公开(公告)号：USRE43416E1

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US13008506

申请日：2011-01-18

申请人： Simarjeet S. Saini ,  Jerry L. Bowser ,  Vincent K. Luciani ,  Peter J. S. Heim ,  Mario Dagenais ,  Ryan Enck

发明人： Simarjeet S. Saini ,  Jerry L. Bowser ,  Vincent K. Luciani ,  Peter J. S. Heim ,  Mario Dagenais ,  Ryan Enck

IPC分类号： H01S3/00

CPC分类号： H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/04

摘要： A semiconductor optical amplifier (SOA) with efficient current injection is described. Injection current density is controlled to be higher in some areas and lower in others to provide, e.g., improved saturation power and/or noise figure. Controlled injection current can be accomplished by varying the resistivity of the current injection electrode. This, in turn, can be accomplished by patterning openings in the dielectric layer above the current injection metallization in a manner which varies the series resistance along the length of the device.

摘要翻译： 描述了一种具有高效电流注入的半导体光放大器（SOA）。 注入电流密度在一些区域被控制得更高，而另一些区域的注入电流密度更低，以提供例如改善的饱和功率和/或噪声系数。 控制注入电流可以通过改变电流注入电极的电阻率来实现。 这又可以通过以沿设备长度改变串联电阻的方式在电流注入金属化之上的电介质层中图案化开口来实现。

公开(公告)号：US07359113B2

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：US11346526

申请日：2006-02-02

申请人： Simarjeet S. Saini ,  Jerry L. Bowser ,  Vincent K. Luciani ,  Peter J. S. Heim ,  Mario Dagenais

发明人： Simarjeet S. Saini ,  Jerry L. Bowser ,  Vincent K. Luciani ,  Peter J. S. Heim ,  Mario Dagenais

IPC分类号： H01S3/00

CPC分类号： H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/04

摘要： A semiconductor optical amplifier (SOA) with efficient current injection is described. Injection current density is controlled to be higher in some areas and lower in others to provide, e.g., improved saturation power and/or noise figure. Controlled injection current can be accomplished by varying the resistivity of the current injection electrode. This, in turn, can be accomplished by patterning openings in the dielectric layer above the current injection metallization in a manner which varies the series resistance along the length of the device.

摘要翻译： 描述了一种具有高效电流注入的半导体光放大器（SOA）。 注入电流密度在一些区域被控制得更高，而另一些区域的注入电流密度更低，以提供例如改善的饱和功率和/或噪声系数。 控制注入电流可以通过改变电流注入电极的电阻率来实现。 这又可以通过以沿设备长度改变串联电阻的方式在电流注入金属化之上的电介质层中图案化开口来实现。

公开(公告)号：US07929202B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12103088

申请日：2008-04-15

申请人： Simarjeet S. Saini ,  Jerry L. Bowser ,  Vincent K. Luciani ,  Peter J. S. Heim ,  Mario Dagenais ,  Ryan Enck

发明人： Simarjeet S. Saini ,  Jerry L. Bowser ,  Vincent K. Luciani ,  Peter J. S. Heim ,  Mario Dagenais ,  Ryan Enck

IPC分类号： H01S5/00 ,  H04B10/12

CPC分类号： H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/04

摘要： A semiconductor optical amplifier (SOA) with efficient current injection is described. Injection current density is controlled to be higher in some areas and lower in others to provide, e.g., improved saturation power and/or noise figure. Controlled injection current can be accomplished by varying the resistivity of the current injection electrode. This, in turn, can be accomplished by patterning openings in the dielectric layer above the current injection metallization in a manner which varies the series resistance along the length of the device.

摘要翻译： 描述了一种具有高效电流注入的半导体光放大器（SOA）。 注入电流密度在一些区域被控制得更高，而另一些区域的注入电流密度更低，以提供例如改善的饱和功率和/或噪声系数。 控制注入电流可以通过改变电流注入电极的电阻率来实现。 这又可以通过以沿设备长度改变串联电阻的方式在电流注入金属化之上的电介质层中图案化开口来实现。

公开(公告)号：US20090046354A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12103088

申请日：2008-04-15

申请人： Simarjeet S. Saini ,  Jerry L. Bowser ,  Vincent K. Luciani ,  Peter J.S. Heim ,  Mario Dagenais

发明人： Simarjeet S. Saini ,  Jerry L. Bowser ,  Vincent K. Luciani ,  Peter J.S. Heim ,  Mario Dagenais

IPC分类号： H01S3/00

CPC分类号： H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/04

摘要： A semiconductor optical amplifier (SOA) with efficient current injection is described. Injection current density is controlled to be higher in some areas and lower in others to provide, e.g., improved saturation power and/or noise figure. Controlled injection current can be accomplished by varying the resistivity of the current injection electrode. This, in turn, can be accomplished by patterning openings in the dielectric layer above the current injection metallization in a manner which varies the series resistance along the length of the device.

