公开(公告)号：US08547747B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13191581

申请日：2011-07-27

申请人： Su-Kyoung Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  In-Sun Park ,  Ji-Soon Park

发明人： Su-Kyoung Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  In-Sun Park ,  Ji-Soon Park

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： H01L29/7926 ,  G11C5/063 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11582

摘要： A non-volatile memory device is provided, including a substrate formed of a single crystalline semiconductor, pillar-shaped semiconductor patterns extending perpendicular to the substrate, a plurality of gate electrodes and a plurality of interlayer dielectric layers alternately stacked perpendicular to the substrate, and a charge spread blocking layer formed between the plurality of gate electrodes and the plurality of interlayer dielectric layers.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件，包括由单晶半导体形成的衬底，垂直于衬底延伸的柱状半导体图案，多个栅极电极和与衬底垂直交替堆叠的多个层间电介质层，以及 形成在所述多个栅极电极和所述多个层间电介质层之间的电荷扩展阻挡层。

公开(公告)号：US20100283154A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12573437

申请日：2009-10-05

申请人： Taek-jung Kim ,  Hee-sook Park ,  Jong-min Back ,  Su-Kyoung Kim ,  Yu-gyun Shin ,  Sun-ghil Lee

发明人： Taek-jung Kim ,  Hee-sook Park ,  Jong-min Back ,  Su-Kyoung Kim ,  Yu-gyun Shin ,  Sun-ghil Lee

IPC分类号： H01L23/532 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L23/53266 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/28088 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A sputtering target includes a tungsten (W)-nickel (Ni) alloy, wherein the nickel (Ni) is present in an amount of between about 0.01 weight % and about 1 weight %.

摘要翻译： 溅射靶包括钨（W） - 镍（Ni）合金，其中镍（Ni）以约0.01重量％至约1重量％的量存在。