公开(公告)号：US06982433B2

公开(公告)日：2006-01-03

申请号：US10459998

申请日：2003-06-12

申请人： Thomas Hoffman ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles

发明人： Thomas Hoffman ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/007 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28044 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7845

摘要： There is disclosed an apparatus including a substrate defining an interior of the apparatus, a device exterior to the substrate including a gate electrode, and a straining layer exterior to the gate electrode and exterior to the substrate.

摘要翻译： 公开了一种装置，其包括限定该装置的内部的基板，包括栅电极的基板外部的装置，以及栅电极外部的应变层和基板的外部。

公开(公告)号：US08753942B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US12958179

申请日：2010-12-01

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/772 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include forming a nanowire device comprising a substrate comprising source/drain structures adjacent to spacers, and nanowire channel structures disposed between the spacers, wherein the nanowire channel structures are vertically stacked above each other.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括形成纳米线装置，其包括基板，该基板包括与间隔物相邻的源极/漏极结构，以及设置在间隔物之间​​的纳米线通道结构，其中纳米线通道结构在彼此之上垂直堆叠。

公开(公告)号：US20120138886A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US12958179

申请日：2010-12-01

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include forming a nanowire device comprising a substrate comprising source/drain structures adjacent to spacers, and nanowire channel structures disposed between the spacers, wherein the nanowire channel structures are vertically stacked above each other.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括形成纳米线装置，其包括基板，该基板包括与间隔物相邻的源极/漏极结构，以及设置在间隔物之间​​的纳米线通道结构，其中纳米线通道结构在彼此之上垂直堆叠。

公开(公告)号：US20110147847A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12653971

申请日：2009-12-21

申请人： Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Kelin Kuhn ,  Jack T. Kavalieros ,  Markus Kuhn

发明人： Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Kelin Kuhn ,  Jack T. Kavalieros ,  Markus Kuhn

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： The present disclosure relates to the field of fabricating microelectronic devices. In at least one embodiment, the present disclosure relates to forming isolation structures in strained semiconductor bodies of non-planar transistors while maintaining strain in the semiconductor bodies.

摘要翻译： 本公开涉及制造微电子器件的领域。 在至少一个实施例中，本公开涉及在保持半导体本体中的应变的同时在非平面晶体管的应变半导体本体中形成隔离结构。

公开(公告)号：US20090152589A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US11958275

申请日：2007-12-17

申请人： Titash Rakshit ,  Martin D. Giles ,  Tahir Ghani ,  Anand Murthy ,  Stephen M. Cea

发明人： Titash Rakshit ,  Martin D. Giles ,  Tahir Ghani ,  Anand Murthy ,  Stephen M. Cea

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： A transistor structure that increases uniaxial compressive stress on the channel region of a tri-gate transistor comprises at least two semiconductor bodies formed on a substrate, each semiconductor body having a pair of laterally opposite sidewalls and a top surface, a common source region formed on one end of the semiconductor bodies, wherein the common source region is coupled to all of the at least two semiconductor bodies, a common drain region formed on another end of the semiconductor bodies, wherein the common drain region is coupled to all of the at least two semiconductor bodies, and a common gate electrode formed over the at least two semiconductor bodies, wherein the common gate electrode provides a gate electrode for each of the at least two semiconductor bodies and wherein the common gate electrode has a pair of laterally opposite sidewalls that are substantially perpendicular to the sidewalls of the semiconductor bodies.

摘要翻译： 增加三栅极晶体管的沟道区上的单轴压应力的晶体管结构包括形成在衬底上的至少两个半导体本体，每个半导体本体具有一对横向相对的侧壁和顶表面，共同源极区形成在 所述半导体主体的一端，其中所述公共源极区域耦合到所述至少两个半导体主体中的所有半导体主体，形成在所述半导体主体的另一端上的公共漏极区域，其中，所述公共漏极区域至少与所述半导体主体 两个半导体主体和形成在所述至少两个半导体主体上的公共栅电极，其中所述公共栅电极为所述至少两个半导体主体中的每一个提供栅电极，并且其中所述公共栅极具有一对横向相对的侧壁， 基本上垂直于半导体主体的侧壁。

公开(公告)号：US20090032872A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US11830182

申请日：2007-07-30

申请人： Martin D. Giles ,  David L. Kencke ,  Stephen M. Cea

发明人： Martin D. Giles ,  David L. Kencke ,  Stephen M. Cea

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10826 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/7856

摘要： Techniques associated with providing multiple gate insulator thickness for a semiconductor device are generally described. In one example, an apparatus includes a semiconductor fin having an impurity introduced to at least a first side of the fin, a first oxide having a first thickness coupled with the first side of the fin, and a second oxide having a second thickness coupled with a second side of the fin, the second thickness being different from the first thickness as a result of the impurity introduced to the first side of the fin.

