公开(公告)号：US20100209849A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12708196

申请日：2010-02-18

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating and baking a first positive resist composition to form a first resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) applying a resist-modifying composition to the first resist pattern and heating to modify the first resist pattern, (3) coating and baking a second positive resist composition to form a second resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The modified first resist film has a contact angle with pure water of 50°-85°.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）涂覆和烘烤第一正性抗蚀剂组合物以形成第一抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物施加到 第一抗蚀剂图案和加热以修饰第一抗蚀剂图案，（3）涂覆和烘烤第二正性抗蚀剂组合物以形成第二抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 改性的第一抗蚀剂膜与纯水的接触角为50°-85°。

公开(公告)号：US08367310B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12708196

申请日：2010-02-18

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating and baking a first positive resist composition to form a first resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) applying a resist-modifying composition to the first resist pattern and heating to modify the first resist pattern, (3) coating and baking a second positive resist composition to form a second resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The modified first resist film has a contact angle with pure water of 50°-85°.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）涂覆和烘烤第一正性抗蚀剂组合物以形成第一抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物施加到 第一抗蚀剂图案和加热以修饰第一抗蚀剂图案，（3）涂覆和烘烤第二正性抗蚀剂组合物以形成第二抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 改性的第一抗蚀剂膜与纯水的接触角为50°-85°。

公开(公告)号：US08426105B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12786759

申请日：2010-05-25

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist-modifying composition comprises a carbamate compound and a solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包含氨基甲酸酯化合物和溶剂。

公开(公告)号：US08329384B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12785930

申请日：2010-05-24

申请人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist modifying composition comprises a base resin comprising recurring units having formula (1) wherein A1 is alkylene, R1 is H or methyl, R2 is alkyl or bond together to form a nitrogen-containing heterocycle, and an alcohol-based solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包括含有式（1）的重复单元的基础树脂，其中A1是亚烷基，R1是H或甲基，R2是烷基或键合在一起形成含氮杂环和醇类溶剂。

公开(公告)号：US20100297563A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12785930

申请日：2010-05-24

申请人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist modifying composition comprises a base resin comprising recurring units having formula (1) wherein A1 is alkylene, R1 is H or methyl, R2 is alkyl or bond together to form a nitrogen-containing heterocycle, and an alcohol-based solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包括含有式（1）的重复单元的基础树脂，其中A1是亚烷基，R1是H或甲基，R2是烷基或键合在一起形成含氮杂环，和醇类溶剂。

公开(公告)号：US20100297554A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12786759

申请日：2010-05-25

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist-modifying composition comprises a carbamate compound and a solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包含氨基甲酸酯化合物和溶剂。

公开(公告)号：US20110033799A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12850266

申请日：2010-08-04

申请人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Masashi Iio

发明人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Masashi Iio

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08F24/00 ,  C08F20/04 ,  C08F20/10 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/70466 ,  C08F220/60 ,  C08F224/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40

摘要： A pattern is formed by (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, patternwise exposing, PEB, and developing to form a first positive resist pattern including a large area feature, (2) applying a resist-modifying composition comprising a basic nitrogen-containing compound and heating to modify the first resist pattern, and (3) coating a second positive resist composition thereon, patternwise exposing, and developing to form a second resist pattern. The large area feature in the first resist pattern has a film retentivity of at least 50% after the second pattern formation.

摘要翻译： 通过（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂布在基材上，烘烤，图案曝光，PEB和显影以形成包括大面积特征的第一正性抗蚀剂图案，（2）涂覆抗蚀剂改性组合物，形成图案，所述抗蚀剂改性组合物包含 碱性含氮化合物和加热以改性第一抗蚀剂图案，和（3）在其上涂覆第二正性抗蚀剂组合物，图案曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。 第一抗蚀剂图案中的大面积特征在第二图案形成之后具有至少50％的膜保持性。

公开(公告)号：US08658346B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US12850266

申请日：2010-08-04

申请人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Masashi Iio

发明人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Masashi Iio

IPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70466 ,  C08F220/60 ,  C08F224/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40

摘要： A pattern is formed by (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, patternwise exposing, PEB, and developing to form a first positive resist pattern including a large area feature, (2) applying a resist-modifying composition comprising a basic nitrogen-containing compound and heating to modify the first resist pattern, and (3) coating a second positive resist composition thereon, patternwise exposing, and developing to form a second resist pattern. The large area feature in the first resist pattern has a film retentivity of at least 50% after the second pattern formation.

摘要翻译： 通过（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂布在基材上，烘烤，图案曝光，PEB和显影以形成包括大面积特征的第一正性抗蚀剂图案，（2）涂覆抗蚀剂改性组合物，形成图案，所述抗蚀剂改性组合物包含 碱性含氮化合物和加热以改性第一抗蚀剂图案，和（3）在其上涂覆第二正性抗蚀剂组合物，图案曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。 第一抗蚀剂图案中的大面积特征在第二图案形成之后具有至少50％的膜保持性。

公开(公告)号：US20100159392A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12639621

申请日：2009-12-16

申请人： Jun Hatakeyama ,  Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama

发明人： Jun Hatakeyama ,  Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/405

摘要： A pattern is formed by coating a first positive resist composition comprising a copolymer comprising lactone-containing recurring units and acid labile group-containing recurring units onto a substrate to form a first resist film, patternwise exposure, PEB, and development to form a first resist pattern, applying an amine or oxazoline compound to the first resist pattern for inactivation, coating a second positive resist composition comprising a C3-C8 alcohol and an optional C6-C12 ether onto the first resist pattern-bearing substrate to form a second resist film, patternwise exposure, PEB, and development to form a second resist pattern.

摘要翻译： 通过将包含含有内酯重复单元和含酸不稳定基团的重复单元的共聚物的第一正性抗蚀剂组合物涂布在基材上以形成第一抗蚀剂膜，图案曝光，PEB和显影以形成第一抗蚀剂形成图案 将第一抗蚀剂图案施加胺或恶唑啉化合物以进行灭活，将包含C 3 -C 8醇和任选的C 6 -C 12醚的第二正性抗蚀剂组合物涂覆到第一抗蚀剂图案衬底上以形成第二抗蚀剂膜， 图案曝光，PEB和显影以形成第二抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US20100086878A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12575097

申请日：2009-10-07

申请人： Jun Hatakeyama ,  Masashi Iio ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Jun Hatakeyama ,  Masashi Iio ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： A pattern is formed by applying a first positive resist material onto a substrate, heat treating, exposing to high-energy radiation, heat treating, then developing with a developer to form a first resist pattern; applying a protective coating solution comprising a hydrolyzable silicon compound having an amino group onto the first resist pattern and the substrate, heating to form a protective coating; and applying a second positive resist material thereon, heat treating, exposing to high-energy radiation, heat treating, and then developing with a developer to form a second resist pattern. By forming the second pattern in a space portion of the first pattern, this double patterning reduces the pattern pitch to one half.

摘要翻译： 通过将第一正性抗蚀剂材料施加到基底上，热处理，暴露于高能量辐射，热处理，然后用显影剂显影以形成第一抗蚀剂图案，形成图案; 将包含具有氨基的可水解硅化合物的保护涂层溶液施加到第一抗蚀剂图案和基底上，加热形成保护涂层; 并在其上施加第二正性抗蚀剂材料，热处理，暴露于高能量辐射，热处理，然后用显影剂显影以形成第二抗蚀剂图案。 通过在第一图案的空间部分中形成第二图案，该双重图案将图案间距减小到一半。