摘要翻译： 描述了一种具有高效电流注入的半导体光放大器（SOA）。 注入电流密度在一些区域被控制得更高，而另一些区域的注入电流密度更低，以提供例如改善的饱和功率和/或噪声系数。 控制注入电流可以通过改变电流注入电极的电阻率来实现。 这又可以通过以沿设备长度改变串联电阻的方式在电流注入金属化之上的电介质层中图案化开口来实现。

公开(公告)号：US07158291B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US10767651

申请日：2004-01-29

申请人： Simarjeet S. Saini ,  Peter J. S. Heim ,  Scott A. Merritt ,  Mario Dagenais

发明人： Simarjeet S. Saini ,  Peter J. S. Heim ,  Scott A. Merritt ,  Mario Dagenais

IPC分类号： H01S4/00 ,  H04B10/12

CPC分类号： H01S5/5009 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211

摘要： A semiconductor optical amplifier (SOA) has an overall gain that is substantially polarization independent, i.e., less than 1 dB difference between transverse electric (TE) and transverse magnetic (TM) gain. The SOA includes a residual cladding layer having different thicknesses over different portions of the gain section. Over a first portion of the gain section, the residual cladding layer is thinner than over a second portion of the gain section. This results in the first portion providing more gain to optical energy having a TE polarization state than optical energy having a TM polarization state. In the second portion of the gain section, however, more gain is provided to optical energy having a TM polarization state than energy having a TE polarization state. The resulting gain differences can be designed to offset one another so that the output has a gain that is substantially polarization independent.

摘要翻译： 半导体光放大器（SOA）具有基本上偏振无关的总体增益，即横向电（TE）和横向磁（TM）增益之间的差小于1dB。 SOA包括在增益部分的不同部分上具有不同厚度的残余覆层。 在增益部分的第一部分上，残余覆层比增益部分的第二部分薄。 这导致第一部分比具有TM偏振状态的光能提供具有TE极化状态的光能的更多增益。 然而，在增益部分的第二部分中，对具有TM极化状态的光能比具有TE极化状态的能量提供更多的增益。 所产生的增益差异可被设计为彼此偏移，使得输出具有基本上与偏振无关的增益。

公开(公告)号：US06310995B1

公开(公告)日：2001-10-30

申请号：US09447428

申请日：1999-11-23

申请人： Simarjeet S. Saini ,  Vijayanand Vusirikala ,  Peter J. Heim ,  Robert Ernest Bartolo ,  Mario Dagenais

发明人： Simarjeet S. Saini ,  Vijayanand Vusirikala ,  Peter J. Heim ,  Robert Ernest Bartolo ,  Mario Dagenais

IPC分类号： G02B626

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/2813 ,  G02B6/305 ,  G02B6/42 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12147 ,  G02F1/01708

摘要： A resonant coupler has a coupling region having first and second ends, a coupling length, and a tapered variable width, such that a phase matching condition for the waveguide is met within the coupling length. In an exemplary embodiment the first and second ends each have a corresponding variable width which varies at a rate greater than the variable width of the coupling length. In yet another embodiment the coupling region has an electrically sensitive phase matching characteristic and an electrode in operative relation with the coupling region for varying the phase matching characteristic.

摘要翻译： 谐振耦合器具有具有第一端和第二端，耦合长度和锥形可变宽度的耦合区域，使得在耦合长度内满足波导的相位匹配条件。 在示例性实施例中，第一端和第二端各自具有以大于联接长度的可变宽度的速率变化的相应可变宽度。 在另一个实施例中，耦合区域具有电敏相位匹配特性，以及与耦合区域有操作关系的电极，用于改变相位匹配特性。