摘要翻译： 通常描述与半导体器件提供多个栅极绝缘体厚度相关联的技术。 在一个实例中，一种设备包括：半导体鳍片，其具有引入到鳍片的至少第一侧的杂质;第一氧化物，具有与鳍片的第一侧耦合的第一厚度;以及第二氧化物， 翅片的第二侧，由于引入到翅片的第一侧的杂质的结果，第二厚度不同于第一厚度。

公开(公告)号：US07452764B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11070365

申请日：2005-03-01

申请人： Thomas Hoffmann ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles

发明人： Thomas Hoffmann ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28044 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7845

摘要： A method including forming a device on a substrate, the device including a gate electrode on a surface of the substrate; a first junction region and a second junction region in the substrate adjacent the gate electrode; and depositing a straining layer on the gate electrode.

摘要翻译： 一种包括在衬底上形成器件的方法，所述器件在衬底的表面上包括栅电极; 邻近栅电极的衬底中的第一结区和第二结区; 以及在所述栅电极上沉积应变层。

公开(公告)号：US09564522B2

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：US14803919

申请日：2015-07-20

申请人： Stephen M. Cea ,  Annalisa Cappellani ,  Martin D. Giles ,  Rafael Rios ,  Seiyon Kim ,  Kelin J. Kuhn

发明人： Stephen M. Cea ,  Annalisa Cappellani ,  Martin D. Giles ,  Rafael Rios ,  Seiyon Kim ,  Kelin J. Kuhn

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/78618 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Nanowire structures having non-discrete source and drain regions are described. For example, a semiconductor device includes a plurality of vertically stacked nanowires disposed above a substrate. Each of the nanowires includes a discrete channel region disposed in the nanowire. A gate electrode stack surrounds the plurality of vertically stacked nanowires. A pair of non-discrete source and drain regions is disposed on either side of, and adjoining, the discrete channel regions of the plurality of vertically stacked nanowires.

摘要翻译： 描述了具有非离散源极和漏极区域的纳米线结构。 例如，半导体器件包括设置在衬底上方的多个垂直堆叠的纳米线。 每个纳米线包括设置在纳米线中的离散通道区域。 栅电极堆叠围绕多个垂直堆叠的纳米线。 一对非离散源极和漏极区域设置在多个垂直堆叠的纳米线的离散沟道区域的两侧并邻接。

公开(公告)号：US09087863B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13995930

申请日：2011-12-23

申请人： Stephen M. Cea ,  Annalisa Cappellani ,  Martin D. Giles ,  Rafael Rios ,  Seiyon Kim ,  Kelin J. Kuhn

发明人： Stephen M. Cea ,  Annalisa Cappellani ,  Martin D. Giles ,  Rafael Rios ,  Seiyon Kim ,  Kelin J. Kuhn

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/78618 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Nanowire structures having non-discrete source and drain regions are described. For example, a semiconductor device includes a plurality of vertically stacked nanowires disposed above a substrate. Each of the nanowires includes a discrete channel region disposed in the nanowire. A gate electrode stack surrounds the plurality of vertically stacked nanowires. A pair of non-discrete source and drain regions is disposed on either side of, and adjoining, the discrete channel regions of the plurality of vertically stacked nanowires.

摘要翻译： 描述了具有非离散源极和漏极区域的纳米线结构。 例如，半导体器件包括设置在衬底上方的多个垂直堆叠的纳米线。 每个纳米线包括设置在纳米线中的离散通道区域。 栅电极堆叠围绕多个垂直堆叠的纳米线。 一对非离散源极和漏极区域设置在多个垂直堆叠的纳米线的离散沟道区域的两侧并邻接。

公开(公告)号：US20140326952A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14274592

申请日：2014-05-09

申请人： Kelin J. KUHN ,  Seiyon KIM ,  Rafael RIOS ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. GILES ,  Annalisa CAPPELLANI ,  Titash RAKSHIT ,  Peter CHANG ,  Willy RACHMADY

发明人： Kelin J. KUHN ,  Seiyon KIM ,  Rafael RIOS ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. GILES ,  Annalisa CAPPELLANI ,  Titash RAKSHIT ,  Peter CHANG ,  Willy RACHMADY

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include forming a nanowire device comprising a substrate comprising source/drain structures adjacent to spacers, and nanowire channel structures disposed between the spacers, wherein the nanowire channel structures are vertically stacked above each other.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括形成纳米线装置，其包括基板，该基板包括与间隔物相邻的源极/漏极结构，以及设置在间隔物之间​​的纳米线通道结构，其中纳米线通道结构在彼此之上垂直堆叠。