公开(公告)号：US20080295062A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US11752310

申请日：2007-05-23

申请人： Te-Hung Wu ,  Chia-Wei Huang ,  Chuen Huei Yang ,  Sheng-Yuan Huang ,  Pei-Ru Tsai ,  Chih-Hao Wu

发明人： Te-Hung Wu ,  Chia-Wei Huang ,  Chuen Huei Yang ,  Sheng-Yuan Huang ,  Pei-Ru Tsai ,  Chih-Hao Wu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081

摘要： A method of verifying a layout pattern comprises separately steps of obtaining a simulated pattern at a lower portion of a film by using a layout pattern as a mask to transfer the layout pattern to the film, and obtaining a simulated pattern at an upper portion of the film by using the layout pattern as a mask to transfer the layout pattern to the film. The layout pattern is verified according to the upper and lower simulated patterns.

摘要翻译： 验证布局图案的方法包括单独的步骤，通过使用布局图案作为掩模，在胶片的下部获得模拟图案，以将布局图案转印到胶片上，以及在胶片的上部获得模拟图案 通过使用布局图案作为掩模将电影布局布局转移到电影中。 根据上下模拟图案验证布局图案。

公开(公告)号：US07913196B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11752310

申请日：2007-05-23

申请人： Te-Hung Wu ,  Chia-Wei Huang ,  Chuen Huei Yang ,  Sheng-Yuan Huang ,  Pei-Ru Tsai ,  Chih-Hao Wu

发明人： Te-Hung Wu ,  Chia-Wei Huang ,  Chuen Huei Yang ,  Sheng-Yuan Huang ,  Pei-Ru Tsai ,  Chih-Hao Wu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081

摘要： A method of verifying a layout pattern comprises separately steps of obtaining a simulated pattern at a lower portion of a film by using a layout pattern as a mask to transfer the layout pattern to the film, and obtaining a simulated pattern at an upper portion of the film by using the layout pattern as a mask to transfer the layout pattern to the film. The layout pattern is verified according to the upper and lower simulated patterns.

摘要翻译： 验证布局图案的方法包括单独的步骤，通过使用布局图案作为掩模，在胶片的下部获得模拟图案，以将布局图案转印到胶片上，以及在胶片的上部获得模拟图案 通过使用布局图案作为掩模将电影布局布局转移到电影中。 根据上下模拟图案验证布局图案。

公开(公告)号：US08225237B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12324858

申请日：2008-11-27

申请人： Te-Hung Wu ,  Sheng-Yuan Huang ,  Cheng-Te Wang ,  Chia-Wei Huang ,  Ping-I Hsieh ,  Po-I Lee ,  Chuen Huei Yang ,  Pei-Ru Tsai

发明人： Te-Hung Wu ,  Sheng-Yuan Huang ,  Cheng-Te Wang ,  Chia-Wei Huang ,  Ping-I Hsieh ,  Po-I Lee ,  Chuen Huei Yang ,  Pei-Ru Tsai

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method to determine a process window is disclosed. First, a pattern data is provided. Second, a bias set is determined. Then, a resizing procedure is performed on the pattern data in accordance with the bias set to obtain a usable final resized pattern to be a target pattern of changed area. The final resized pattern is consistent with a minimum spacing rule, a contact to poly rule and a contact to metal rule. Accordingly, the target pattern is output.

摘要翻译： 公开了一种确定处理窗口的方法。 首先，提供图案数据。 其次，确定偏差集。 然后，根据偏置设置对图案数据执行调整大小程序，以获得可用的最终调整尺寸图案作为改变区域的目标图案。 最终调整大小的模式与最小间距规则，与多边规则的联系以及与金属规则的联系是一致的。 因此，输出目标图案。

公开(公告)号：US20100131914A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12324858

申请日：2008-11-27

申请人： Te-Hung Wu ,  Sheng-Yuan Huang ,  Cheng-Te Wang ,  Chia-Wei Huang ,  Ping-I Hsieh ,  Po-I Lee ,  Chuen Huei Yang ,  Pei-Ru Tsai

发明人： Te-Hung Wu ,  Sheng-Yuan Huang ,  Cheng-Te Wang ,  Chia-Wei Huang ,  Ping-I Hsieh ,  Po-I Lee ,  Chuen Huei Yang ,  Pei-Ru Tsai

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method to determine a process window is disclosed. First, a pattern data is provided. Second, a bias set is determined. Then, a resizing procedure is performed on the pattern data in accordance with the bias set to obtain a usable final resized pattern to be a target pattern of changed area. The final resized pattern is consistent with a minimum spacing rule, a contact to poly rule and a contact to metal rule. Accordingly, the target pattern is output.

摘要翻译： 公开了一种确定处理窗口的方法。 首先，提供图案数据。 其次，确定偏差集。 然后，根据偏置设置对图案数据执行调整大小程序，以获得可用的最终调整尺寸图案作为改变区域的目标图案。 最终调整大小的模式与最小间距规则，与多边规则的联系以及与金属规则的联系是一致的。 因此，输出目标图案。

公开(公告)号：US08042069B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12188192

申请日：2008-08-07

申请人： Yu-Shiang Yang ,  Te-Hung Wu ,  Yung-Feng Cheng ,  Chuen Huei Yang ,  Hsiang-Yun Huang ,  Hui-Fang Kuo ,  Shih-Ming Kuo ,  Lun-Hung Chen

发明人： Yu-Shiang Yang ,  Te-Hung Wu ,  Yung-Feng Cheng ,  Chuen Huei Yang ,  Hsiang-Yun Huang ,  Hui-Fang Kuo ,  Shih-Ming Kuo ,  Lun-Hung Chen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： A method to selectively amend a layout pattern is disclosed. First, a layout pattern including at least a first group and a second group is provided, wherein each one of the first group and the second group respectively includes multiple members. Second, a simulation procedure and an amendment procedure are respectively performed on all the members of the first group and the second group to obtain an amended first group and an amended second group. Then, the amended first group and the amended second group are verified as being on target or not. Afterwards, the layout pattern including the on target amended first group and the on target amended second group is output.

