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    Polo-like kinase inhibitors
    7.
    发明授权
    Polo-like kinase inhibitors 失效
    马球状激酶抑制剂

    公开(公告)号：US08026234B2

    公开(公告)日：2011-09-27

    申请号：US12237306

    申请日：2008-09-24

    申请人： Takashi Ichikawa ,  Stephen W. Kaldor

    发明人： Takashi Ichikawa ,  Stephen W. Kaldor

    IPC分类号： C07D487/04 ,  A61K31/55

    CPC分类号： C07D487/04 ,  C07D487/14 ,  C07D519/00

    摘要： Compounds of the following formula are provided for use with kinases: wherein the variables are as defined herein. Also provided are pharmaceutical compositions, kits and articles of manufacture comprising such compounds; methods and intermediates useful for making the compounds; and methods of using said compounds.

    摘要翻译： 提供下式的化合物用于激酶：其中变量如本文所定义。 还提供了包含这些化合物的药物组合物，试剂盒和制品; 用于制备化合物的方法和中间体; 以及使用所述化合物的方法。

    Nonvolatile memory device
    10.
    发明授权
    Nonvolatile memory device 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08723245B2

    公开(公告)日：2014-05-13

    申请号：US13052531

    申请日：2011-03-21

    申请人： Hiroshi Akahori ,  Kiyohito Nishihara ,  Masaki Kondo ,  Yingkang Zhang ,  Shigeo Kondo ,  Hidenobu Nagashima ,  Kazuaki Iwasawa ,  Takashi Ichikawa

    发明人： Hiroshi Akahori ,  Kiyohito Nishihara ,  Masaki Kondo ,  Yingkang Zhang ,  Shigeo Kondo ,  Hidenobu Nagashima ,  Kazuaki Iwasawa ,  Takashi Ichikawa

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L29/7883 ,  H01L27/11521

    摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a substrate, first and second tunnel insulating films, first and second floating gate electrodes, an intergate insulating film and a control gate electrode. The substrate has first and second active regions isolated from each other by an element isolation trench. The first and second tunnel insulating films are located in the first and second active regions, respectively. The first and second floating gate electrodes are located on the first and second tunnel insulating films, respectively. The intergate insulating film includes a first insulating layer of a first insulating material, an electron trap layer of a second insulating material on the first insulating layer, and a second insulating layer of the first insulating material on the electron trap layer. The control gate electrode is located on the intergate insulating film.

    摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括衬底，第一和第二隧道绝缘膜，第一和第二浮栅电极，栅间绝缘膜和控制栅电极。 衬底具有通过元件隔离沟槽彼此隔离的第一和第二有源区。 第一和第二隧道绝缘膜分别位于第一和第二有源区中。 第一和第二浮栅电极分别位于第一和第二隧道绝缘膜上。 隔间绝缘膜包括第一绝缘材料的第一绝缘层，第一绝缘层上的第二绝缘材料的电子陷阱层和电子陷阱层上的第一绝缘材料的第二绝缘层。 控制栅电极位于隔间绝缘膜上。