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    PLASMA DEPOSITION OF A THIN FILM
    1.
    发明申请
    PLASMA DEPOSITION OF A THIN FILM 失效
    等离子体沉积薄膜

    公开(公告)号：US20100330299A1

    公开(公告)日：2010-12-30

    申请号：US12822406

    申请日：2010-06-24

    申请人： Seyoun MOON ,  Wooyoung KIM ,  Sehwon AHN ,  Dongjoo YOU

    发明人： Seyoun MOON ,  Wooyoung KIM ,  Sehwon AHN ,  Dongjoo YOU

    IPC分类号： C23C16/44 ,  H05H1/24

    CPC分类号： H01J37/32146 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

    摘要： A plasma deposition apparatus and a method of manufacturing a thin film using the same are disclosed. The plasma deposition apparatus includes a reaction chamber inside which a first electrode and a second electrode are installed, a first power supply unit applying a first pulsed RF signal to one of the first and second electrodes, and a second power supply unit applying a second pulsed RF signal to one of the first and second electrodes. The first pulsed RF signal and the second pulsed RF signal are performed based on a predetermined deposition variable.

    摘要翻译： 公开了一种等离子体沉积设备及其制造方法。 等离子体沉积设备包括反应室，其内安装有第一电极和第二电极;第一电源单元，将第一脉冲RF信号施加到第一和第二电极之一;以及第二电源单元，其施加第二脉冲 RF信号到第一和第二电极之一。 基于预定的沉积变量执行第一脉冲RF信号和第二脉冲RF信号。

    SOLAR CELL
    2.
    发明申请
    SOLAR CELL 审中-公开
    太阳能电池

    公开(公告)号：US20110048533A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12709307

    申请日：2010-02-19

    申请人： Hongcheol LEE ,  Seyoun MOON ,  Sehwon AHN ,  Dongjoo YOU

    发明人： Hongcheol LEE ,  Seyoun MOON ,  Sehwon AHN ,  Dongjoo YOU

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

    摘要： A solar cell is discussed. The solar cell includes a substrate, a first electrode on the substrate, a second electrode, and at least one photoelectric transformation unit positioned between the first electrode and the second electrode. The at least one photoelectric transformation unit includes a p-type semiconductor layer, an intrinsic (i-type) semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and a buffer layer positioned between the p-type semiconductor layer and the i-type semiconductor layer. A hydrogen content of the buffer layer is more than a hydrogen content of the i-type semiconductor layer.

    摘要翻译： 讨论太阳能电池。 太阳能电池包括衬底，衬底上的第一电极，第二电极和位于第一电极和第二电极之间的至少一个光电转换单元。 至少一个光电转换单元包括p型半导体层，本征（i型）半导体层，n型半导体层和位于p型半导体层和i型半导体之间的缓冲层 层。 缓冲层的氢含量大于i型半导体层的氢含量。