摘要翻译： 公开了一种选择性地修改布局图案的方法。 首先，提供包括至少第一组和第二组的布局图案，其中第一组和第二组中的每一个分别包括多个构件。 其次，分别对第一组和第二组的所有成员进行模拟程序和修改程序，以获得修改后的第一组和第二组。 然后，经修改的第一组和第二组被修正为目标。 之后，输出了包括目标修正的第一组和目标修正的第二组的布局模式。

公开(公告)号：US20100036644A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12188192

申请日：2008-08-07

申请人： Yu-Shiang Yang ,  Te-Hung Wu ,  Yung-Feng Cheng ,  Chuen Huei Yang ,  Hsiang-Yun Huang ,  Hui-Fang Kuo ,  Shih-Ming Kuo ,  Lun-Hung Chen

发明人： Yu-Shiang Yang ,  Te-Hung Wu ,  Yung-Feng Cheng ,  Chuen Huei Yang ,  Hsiang-Yun Huang ,  Hui-Fang Kuo ,  Shih-Ming Kuo ,  Lun-Hung Chen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： A method to selectively amend a layout pattern is disclosed. First, a layout pattern including at least a first group and a second group is provided, wherein each one of the first group and the second group respectively includes multiple members. Second, a simulation procedure and an amendment procedure are respectively performed on all the members of the first group and the second group to obtain an amended first group and an amended second group. Then, the amended first group and the amended second group are verified as being on target or not. Afterwards, the layout pattern including the on target amended first group and the on target amended second group is output.

摘要翻译： 公开了一种选择性地修改布局图案的方法。 首先，提供包括至少第一组和第二组的布局图案，其中第一组和第二组中的每一个分别包括多个构件。 其次，分别对第一组和第二组的所有成员进行模拟程序和修改程序，以获得修改后的第一组和第二组。 然后，经修改的第一组和第二组被修正为目标。 之后，输出了包括目标修正的第一组和目标修正的第二组的布局模式。

公开(公告)号：US07312020B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US10605968

申请日：2003-11-10

申请人： Chin-Lung Lin ,  Chuen Huei Yang ,  Ming-Jui Chen ,  Venson Lee

发明人： Chin-Lung Lin ,  Chuen Huei Yang ,  Ming-Jui Chen ,  Venson Lee

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F1/34

摘要： A lithography method for forming a plurality of patterns in a photoresist layer. A phase shift mask including a plurality of transparent main features, a plurality of first phase shift transparent regions, and a plurality of second phase shift transparent regions is provided. Each transparent main feature is surrounded by the first phase shift transparent regions and the second phase shift transparent regions interlaced contiguously along a periphery of the transparent main feature. Each of the first phase shift transparent regions has a phase shift relative to each of the second phase shift transparent regions. An exposure process is performed to irradiate the phase shift mask with light so that the patterns corresponding to the transparent main features are formed in the photoresist layer.

摘要翻译： 一种用于在光致抗蚀剂层中形成多个图案的光刻方法。 提供了包括多个透明主要特征，多个第一相移透明区域和多个第二相移透明区域的相移掩模。 每个透明主要特征被第一相移透明区域包围，而第二相移透明区域沿着透明主要特征的周边连续交错。 第一相移透明区域中的每一个相对于第二相移透明区域中的每一个具有相移。 执行曝光处理以用光照射相移掩模，使得在光致抗蚀剂层中形成对应于透明主要特征的图案。

公开(公告)号：USD396338S

公开(公告)日：1998-07-28

申请号：US66373

申请日：1997-02-07

申请人： Chuen Huei Yang

设计人： Chuen Huei Yang

公开(公告)号：US20050100829A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10605968

申请日：2003-11-10

申请人： Chin-Lung Lin ,  Chuen Huei Yang ,  Ming-Jui Chen ,  Venson Lee

发明人： Chin-Lung Lin ,  Chuen Huei Yang ,  Ming-Jui Chen ,  Venson Lee

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F1/34

摘要： A lithography method for forming a plurality of patterns in a photoresist layer. A phase shift mask including a plurality of transparent main features, a plurality of first phase shift transparent regions, and a plurality of second phase shift transparent regions is provided. Each transparent main feature is surrounded by the first phase shift transparent regions and the second phase shift transparent regions interlaced contiguously along a periphery of the transparent main feature. Each of the first phase shift transparent regions has a phase shift relative to each of the second phase shift transparent regions. An exposure process is performed to irradiate the phase shift mask with light so that the patterns corresponding to the transparent main features are formed in the photoresist layer.

摘要翻译： 一种用于在光致抗蚀剂层中形成多个图案的光刻方法。 提供了包括多个透明主要特征，多个第一相移透明区域和多个第二相移透明区域的相移掩模。 每个透明主要特征被第一相移透明区域包围，而第二相移透明区域沿着透明主要特征的周边连续交错。 第一相移透明区域中的每一个相对于第二相移透明区域中的每一个具有相移。 执行曝光处理以用光照射相移掩模，使得在光致抗蚀剂层中形成对应于透明主要特征的图案。