数据格式可能与适用于显示面板的子像素数据格式不同。 公开了系统和方法，以将输入图像数据映射到具有不同数量的子像素数据的不同顺序的面板上，输入，不同数量的子像素数据集或输入图像数据的不同数量的色母。